Проводимость несобственная

Все вместе, по-видимому, дает довольно сильные указания на существование хвоста плотности состояний, распространяющегося примерно на 0,12 эВ выше края параболической валентной зоны. Возможно, существует также хвост и у зоны проводимости, но в пользу такой возможности имеется мало данных. Такой хвост может давать вклад в промежуточной области между несобственной и собственной кривыми на рис. 7.31. [c.165]

Проводимость, обусловленная электронами и дырками, возникающими при перебросе электронов из валентной зоны в зону проводимости, называется собственной проводимостью. Большинство других полупроводников относится к типу легированных, т. е. содержат те или иные примесные атомы. Они обладают несобственной или примесной проводимостью, так как их проводимость обусловлена природой и количеством примесей. [c.292]

Прн температурах, лежащих ниже области собственной проводимости, электрические свойства определяются примесями, и тогда мы говорим о примесной (несобственной) проводимости. [c.381]

В случае несобственного полупроводника, рассматриваемого в настоящей задаче, электрон, перешедший с донорной примеси, должен либо находиться на одном из компенсирующих центров, либо быть одним из По электронов в зоне проводимости. Таким образом, при равновесии имеем [c.421]

Будем различать примесные несобственные) полупроводники (задача 16.5) и полупроводники с собственной проводимостью (задача 16.1) при температуре Т. В примесном полупроводнике ширина запрещенной зоны, отделяющей почти заполненную зону от почти пустой, значительно больше кТ, тогда как в полупроводнике с собственной проводимостью она сравнима с кТ. В первом случае вещество было бы изолятором, если бы не влияние примесей (неизбежно присутствующих в любом веществе), играющих роль источника электронов или дырок. Механизм, при помощи которого это происходит, рассматривается в задаче 19.1, [c.489]

Если температура не равна нулю, то для диэлектриков с очень малой энергетической щелью подобное деление становится менее четким, поскольку тогда в зоне проводимости в результате теплового возбуждения появляются электроны. Такие твердые тела называются -собственными полупроводниками. Если в диэлектрике имеются примеси, они также могут поставлять электроны, легко переходящие при тепловом возбуждении в зону проводимости. В результате такое твердое тело оказывается несобственным полупроводником. Типичные свойства полупроводников обсуждаются в гл. 28. В настоящей главе (которая посвящена только идеальным кристаллам при Г = 0) мы считаем, что все полупроводники представляют собой диэлектрики. [c.7]

ОБЩИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИМЕРЫ ЗОННОЙ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЦИКЛОТРОННЫЙ РЕЗОНАНС СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ТОКА ПРИ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОМ РАВНОВЕСИИ СОБСТВЕННЫЕ И НЕСОБСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ ЗАПОЛНЕНИЕ ПРИМЕСНЫХ УРОВНЕЙ ПРИ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОМ РАВНОВЕСИИ РАВНОВЕСНЫЕ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПРИМЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПРОВОДИМОСТЬ ЗА СЧЕТ ПРИМЕСНОЙ ЗОНЫ ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА В НЕВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ [c.184]

Значения сопротивления при температурах, при которых еще не достигается собственная область, называются несобственными. В общем случае говорят, что полупроводник является собственным, если его электронные свойства определяются электронами, термически переброшенными из валентной зоны в зону проводимости, и несобственным, если его электронные свойства определяются электронами, попавшими в зону проводимости с примесей (или [c.186]

Если примеси поставляют существенную часть электронов зоны проводимости и (или) дырок валентной зоны, то мы имеем дело с несобственным полупроводником. Из-за наличия таких добавочных источников носителей концентрация электронов в зоне проводимости уже не обязательно должна быть равна концентрации дырок в валентной зоне, т. е. [c.198]

В условиях несобственной проводимости далее будут учитываться два эффекта, влияющие на кажущийся коэффициент диффузии, а именно эффект, обусловленный наличием градиентов концентрации диффундирующей примеси, часто описываемый как ионный дрейф во внутреннем электрическом поле, а также эффект кластеризации примесных атомов, который эффективно снижает их коэффициент диффузии. Распределения примесей, возникающие при учете таких процессов, могут быть найдены только путем численного решения соответствующих уравнений, как это описывается в других главах настоящей книги. В данном разделе мы обсуждаем только физические аспекты этих явлений. [c.30]

Большая часть изоляторов имеет омическую проводимость ниже 0,1 (МВ-см) и неомическую выше 1 (МВ-см)" . Омическая проводимость в обычных материалах около 20 °С всегда является несобственной (обусловлена примесями, негомогенностыо и т. д.), неомическая проводимость может быть собственной (является свойством чистого, гомогенного соединения). [c.449]

В случае несобственной ионной проводимости Q—энергия иона, необходимая для перескока. Аналогичное выражение определяет несобственную электронную проводимость. Если электронная проводимость обусловлена переходом электронов в зону проводимости, то можно применить элементарную зонную теорию полупроводников, при этом Q /2, где Е — ширина запрещенной зоны. Собственная ионная проводимость требует не только образования, но и перемещения ионов собственной проводимости. Поэтому для двойного соединения Q = Q,72 -f-+ QnePe K. где Qi — энергия, необходимая для образования дефектной пары. [c.452]

Типичный вид зависимостей а < 5) для полупроводника -типа иллюстрируется рис.2.3. Зависимости для материала />-типа выглядят аналогично, только минимумы проводимости сдвигаются в область положительных У - Так как в слое истощения поверхностные избытки основных носителей отрицательны, поверхностная проводимость в соответствующей области потенциалов также меньше нуля. Чем более несобственным является кpи тaJ л, тем при больших изгибах зон регистрируется минимум поверхностной проводимости. [c.51]

Рис.2.3. Зависимости удельной поверхностной проводимости германия л-типа от потенциала поверхности при ЗООК. Параметр несобственности Л 0.5 (1) 0,1 (2) 0,01 (3) 0,001 (4) [4

В данном разделе будет обсуждаться только диффузия в условиях примесной проводимости, не нарушающая сколько-нибудь заметно равновесную концентрацию точечных дефектов в исходном материале. Другими словами, будет предполагаться, что концентрация точечных дефектов в различных заряженных состояниях зависит только от положения уровня Ферми. Простейшим случаем диффузии в условиях несобственной проводимости является изоконцентрационная диффузия , поскольку при этом коэффициент диффузии примеси постоянен. Конечно, в зависимости от типа и концентрации фоновой примеси, определяющей отношение п/п., коэффициент диффузии рассматриваемой примеси будет увеличиваться или уменьшаться, как легко видеть из (1.31). Поэтому если использовать правильное значение коэффициента диффузии в условиях примесной проводимости, то можно применить и второй закон Фика. Вследствие простоты интерпретации результатов эксперименты по изоконцентрационной диффузии имеют большое значение для исследования фундаментальных закономерностей диффузии, обсуждавшихся в 1.2.4. [c.31]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...