Активаторы

Анодная пассивность. Поляризация анода может быть также вызвана образованием пассивных пленок на поверхности металла. При определенных условиях (при наличии в растворе окислителей и отсутствии ионов-активаторов) анодная поляризация облегчает наступление пассивного состояния и ионизация металла сильно тормозится. Этот процесс сопровождается значительной анодной поляризацией АЕа, которая для некоторых металлов может превышать значение 1 в. [c.34]

Депассивация хромистых сталей проявляется при наличии в среде анионов-активаторов (хлор-ионы и др.), которые нарушают целостность пассивной пленки, и сплав подвергается коррозии, причем в большинстве случаев коррозия носит местный точечный характер. [c.215]

Такие окислители, как хроматы и бихроматы, являются плохими катодными деполяризаторами и в то же время сильно пассивируют практически важные металлы (Ее, А1, 2п, Си). Достаточно добавить с водопроводную воду 0,1% двухромовокислого калия, чтобы ре 5ко снизить скорость коррозии углеродистой стали п алюминия. При содержании в воде сильных активаторов коррозии (например, хлористых солей) концентрацию бихромата следует увеличить до 2—3%. Хроматы и бихроматы относятся к типу смешанных замедлителей коррозии, но тормозят преимущественной анодный процесс. [c.312]

I - активатор протектора (зф-фективного анода) 2 - протектор (эффективный анод) 3 - полупроводниковый диод 4 - защищаемый трубопровод [c.46]

Сопротивление растеканию тока протектора с активатором, установленного в грунт, определяем по формуле [c.64]

Рекомбинационное свечение наблюдается в кристаллофосфорах с дефектами в кристаллических решетках, вызванными включением посторонних примесей — ионов тяжелых металлов. Центрами высвечивания в этом случае являются ионы тяжелых металлов, называемые активаторами. Искажение кристаллической решетки может произойти также при неправильном росте кристаллов под действием внешних (механических, электрических) сил. [c.362]

Если электрону в валентной зоне сообщить энергию, превышающую ширину запрещенной зоны, то он, покидая валентную зону, перейдет в зону проводимости (рис, 16.4, /), При движении по зоне проводимости электрон, потеряв часть своей энергии, опускается к ее дну (рис. 16.4, 2), а в дальнейшем переходит на локальный уровень активатора (рис, 16.4, < ). При уходе электрона из валентной зоны возникает дырка, которая ведет себя подобно положительному заряду. Дырка, двигаясь по валентной зоне, рекомбинирует (рис. 16.4, 4) с электроном, попавшим на уровень активатора из зоны проводимости. Выделенная энергия при рекомбинации электрона и дырки возбуждает ион активатора, являющийся центром высвечивания. Поскольку движение электрона в зоне проводимости происходит с большой скоростью, то процесс люминесценции в данном случае является весьма кратковременным. [c.362]

Хотя, согласно предыдущему, четкое деление между флуоресцирующими и фосфоресцирующими веществами в настоящее время невозможно, тем не менее существуют вещества, которые вполне целесообразно выделить в класс фосфоресцирующих. К ним принадлежат, в частности, так называемые кристаллические фосфоры, дающие нередко очень интенсивное свечение и имеющие благодаря этому практический интерес. Основой таких фосфоров являются неорганические вещества, не флуоресцирующие в чистом виде. Добавление к ним очень небольщих количеств (10 —10" %) некоторых примесей, так называемых активаторов , делает их интенсивно фосфоресцирующими. Такими активаторами в больщинстве случаев служат соединения металлов. Так, например, яркий фосфор, нередко применяющийся для изготовления фосфоресцирующих экранов, представляет собой сернистый цинк, активированный небольшими примесями соединений, содержащих марганец, висмут или медь. [c.765]

В наиболее простом случае люминесценция описывается переходами 1 и 2. Здесь как возбуждение, так и высвечивание происходят в одной и той же точке пространства — в одном и том же ионе-активаторе. Подобные ситуации мы уже рассматривали. [c.189]

Общие сведения. Рекомбинационное свечение характерно для различных типов кристаллофосфоров, представляющих собой сложные неорганические вещества, периодичность кристаллической решетки которых нарушена введением небольших количеств ионов активатора. Появление особых мест кристаллической решетки способствует локализации около них возбужденных электронов и возрастанию длительности свечения кристаллофосфора. Кроме того, излучение также происходит в этих особых местах решетки, около которых и образуются центры свечения кристаллофосфора. [c.181]

Рис. 70. Зонная схема рекомбинационного свечения кристаллофосфоров а —уровни активатора л — ловушки О — дырки —электроны 1 и 2 — возбуждение через центры свечения 3 и 4—возбуждение через валентную зону 1 я 3 — непосредственная рекомбинация после возбуждения 2 и 4—рекомбинация после освобождения электронов из ловушек

Эти рассуждения касаются кристаллов с решеткой, не имеющей испорченных или особых мест. Однако в решетке реальных кристаллофосфоров всегда имеется большое число дефектов. Их возникновение может быть вызвано различными причинами введением посторонних примесей, неправильностями роста кристалла, наложением на него внешних напряжений и т. д. Особое значение имеют ионы активатора, так как они входят в состав центров свечения. Как и у ионов основного вещества решетки, у ионов активаторов имеется невозбужденный и возбужденный уровни, причем и те и другие уровни сильно уширяются под влиянием электрического поля окружающих ионов решетки. Как правило, невозбужденный уровень активатора лежит несколько выше валентной зоны решетки, а возбужденные уровни — ниже дна зоны проводимости. [c.184]

Изменение кристаллического поля решетки введенными ионами активатора распространяется только на небольшой объем кристалла около самих ионов активатора и на ближайшие к ним ионы решетки. Поэтому энергетические уровни кристалла имеют лишь местное значение и называются локальными уровнями. Эти уровни, расположенные ниже дна зоны проводимости, способны на некоторое время захватывать и удерживать находящиеся в ней [c.184]

Даже у простейших кристаллофосфоров с одним активатором и с одной системой ловушек свечение активатора может возникнуть как последняя, заключительная стадия нескольких различных процессов. Это видно из рис. 70, где изображены четыре различных варианта возникновения свечения кристаллофосфоров. [c.185]

В этом случае, когда уровни ионов активаторов лежат выше валентной зоны, дырка всплывает на эти ионы, вернее электроны с центра свечения рекомбинируют с дыркой. Вследствие этого в решетке появляются ионизованные центры свечения, а в зоне проводимости — электроны, перенесенные сюда ранее при возбуждении из валентной зоны. Дальнейший процесс идет по описанной выше схеме электроны из полосы проводимости непосредственно или после нескольких промежуточных локализаций на ловушках рекомбинируют с возбужденными центрами и дают свечение. Таким образом четвертый вариант аналогичен второму варианту, усложненному переносом дырки на активатор. [c.186]

У многих кристаллофосфоров кроме центров активатора, дающих свечение, имеются и центры тушения. При рекомбинации электронов около этих центров энергия возбуждения переходит в тепло. Освещение инфракрасным светом возбужденных фосфоров, имеющих большое число центров тушения, приводит не к вспышке стимулированного свечения, а к ослаблению фосфоресценции облучаемых мест. [c.187]

Введение примесей, способствуя образованию дефектов решетки, дающих неактивное поглощение и затрудняющих свободное перемещение свободных носителей тока по кристаллу, неблагоприятно действует на выход свечения. Соответствующее ослабление свечения называется тушением примесями. В зависимости от характера примеси оно может быть слабым и очень сильным. В последнем случае примеси называют люминесцентными ядами. Для развития сильного тушения часто достаточно ничтожных количеств ядов (значительно меньших, кем концентрация активаторов). [c.187]

Обычно активатор вводится в решетку в количествах, достаточных для подавления действия случайных малых примесей. Однако необходимо избегать сильных искажений решетки и образования центров с участием двух и более ионов активатора, поскольку такие центры либо дают измененное свечение, либо не светятся вовсе. Тушение люминесценции, наступающее при введении больших количеств активатора, носит название концентрационного тушения свечения кристаллофосфоров. [c.188]

ПАССИВАТОРЫ И ДЕПАССИВАТОРЫ (АКТИВАТОРЫ) [c.305]

При изменении внешних условий пассивный металл может вновь перейти в активное состояние. Этот процесс называют активацией, или депассивацией. Вещества или процессы, нарушающие пассивное состояние металлов или затрудняющие наступление пассивности, называют активаторами или депассиваторами. [c.306]

В условиях возможного наступления пассивности (в присутствии окислителя и при отсутствии активаторов) контакт с катодным металлом может обеспечить наступление пассивного состояния основного металла и значительно снизить при этом скорость его коррозии, т. е. является катодным проектором (см. с. 323). Контакт с анодным металлом в этих условиях затрудняет наступление пассивности основного металла, а если последний находится в пассивном состоянии, может его депассивировать, что приводит к увеличению его коррозии (см. с. 306). [c.362]

Ультразвук в одних случаях затрудняет наступление пассивности металлов (при анодном растворении железа, меди, кадмия, стали Х18Н9) в результате десорбции кислорода и диспергирования защитных пленок, а в других случаях (А1 и Ni в NaaS04, Fe в NaOH + СГ) облегчает пассивацию, по-видимому, из-за удаления с поверхности металла активаторов. [c.369]

Переход поверхности металла в активное состояние облегчается, если в растворе присутствуют некоторые анионы. К числу шльных активаторов в порядке их способности к депассивации относятся С1 > Вг > 3 . Особенно часто в растворах встречается хлор-ион. Его активирующее действие проявляется как 3 кислотах, так и в нейтральных или щелочных растворах. Характерным является то, что в присутствии. хлор-попа растворение металла часто идет не по всей поверхности, а толь1<о па отде 1Ы1Ы. участках (точечная 1чир )0.зия). [c.61]

Чаще всего точечная коррозия происходит в растворах, в которых наряду с пассинаторами (наиример, кислородом или другим окислителем) присутствуют активаторы (например, ионы хлора, брома и др.). Г1 .ж этом основная поверхность металла остается иасспвной, а активные ионы проникают сквозь микро-норы пленки или поврежденные участки пленки и металл начинает разрушаться. Активная анодная точка при этом развивается ис и ширину, а в глубину металла. Здесь следует учесть, что развитие коррозионной точки в глубину ироисходит вследствие невыгодного соотношения поверхностей анодных и катодных участков малой площади первых и больщон — вторых. [c.161]

И других средах, содержащих ионы-активаторы (хлор-ион и др.). Добавка меди существеиш) улучшает коррозионную стойкость аустенитной стали н серной кислоте невысоких концентраций (рис. 164), о.тнако добавка только меди недостаточна для полной пассивации стали при невысоких температурах п разбавленной кислоте. Болес эффективные результаты получаются при совместном легировании стали медью и молибденом. [c.230]

Для химического оксидирования магния и его сплавов широко применяют растворы двухромовокислого калия с добавками FieKOTopbix веществ-активаторов (NH4 I, Na I), вызывающих растворение пленки для обеспечения ее роста в глубину. Часто магниевые силавы обрабатывают в 15—20%-ном растворе плавиковой кислоты при комнатной температуре. Образовавшаяся пленка фторида магния обладает большей химической стойкостью, чем пленки, полученные в раетворах хроматов. [c.330]

При изменении внешних условий пассивный металл мохет вновь перейти в активное состояние. Этот процесс называют депассива-цией или активацией, а вещества или процессы, способствующие наруше1шю пассивного состояния,называют депассиваторами или активаторами. [c.39]

Повышение эффективности действия протекторной установки достигается догружением в , в специальную сь.есь солей, называемую активатором. аэнэчение активатора следующее снижение сопротивления растеканию тока о протектора устранение причин, способствующих образованию плотных слоёв продуктов коррозии на новерхнос-тй протектора снижение собственной коррозии. Бри исгшльзованяи активатора обеспечивается стабильный во времени ток в цепи "про-"чктор - сооружение" и более высокое значение коэффициента полезного действия. [c.42]

Возможна и рекомбинация через локальный уровень, лежащцр вблизи дна зоны проводимости (рис. 16.4, 5—8, 9). В этом случае электрон со дна зоны проводимости захватывается так называемыми ловушками — локальными уровнями (рис. 16.4, 6), иногда называемыми также уровнями прилипания. Если эти уровни лежат неглубоко от дна зоны проводимости, то под действием тепловой энергии электрон может быть переброшен обратно в зону проводимости (рис. 16.4, 7). В дальнейшем электрон, так же как и в первом случае, опускаясь на уровень активатора, рекомбинирует с образовавшейся дыркой в валентной зоне. Возбужденный ион активатора за счет получения энергии рекомбинации становится центром высвечивания. Ввиду задержки электрона на локальных уровнях такое свечение бывает продолжительным. Его длительность определяется также глубиной локальных уровней. Если локальный уровень лежит так далеко от дна зоны проводимости, что тепловая энергия при данной температуре кристалла недостаточна для возвращения электрона обратно в зону проводимости, то он может быть пленен на этом уровне до сообш,ения ему нужной энергии другим способом, скажем облучением. Электрон из этого пленения можно освободить также путем дальнейшего нагревания кристалла. Подобное свечение называется термовысвечиванием. [c.363]

Широкое практическое применение находят неорганические кристаллические люминофоры, называемые кристал-лофосфбрами или, проще, фосфорами (не надо путать с химическим элементом фосфором ). Они используются, например, в светящихся циферблатах часов. Кристаллофос-форы синтезируют, прокаливая специально приготовленные смеси, включающие в себя основное вещество и примеси активаторов, играющих роль центров люминесценции. Все кристаллофосфоры относятся к диэлектрикам или полупроводникам. [c.184]

Элементарные процессы в кристаллофосфорах. Значительно более сложна картина процессов, происходящих Б кристаллофосфорах. Общее представление о ней можно получить, обратившись к ркс. 8.2. Здесь Ei — вершин а валентной зоны, Е — дно зоны проводимости, АЯ — ши-]7нна запрещенной зоны, Е я Е — соответственно основной и возбужденный -уровни примесного иона-активатора (здесь для простоты рассматриваются только два уровня г, общем случае примесный ион имеет большее число уровней), 9 — один из экситонных уровней, —уровень примеси, играющей роль ловушки для электронов про- [c.188]

Более интересны ситуации, когда энергия возбуждения поглощается в одном месте кристалла, а высвечивание происходит в другом месте. В случае фотолюминесценции это означает, что фотон излучения накачки поглощается в одном месте кристалла, а фотон люминесцентного излучения рождается в другом месте. Передача энергии возбуждения от одного места к другому осуществляется с помощью либо электронов проводимости н дырок, либо экситонов, которые представляют собой, как уже отмечалось, связанные электронно-дырочные пары. Поэтому подобные ситуации должны быть связаны с рождением либо электронов проводимости и дырок, либо экситонов. Соответствующие переходы (обусловленные поглощением энергии возбуждения) обозначены на рис. 8.2 цифрами 3, 4, 5. Переход Л есть переход электрона из валентной зоны в зону проводимости при этом рождаются электрон проводимости и дырка. Переход 4 связан с рождением экситона. Переход 5 есть переход электрона с оиювного уровня иона-активатора в зону проводимости при этом рождается электрон проводимости. [c.189]

Перемещаясь по кристаллу, электроны проводимости, 1ырки и экситоны тем самым переносят по нему энергию возбуждения. Рассмотрим переходы, связанные с высвечиванием этой энергии (в виде фотона люминесцентного излучения). Во-первых, это может быть междузонный переход 8 (рис. 8.2). Во-вторых, это может быть переход, связанный с рекомбинацией электрона и дырки, образующих экситон,—переход 9. Рекомбинация экситона происходит, например, при его столкновении с п-римесным центром. Наконец, это может быть переход //, происходящий в каком-либо примесном ионе-активаторе он сопровождается безызлучательиыми переходами 10 и 12. Все три рассмотренных процесса высвечивания связаны с одновременным уничтожением электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне иными словами, все они связаны с электронно-дырочной рекомбинацией. В связи с этим используют термин рекомбинационная люминесценция. [c.190]

Люминесценция может возникать у веществ, находящихся в газообразном, жидком и твердом состояниях. Так, люминесцируют разреженные пары и газы. Люминесцетной способностью обладают чистые жидкости, растворы ряда неорганических солей и органических соединений, а также многие молекулярные кристаллы. Кроме того, обширный класс люминесцирующих веществ составляют сложные неорганические кристаллические вещества кристал-лофосфдры. Они образуются при совместной прокалке основного вещества (например, сернистых соединений металлов второй группы ZnS dS и др.), небольших количеств активатора (ионы тяжелых металлов Ag, u, Mn и др.), а также плавней (легкоплавкие соли Na l, K l и др). [c.169]

Вместе с тем длительность фосфоресценции может быть различной и часто у одного и того же фосфора развивается несколько свечений различной продолжительности. В ряде случаев, одновременно с длительным, наблюдается и кратковременное свечение, которое накладывается на него и вызвано чаще всего непосредственным возбуждением ионов активатора и близко по своим свойствам с молекулярным свечением. Отличие состоит в том, что атомы активатора взаимодействуют с кристаллической рещеткой основного вещества, поэтому поглощаемые и излучаемые ими частоты представляют собой комбинацию частот чисто электронного перехода центра свечения с частотами колебания решетки основного вещества. [c.182]

Общее поглощение кристаллофосфоров складывается из поглощения основного вещества, поглощения деформированных мест кристаллической решетки и поглощения ионов активатора. Так как основным веществом обычно служат бесцветные неорганические соли, их поглощение расположено в УФ-части спектра и составляет основную, или фундаментальную, полосу поглощения. Деформированные места кристаллической решетки обладают полосой поглощения, несколько смещенной в сторону длинных волн, которая все же остается в УФ-области. Полоса поглощения активаторов располагается в видимой части спектра. Главное поглощение кристаллофосфора сосредоточено в фундаментальной полосе. Обе другие полосы имеют гораздо меньшую интенсивность. Особенно слаба полоса поглощения активатора, количество которого в кри-сталлофосфоре очень невелико по сравнению с основным веществом. Поэтому для возбуждения свечения кристаллофосфоров обычно используют длины волн, расположенные в далекой ультрафиолетовой области. [c.182]

Спектры люминесценции кристаллофосфоров представляют собой широкие симметричные полосы, которые чаще всего располагаются в видимой части спектра. Спектральный состав излучения кристаллофосфоров прежде всего определяется природой его активатора. Например, в 2п8-фосфорах медь дает зеленую, сереброголубую, а марганец — оранжевую полосы люминесценции. Особенно типичным является излучение редкоземельных активаторов, которые обладают очень характерным для каждого элемента линейчатым спектром испускания. Все эти данные указывают на то, [c.182]

Механизм свечения кристаллофосфоров. Свечение кристаллофосфоров описывается зонной теорией твердого тела. Кристалло-фосфоры представляют собой ионные кристаллы с вкрапленными в них ионами активатора и плавня. Электроны атомов металла связываются с атомами металлоида. Хотя отделение электронов в этом случае неполное, образующиеся отрицательные и положительные квазионы производят друг на друга сильное электростатическое действие, обеспечивающее большую прочность таких кристаллов. [c.183]

Катодная защита от коррозии (1984) -- [ c.188 , c.189 ]

Технология органических покрытий том1 (1959) -- [ c.400 , c.401 ]

Ингибиторы коррозии (1977) -- [ c.225 , c.233 ]

Коррозия и основы гальваностегии Издание 2 (1987) -- [ c.23 ]

Методы окраски промышленных изделий (1975) -- [ c.3 , c.207 ]

Материаловедение Технология конструкционных материалов Изд2 (2006) -- [ c.677 ]

Техническая энциклопедия Т 10 (1931) -- [ c.0 ]

Техническая энциклопедия том 25 (1934) -- [ c.35 ]

Техническая энциклопедия Т 9 (1938) -- [ c.0 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...