Эмиттеры термоэлектронные

Приближенная зависимость плотности термоэлектронного тока от напряжения между эмиттером и анодом представлена на рис. 6.4. [c.215]

Припой для пайки термоэлектронных эмиттеров на основе солей бария. Глицерин—10—15% к весу припоя (сверх 100%) рений — 45—50 силицид молибдена — остальное. <пл = 1850—1950°С. Суспензию наносят на узел, сушат при 100— 150° С 1 ч, нагревают в среде водорода [c.116]

Основные процессы в ТЭП термоэлектронная эмиссия с уровня Ферми эмиттера в МЭЗ. перенос электронов через МЭЗ, конденсация электронов на уровень Ферми коллектора с выделением теплоты конденсации, перенос электронов через внешнюю цепь. В этих процессах происходит трансформация кинетической энергии электронов эмиттера в потенциальную во внутреннем электрическом поле преобразователя. Потенциальная энергия электронов [c.520]

Плотность тока насыщения термоэлектронной эмиссии js эмиттера с однородной поверхностью при слабом внешнем электрическом поле, не влияющем на работу выхода, определяется уравнением Ричардсона — Деш-мана [3] [c.445]

Захват электронов проводимости атомами, испаряющимися с поверхности металла (см. Поверхностная ионизация). Возможно также выбивание адсорбированных атомов в виде О. и. при бомбардировке поверхности быстрыми атомами или ионами. Нек-рые вещества, напр, оксидно-бариевые слои, используемые в качестве термоэлектронных эмиттеров, испускают при нагревании ионы 0 , Н , С1 и др. [c.570]

Для сварочной дуги основными процессами эмиссии будут термоэлектронная и автоэлектронная. Термоэлектронная эмиссия наблюдается при нагревании эмиттера. Энергия электронов возрастает пропорционально температуре Т, °К. Некоторые электроны достигают при этом уровней энергии, достаточных для преодоления потенциального барьера, ограждающего поверхность эмиттера, и вылетают в окружающее пространство, становясь свободными электронами. [c.76]

Подводя итоги, можно сказать, что метод термоэлектронной эмиссии позволяет измерять величины, которые непосредственно связаны с истинной работой выхода и универсальной эмиссионной постоянной, если он применяется к однородной поверхности проводника (например, к отдельной кристаллической плоскости) и если температурный коэффициент работы выхода для данной поверхности известен. В тех же случаях, когда применяются поликристаллические или другие неоднородные эмиттеры, наклон кривой Ричардсона для нулевого поля не так легко связать с какой-нибудь физической величиной, а получаемые значения эмиссионной постоянной не связаны определенной зависимостью с универсальной постоянной А, хотя иногда наблюдаются удачные совпадения. Ситуация для полупроводников еще более сложная, когда дело доходит до интерпретации результатов, и не существует удовлетворительной модификации теории термоэлектронной эмиссии для полупроводников. [c.199]

Сравнительно недавно появились результаты измерений работы выхода отдельных кристаллических плоскостей вольфрама, полученные методом холодной эмиссии, столь же многочисленные, как и полученные с помощью термоэлектронной эмиссии. К сожалению, этот метод сталкивается, по-видимому, с большими трудностями, чем любой другой, и поэтому результаты нескольких ранних экспериментов должны игнорироваться, поскольку не все трудности в свое время были правильно оценены авторами. Под эту категорию подпадают работы Бекера [50], Уилкинсона [51] и Дайка и др. [52]. Все эти исследователи применяли разновидности простого по существу метода, состоящего в измерении яркости различных областей фосфоресцирующего экрана, соответствующих различным кристаллографическим направлениям острия эмиттера. Световая отдача фосфора калибровалась в единицах тока, падающего на единицу площади, для соответствующей области энергий электронов согласно теории Ноттингема [53]. В то время как правильность самой калибровки не вызывает сомнений, трудно быть уверенным в том, что свет, испускаемый некоторой областью экрана, целиком обусловлен возбуждением электронов с эмиттера, а не имеет какое-нибудь другое происхождение. Фактически во всех трех упомянутых выше экспериментах имелась возможность свечения экрана не только под действием вторичных электронов и мягких рентгеновских лучей, испускаемых различными областями трубки, но и под действием света, испущенного яркими облас- [c.226]

Термоэлектронной эмиссией называется испускание электронов твердыми или жидкими телами при их нагревании. Для электрического тока в вакуумированной газоразрядной трубке имеет значение термоэлектронная эмиссия из нагретого катода. Электроны, испускаемые нагретым телом, называются термоэлектронами, а само тело — эмиттером. [c.237]

Зависимость плотности термоэлектронного тока ] от напряжения V между эмиттером и анодом (зо — ток насыщения). [c.757]

Термоионные топливные элементы. Предложение Уилсона [27] о прямом преобразовании тепловой энергии в электрическзгю методом термоионной эмиссии вызвало большой интерес, так как давало возможность использовать ядерный материал либо в виде термоионного катода, либо в качестве ядерного топлива для термоэлектронных эмиттеров, изготовленных из тугоплавкого металла. [c.456]

Более горячую пластину термоэлектронного преобразователя (эмиттер) называют также катодом, а более холоявую = aHOgOM [c.412]

При А. э. электроны преодолевают потенц. барьер на границе эмиттера, не проходя над ним за счёт ки-нетич. энергии теплового движения, как при термоэлектронной эмиссии, а путём туннельного просачивания сквозь барьер, сниженный и суженный электрич. полем. Электронная волна (см. Волны де Бройля), встречая на пути потенц. барьер, частично отражается и частично проходит сквозь него (рис. 1), По мере увеличения внешнего ускоряющего поля понижается высота потенц. барьера над уровнем Ферми Sp. Од-новрем, уменьшается ширина барьера. В результате [c.22]

ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ — испускание электронов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум или др. среду. Выйти из тела могут только те электроны, энергия к-рых больше энергии покоящегося вне эмиттера электрона (см. Работа выхода). Число таких электронов (обычно это электроны с энергиями > I эВ относительно ферми-уровня в эмиттере) в условиях термодинамич. равновесия в соответствии с Ферми—Дирака распределением ничтожно мало при темп-рах ГяаЗОО К и экспоненциально растёт с Г. Поэтому ток Т. э. заметен только для нагретых тел. [c.99]

Термоэлектронная эмиссия иэ полупроводнииов. Ф-ла ( ) применима и для описания Т. э. из полупроводников. Однако влияние темп-ры, электрич. поля, примесей в эмиттере и т. п. на эмиссионный ток и на величины Ф и А в этом случае существенно иное по сравнению с металлами. Различия обусловлены малой концентрацией электронов проводимости и наличием локализованных поверхностных электронных состояний, влияющих на расположение уровня Ферми gj на поверхности полупроводника, вплоть до его закрепления в нек-рой точке запрещённой зоны (см. Поверхностные состояния. Поверхность). При этом на поверхности полупроводника и Ф почти (с точностью до величин 0,1 эВ) не зависят от в объёме (т. е. от типа и концентрации легирующей примсси). Такое закрепление связано с поверхностными состояниями достаточно большой О 10 см ) концентрации, ивдуцированными в основном собств. дефектами кристалла, возникающими при воздействии на полупроводник разл. внеш. факторов, таких, как адсорбция, механич., термич. обработка и др. В этом случае характер Т. э. аналогичен Т. э. из металлов. [c.101]

Поэтому крайне желательно найти эмиттеры, дающие более ВЫСОК 10 плотность эмиссии, чем вольфрамовые катоды. Одна из очевидных возможностей — использовать автоэлектронную эмиссию. Бенджамин и Дженкинс [7] иашли, что в течение длительного времени можно получать плотности тока, по крайней мере в 1000 раз более высокие, чем в случае термоэлектронной эмиссии вольфрама. Это позволило бы уменьшить время экспозиции до секунд вместо часов. Однако необходимо проделать еще большую исследовательскую работу, чтобы ирисиособить эти очень чувствительные точечные катоды к разборным устройствам, Кроме того, поскольку скорости электронов около этих [c.295]

ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ — испускание электронов нагретыми твердыми (реже жидкими) телами, происходящее в результате теплового возбуждении электронов в этих телах. Для большинства эмиттеров Т. э. наблюдается при темп-рах, значительно более высоких, чем комнатная (так, для получении Т. э. заметной величины бол1.шинство тугоплавких металлов необходимо нагревать до темн-ры 2000-2500° К). [c.173]

Явление Т. э. можно рассматривать как испарение электронов из эмиттера. При Т. э. на испарение (эмиссию) термоэлектронов затрачивается тенлота, тем большая, чем больше работа выхода эмиттера, аналогичная теплоте испарения атомов или молекул. Равновесие между выходом термоэлектронов из эмиттера и их обратной конденсацией наступит при наличии пад поверхностью этого эмиттера электронного газа определенной плотности, аналогичной плотности насыщенного пара при испарении атомов или молекул. Термодинамич. рассмотрение системы эмиттер — равновесный электронный газ над ним, также дает возможность получить выражение для / (Т). Ото рассмотрение не содержит к.-л. предиоложении о свойствах электронов внутри эмиттера, по требует знания свойств электронного газа иад эмиттером. Если рассматривать этот газ как идеальный (законность этого можно обосновать почти для всех известных эмиттеров), то на основе термодинамики так е получают ур-ние (2), из к-рого видно, что Т. э. тела при заданной темп-ре определяется работой выхода ф и средним коэфф. прохождения термоэлектронов (1 — г) через границу эмиттер — вакуум последний близок к 1 и не сильно отличается у различных эмиттеров, поэтому основной характеристикой тер-люкатода является его работа выхода. [c.174]

Ток Т. э. металлич. термокатода определяется мгновенными значениями его темн-ры и коллекторного потенциала 7 для нек-рых нолунроводниковых эмиттеров (ианр., оксиднобариевого) это не имеет места. При наложении на коллектор ускоряющего паиряжепия сила тока Т. э. такого катода в первый момент имеет максимальное значение, а затем уменьшается со временем, стремясь к нек-рому предельному значению. Поэтому ток Т. э. катода за время достаточно кратковременного импульса коллекторного напряжения может значительно превышать стационарное значение, измеряемое нри наложении постоянного напряжения. Спады тока Т. э. вызываются, во-первых, отравлением поверхности оксидного катода веществами, выделяющимися с поверхности коллектора при бомбардировке его термоэлектронами, [c.174]

Вследствие нек-рых трудностей измерения определяемой так Р. в. (т. н. истинной Р. в.), в лит-ре фигурируют также под названием Р. в. и неск. иные величины. Напр., термоэлектронные методы определения Р. в. основываются на ур-иии Ричардсона — Дешмана, связывающем измеряемые на опыте плотности тока насыщения термоэмисснн и темп-ру эмиттера Т с истинной Р. в. ф [c.261]

Рпчардсонова термоэлектронная постоянная данной поверхности эмиттера) может быть и больше, и меньше Ац. Д. я металлов величина а 10 в/град п фр [c.261]

Рис.5.6. а. Принцип фотоэлектронной спектроскопии. 1 — исследуемый полупроводниковый кристалл (эмиттер), 2 — вакуумный про.межуток, 3 — металлический коллектор. Г, Гс — энергии Ферми в эмиттере и коллекторе Ф и Ф с— величины термоэлектрон юй работы выхода из эмиттера и коллектора — "задерживающее" напряжение между эмиттером и коллектором Еу с энергия электрона в вакууме у поверхности эмиттера, б. Принцип двухступенчатой фотоэлектронной спектроскопии. Кристалл облучается "тестирующими" квантами с энергией и мошной возбуждающей "подсветкой" (энергия квантов < М<) [c.164]

Поверхности большинства эмиттеров, для которых экспериментально измерялись константы термоэлектронной эмиссии, были очень далеки от однородных. Вообще говоря, они имели неизвестное число пятен в неизвестных местах с неизвестными значениями работы выхода. В этих условиях Херринг и Никольс выделяли и рассматривали два главных предельных случая [c.197]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...