Плазменных колебаний затухание частота

Полюс соответствует так называемым плазменным колебаниям электронов. Так же как и в случае плазменных колебаний ионов, частота почти не зависит от длины волны. Дисперсия колебаний выражается малой добавкой. Затухание колебаний может быть получено так же, как и в предыдущем случае, если учесть экспоненциально малый вклад от обхода полюса в преобразованном интеграле (22.11). Оно оказывается про-2 [c.254]

Полученные здесь результаты еще не полны, ибо в действительности возможно затухание плазменных колебаний. Для того чтобы выявить такую возможность, обратим внимание на тот факт, что в силу использования преобразования Лапласа по времени формула (29.11) определена для комплексных значений частоты U) с положительной мнимой частью. В нашем решении дисперсионного уравнения при пренебрежении тепловым движением частота плазменных колебаний оказалась чисто действительной. Поэтому можно предполагать, что для достаточно больших фазовых скоростей затухание плазменных воли может быть лишь малым. [c.110]

Для тех частот, которые присуши плазменным колебаниям, величина (ОТ всегда достаточно велика, поэтому переход от (3.35) к (3.36) оправдан. Небольшая мнимая часть в диэлектрической проницаемости описывает затухание плазменных колебаний, или, что то же самое, уширение энергии этих возбужденных состояний системы. При значительно более низких частотах (например, ш С 10 ) мнимая часть преобладает в этом случае физически более правильным будет, по-видимому, описание отклика системы в терминах проводимости, которая, как мы увидим, непосредственно связана с диэлектрической проницаемостью. [c.323]

Частоты и затухание плазменных колебаний 1) [c.160]

ЧАСТОТЫ Й ЗАТУХАНИЕ ПЛАЗМЕННЫХ КОЛЕБАНИЙ [c.161]

ЧАСТОТЫ и ЗАТУХАНИЕ ПЛАЗМЕННЫХ КОЛЕБАНИЙ 1 бЗ [c.163]

Рис. 195. График зависимостей от величины волнового вектора к собственной частоты n/wo и затухания 7/wq плазменных колебаний

В слабоионизованном газе затухание плазменных колебаний обусловлено столкновениями электронов с нейтральными молекулами газа. В этом случае величина Irn со в (3.31), ответственная за затухание плазменных колебаний, порядка частоты v ir столкновений электрона с нейтральными молекулами. Величина т представляет собой время свободного пробега электрона н дается оценкой (1.4), откуда [c.55]

Выраисение (56.3) представляет собой интеграл столкновений Ландау и отвечает учету лишь парных соударений заряженных частиц. Формула (56,4) содержит вклад, обусловливаемый пла.-шенными колебаниями. Поскольку частота плазменных волн определяется из условия обращения в нуль действительной части диэлектрической проницаемости, то в условиях малости затухания плазменных колебапий в окрестности е = О, лшжно воспользоваться следующим соотношением [c.241]

При вычислении затухания по формуле (18.8) в качестве о) сюда следует подставить (вещественную ) частоту плазменных колебаний Таким образом, условие обращения знаме- [c.168]

В-четвертых, в отличие от металлов, периоды плазменных колебаний в полупроводниках (при типичных концентрациях электронов) обычно сравнимы с временами свободного пробега (обусловленными рассеянием на фононах, примесях и т. д.) или, во всяком случае, не слишком превосходят их. Поэтому плазменные частоты, которые мы вычислим из уравнещя (18.7), фактически представляют собой лишь центры тяжести довольно широких линий, а трактовка затухания не может быть достаточно полной без учета взаимодействия носителей тока с фононами. примесями и т. д. [c.180]

Плазмоны представляют собой продольные колебания и для их возбуждения использовались электронные пучки. Поскольку свет представляет собой поперечные электромагнитные колебания, он возбуждает плазменные колебания только в особых условиях. Так, В. Штейнман показал, что в тонких пленках возможна передача импульса по поверхности, благодаря чему возбуждаются плазменные колебания. Для электронного газа со слабым затуханием для частот [c.255]

Интересными особенностями обладают Н. я. в п., связанные с фазовой памятью частиц, напр. явление плазменного эха. Суть его состоит в следующем. Возбуждённая в к.-л. точке пространства ленгмюровская волна затухает при распространении вследствие затухания Ландау. В любой точке, где первая волна уже затухла, возбудим на другой частоте другую волну, к-рая также затухнет на определ. расстоянии. После затухания первой и второй волн через определённые пространственные интервалы можно наблюдать вспышки ВЧ-колебаний на комбинац. частотах, это и наз. плазменным эхом. Появление эха можно пояснить на простом примере. Если в точке г — О внеш. источником возбуждается электрич. поле с частотой oi tOj (напр., с шмощью сетки), то это поле модулирует тепловые патоки частиц так, что ф-ция распределения электронов пропорциональна б/i exp[ i ji(i — з/е) . Такое распределение электронов создаёт эле1 трич. поле лишь в районе г = О и нуль во всём остальном пространстве. Если в точке z — d стоит аналогичная сетка, модулирующая потоки частиц с другой частотой (Oj > соо, тогда б/а ехр гсОг[< — (г — d)lv . Здесь также из-за быстрых осцилляций ф-ции распределения поле всюду, кроме z — d. отсутствует. Однако нелинейный отклик ф-ции распределения, который пропорционален б/ -б/з, даёт ненулевое поле в точке Z — —(Oj), т. к. здесь зависимость от скорости [c.317]

Методика измерения инфракрасного излучения аналогична используемой для видимого излучения, за исключением чувствительных элементов. Применялись фотосопротивления на основе антимонида индия, помещенные в сосуд Дьюара с окном иэ сапфира и охлаждаемые жидким азотом. В основном излучение имело длину волны менее 2 мкм. Изучение следа за объектами малого диаметра производится с помощью микроволновых зондов с длиной волны, достаточно малой для обеспечения необходимого пространственного разрешения. Частота микроволновых колебаний должна превосходить плазменную частоту по крайней мере на два порядка. Так как на распространение электромагнитных волн влияет концентрация и частота столкновений электронов, то для их определения необходимо измерять затухание амплиту- [c.146]

Мы видели, однако, что для волн в холодной плазме существуют области частот, в которых отношение становится сколь угодно большим (окрестности плазменных резонансов). Но при к— оо условия (52,17) заведомо нарушаются, так что учет теплового движения становится необходимым. Покажем теперь, что учет теплового движения уже как малой поправки в диэлектрической проницаемости устраняет расходимость корней дисперсионного уравнения и приводит к некоторым качественно новым свойствам спектра колебаний плазмы Б. Н. Гершман, 1956). При этом, как мы увидим, все еще могут быть выполнены условия, обеспечивающие экспоненциальную маЛость затухания Ландау, так что антиэрмитовой частью можно по-прежиему пренебречь. Будем для определенности говорить об окрестности высокочастотных плазменных резонансов, где достаточно учесть тепловое движение лишь электронов. [c.287]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...