Ненасыщенные электроны

Детальное обсуждение перечисленных вопросов, которые рассматривались в связи с формой ненасыщенной электронной резонансной линии [10], выходит за рамки настоящей книги. Мы удовольствуемся кратким обзором некоторых результатов, которые могут быть легко получены, если для вычисления электронной намагниченности внутри металлического образца с размерами, большими глубины скин-слоя, использовать совместно уравнения Максвелла и дополненные диффузионным членом уравнения Блоха последние описывают движение электронной намагниченности [см. (111.44)]. При этом диффузионная постоянная В относится к электронам проводимости. [c.350]

Для действия лазера необходимо не только эффективное заселение верхнего уровня рабочего перехода, но и быстрое опустошение нижнего уровня. В Не—Не-лазере нижние уровни 2р и Зр опустошаются в основном вследствие спонтанных переходов на уровни 1л. Вероятность этих переходов достаточно велика. Так, время жизни уровня 2р и большинства других уровней 2р составляет всего 2-10 с. Однако эффективному опустошению р-уров-ней может препятствовать значительная населенность уровней 1л. Два из них являются метастабильными, но и остальные опустошаются очень медленно вследствие пленения резонансного излучения. Поглощение излучения, испускаемого при спонтанных переходах с уровней 2р и Зр, атомами, находящимися на уровнях 1л, приводит к дополнительному заселению уровней 2р и Зр. Еще большую роль в заселении этих уровней играет электронное возбуждение с уровней 1л, эффективное сечение которого очень велико. Вследствие этого необходимым условием создания инверсной населенности является не слишком высокая концентрация атомов на уровнях 1л. Опустошение этих уровней происходит в основном при столкновениях со стенками разрядной трубки, к которым диффундируют возбужденные атомы. Процесс диффузии протекает тем быстрее, чем меньше диаметр трубки. Именно этим объясняется экспериментально установленная зависимость ненасыщенного коэффициента усиления от диаметра разрядной трубки [c.304]

Оказывается, что тяжелые частицы вызывают большие разрушения, чем первичные и вторичные электроны, вследствие большей местной концентрации радикалов ОН, приводящей к увеличению количества образующегося Н Ог. Реакции благоприятствует также отвод выделяющихся газов. При бомбардировке ненасыщенных углеводородов электронами уменьшается выход газообразных продуктов и возрастает выход полимеров. [c.225]

Ион-атомы, находящиеся на поверхности металла, испытывают только одностороннее воздействие более удаленных от поверхности ион-атомов и электронов. Поэтому поверхностные ион-атомы металла имеют ненасыщенные свободные связи, за счет которых на поверхности металла могут удерживаться (адсорбироваться) молекулы, ионы и атомы. Поверхность металла даже при самой тщательной обработке не является совершенно однородной и гладкой, вследствие чего различные участки поверхности обладают различной адсорбционной способностью. [c.23]

С учетом изложенного выше можно представить следующий механизм адсорбции непредельных соединений на металлах. Металлы подгруппы железа характеризуются вакансиями в i-зоне и имеют тенденцию к заполнению этих вакансий электронами адсорбата. Соединения с ненасыщенными связями в процессе адсорбции из газовой фазы образуют я-комплексы при суммарном переносе электронов от ПАВ к металлу [46]. Не исключено и образование связи по типу ковалентной. [c.101]

Все сказанное выше имеет место и при адсорбции ненасыщенных ПАВ из растворов [46]. Ацетиленовые комплексы, образующиеся при адсорбции С = С-соединений, стабилизируются на поверхности как я-связями, так и водородными связями [113]. Адсорбция непредельных ингибиторов на поверхности переходных металлов может происходить не только за счет донорно-акцепторного взаимодействия, когда электроны я-связи переходят на вакантные орбитали металла. Определенную роль в адсорбции должен играть и такой механизм взаимодействия ингибиторов с поверхностью металла, когда электроны переходят на вакантные орбитали С = С- или С = С-связей. [c.101]

Дислокации подобно примесным атомам и собственным точечным дефектам могут создавать дополнительные электронные состояния в запрещенной зоне. Например, при наличии краевой дислокации атомы, образующие край атомной полуплоскости (линию дислокации), имеют ненасыщенные связи. Неспаренные электроны атомов с оборванными связями приводят к появлению дополнительных состояний. При этом возможны два случая [c.109]

Известно, ЧТОБ рассматриваемом интервале температур (О-4-30°С) коэффициент сегнетовой соли с повышением температуры уменьшается линейно — приблизительно на 0,0014 (0,8 ). Это позволяет оценить значение Жп = 1,5-10" . Доля ложного электрооптического эффекта при этом в сегнетовой соли пренебрежимо мала. Коэффициент на три порядка превышает коэффициенты для ВаТЮз и КН2РО4, что свидетельствует об исключительной ненасыщенности электронной поляризуемости в кристаллах сегнетовой соли в направлении сегнетоэлектрической оси. [c.205]

Если сопряжены тройные связи, как, например, в диацетилене (НС = С — С = СН), то возникают подобные же эффекты делокализации. В данном случае будет восемь ненасыщенных электронов, и отличие от того, что дает элементарная модель валентности, становится более ощутимым, чем в случае бутадиена. Межъядерное расстояние С — С для простой связи оказывается равным только 1,376 А (Калломон и Стойчев [179]). [c.417]

В металле свободные электроны определяют не только электрические и другие свойства, но и кристаллическую структуру. Наличие свободных электронов обусловливает ненаправленный и ненасыщенный характер металлической связи. Большинство металлов кристаллизуется в структурах, отвечающих плотнейшей шаровой упаковке атомов с максимальными координационными числами, равными 12 (ГЦК- и ГПУ-решетки). Ряд металлов также кристаллизуется в виде простых ОЦК-структур с координационным числом 8. Рдин и тот же элемент в зависимости от внешних условий может кристаллизоваться в виде различных структур (явление полиморфизма). Например, Li и Na при низких температурах образуют плотноупакованную гексагональную решетку, а при комнатных — кубическую объемно-центрированную. Практически многие металлы обладают свойством полиморфизма. [c.84]

Для очень сильных линз необходимы высокие значения магнитной индукции. Это с неизбежностью ведет к уровням возбуждающих токов и размерам полюсных наконечников, попадающим в область режима насыщения. При Л />1000з (зазор выражен в миллиметрах) следует быть готовым к учету насыщения. Если большая катушка практически полностью экранируется массивной ферромагнитной системой, аксиальная составляющая магнитной индукции будет почти полностью определяться намагниченностью полюсных наконечников. Однако когда относительная проницаемость падает ниже 100, в вычислениях следует строго учитывать геометрию магнитной системы и обмоток. Железные поверхности не являются более эквипотенциальными, и падения магнитного потенциала в различных частях материала следует аккуратно вычислять. Если только малые области полюсных наконечников достигают насыщения, линза может хорошо работать [85], даже с некоторым улучшением по сравнению с ненасыщенным режимом [89]. В этом случае удобно характеризовать распределение магнитной индукции ее максимальным значением и полушириной (расстоянием, на котором индукция уменьшается вдвое по сравнению с максимумом). Эти величины могут быть выражены через уровни возбуждающих токов и геометрические параметры полюсных наконечников. Этот подход делает возможным использование простых моделей магнитных линз (см. гл. 8) для анализа электронно-оптических свойств при не очень высоких значениях магнитной индукции. [c.120]

Осцилляционная теория цветности м. б. согласована с теорией ненасыщенности как причины цветности во время осцилляции электронов внутри молекулы связи МСН1ДУ атомами оказываются периодически на некоторое время порванными, следовательно атомы в этот период являются ненасын(енными, т. е. обладают повышенным уровнем энергии. [c.203]

Прежде всего можно исключить из рассмотрения случай, когда парамагнитные атомы (или моны) образца являются малыми примесями, концентрации которых таковы, что мгновемное поле электронов будет меньше ядерного локального поля для всех ядер, за исключением небольшого числа расположенных в непосредственной близости от парамагнитной примеси. Хотя эти примеси и играют важную роль в механизме спин-решеточной релаксации системы, адерных спщов, как будет показано в гл. IX, их влияние на положение энергетических уровней системы и на форму ненасыщенной линии ядерного резонанса пренебрежимо мало. [c.188]

Для атомов металлов характерно образование структур, в которых число связей превышает число валентных электронов, т. е. металлическая связь является ненасыщенной. При такой свя и существует стремление к образованию структур плотнейших (типа шаровых) и плотных упаковок. РсноТвные и характерные для металлов свойства — высокая электропроводность и металлический блеск свидетельствуют о том, что валентные электроны обобществляются и могут двигаться в объеме всего кристалла. С особенно стями структуры атомов металлов и, в частности, с наличием свободных электронов, движущихся по всему объему кристалла, связана большая, чем в кристаллах неметаллических соединений, подвижность различных дефектов кристаллической решетки (точечных и линейных дислокаций). [c.10]

Беспарафиновый лак ПЭ-2121 — раствор ненасыщенной полиэфирной смолы в стироле с добавками азросила и ускорителя полимеризации. Лак однокомпонентный электронного отверждения. [c.266]

Смотреть страницы где упоминается термин Ненасыщенные электроны : [c.103] [c.415] [c.415] [c.742] [c.350] [c.75] [c.57] [c.651] [c.209] [c.71] [c.22] [c.29] [c.32] [c.58] [c.98] [c.101] [c.419] [c.184] [c.77] [c.34] [c.109] [c.109]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...