Рассеяние на границах при высоких температурах

Для практической термометрии интерес представляют переходные металлы, имеющие частично заполненные -уровни, а также з-уровни (символы з и соответствуют значениям орбитального квантового числа О и 2 см. [6]). Поскольку -электроны более локализованы, чем з-электроны, проводимость обусловлена главным образом последними. Однако вероятность рассеяния 3-электронов в -зону велика, поскольку плотность -состояний вблизи уровня Ферми высока (рис. 5.5), поэтому удельное сопротивление переходных металлов выще, чем у непереходных. Наличие -зоны влияет также на характер температурной зависимости. При высоких температурах величина кТ может быть уже не пренебрежимо мала по сравнению с расстоянием от уровня Ферми до верхней или нижней границы -зоны. Предположение, что поверхность Ферми четко разделяет занятые и незанятые состояния, перестает быть верным, и для параболической -зоны в формулу удельного сопротивления вводится поправочный коэффициент (1—5Р), где В — постоянная. Однако плотность состояний в -зоне вовсе не является гладкой функцией энергии (рис. 5.5), поэтому эффект будет осложнен изменением плотности состояний в пределах кТ от уровня Ферми. Отклонение температурной зависимости от линейной может быть как положительным, так и отрицательным. [c.194]

Влияние термической обработки на жаропрочность сплавов происходит в результате дисперсионного твердения. Дисперсионное твердение связано со старением пересыщенных твердых растворов, сопровождающимся выделением мелкодисперсных включений упрочняющих фаз (карбидов, нитридов). Эти упрочняющие фазы присутствуют как в виде раздробленных крупных частиц по границам зерен, так и в виде равномерно рассеянных внутри зерен мельчайших частичек (рис. 13.5), повышающих сопротивление пластической деформации при высоких температурах, т. е. повышающих жаропрочность. [c.202]

Когда измерения были распространены до температур, значительно более низких, чем в, то были найдены следующие разновидности поведения теплопроводности с изменением температуры а) х увеличивается быстрее Т с уменьшением температуры, пока не достигается максимальное значение при более низких температурах к примерно пропорциональна теплоемкости. Это можно объяснить процессами переброса, а при самых низких температурах рассеянием на границах б) х изменяется как или медленнее. С уменьшением температуры достигается максимум при более низких температурах теплопроводность определяется рассеянием на границах. Тепловое сопротивление выше температуры максимума, по-видимому, обусловлено дефектами в) в поликристаллах тепловое сопротивление, обусловленное границами кристаллитов, увеличено и максимум смещен к более высоким температурам. [c.249]

Заметим в заключение, что большие усилия и большие успехи в области механики распространения трещин привели к тому, что зачастую к ней сводится вся механика разрушения. На самом деле предмет механики разрушения гораздо шире. В ряде случаев, например, в металлах под действием нагрузки при высокой температуре, разрушение носит рассеянный характер, во всем объеме на границах зерен накапливаются поры, сливаются между собой и наконец объединяются в макротрещину. Здесь макротрещина — это лишь последний, видимый результат скрытого от невооруженного глаза, но хорошо видного даже под оптическим микроскопом процесса накопления повреждений. По-видимому, аналогичный характер разрушения наблюдается в некоторых полимерах, по здесь для обнаружения микроповреждений необходимы более тонкие методы. [c.12]

При достаточно высоких температурах и-процес-сы происходят столь часто, что дают главный вклад в тепловое сопротивление, в то время как при достаточно низких температурах необходимо учитывать только рассеяние на границах. В промежуточной области важны как П-процессы, так и рассеяние на границах кристалла. Для очень немногих кристаллов имеется также область температур, где внутренние резистивные процессы несущественны и где преобладают Ы-процессы, которые вместе с рассеянием на границах определяют теплопроводность. [c.70]

Фонон имеет определенный средний свободный пробег Лф. При достаточно высоких температурах значение зависит в основном от фонон-фононного рассеяния, а также (хотя и в меньшей степени) от рассеяния на примесных атомах. При низких температурах преобладающим является рассеяние на примесных атомах и на границах кристалла. Фононная составляющая теплопроводности металла [c.464]

Аналогичная картина должна наблюдаться и у аморфных диэлектриков, у которых размеры областей правильной структуры по порядку величин сравнимы с атомными. Рассеяние фононов на границе таких областей должно преобладать при всех температурах, и поэтому не должна зависеть от Т. В силу этого у таких диэлектриков коэффициент теплопроводности должен быть пропорционален в области низких температур и не зависеть от Т в области высоких температур, что и имеет место в действительности. [c.140]

На фиг. 8.1 приведены экспериментальные и теоретические результаты для ЫР последние были вычислены по методу Каллуэя. Теоретическое значение скорости релаксации для рассеяния на границах (при предположении абсолютной шероховатости поверхностей кристалла) можно получить по известным размерам поперечного сечения и средней скорости фононов экспериментальное значение можно определить по поведению теплопроводности при самых низких температурах. Разница между этими двумя значениями была мала. При более высоких температурах становится существенной роль изотопов и П-про-цессов соответствующие релаксационные времена выбираются так, чтобы их комбинация приводила к наилучшему описанию как формы экспериментальных кривых, так и расстояния между ними. Такая процедура является в значительной степени произвольной, однако для кристалла ЫР можно показать, что если рассеяние на атомах изотопа описывается классическим рэлеевским выражением (8.1), то время релаксации для П-процессов подчиняется закону [c.125]

Возможно также пытаться приписать максимум увеличению решеточной проводимости в сверхпроводяш ем состоянии. Однако по крайней мере для одного образца свинца [86]. эта возможность исключается результатами измерений Олсена и Рентона [134] (па. этом же образце). Они обнаружили, что при наинизших температурах -/.д определяется рассеянием на границах отсюда можно было оценить верхний предел для при более высоких температурах он оказался слишком мал, чтобы объяснить появление максимума вблизи 3° К. [c.300]

Для достаточно совершенных кристаллов теплопроводность при высоких температурах определяется главным образом и-процессами, а при низких — рассеянием на границах. Поэтому дефекты сильнее всего влияют на теплопроводность в области ее максимума, где эти процессы вносят малый вклад. Если, однако, кристаллы выращены не очень тщательно и не из очень чистых веществ, то дефекты могут сильно влиять на теплопроводность в щирокой области температур. [c.109]

Таким образом, коррозия в условиях контролируемого потенциала проявляется так же, как и на аноде в ванне в растворе хлористого натрия 9, 11]. Такие испытания имеют большие преимущества,, заключающиеся в тохм, что они позволяют обойтись без последующей механической обработки поверхности, которая необходима при анодном испытании для удаления сильно и равномерно корродированных поверхностных слоев. Кроме того, потенциостат дает возможность получить и другие данные. Так, например, весьма примечательно, с точки зрения механизма сенсибилизации, что кривые поляризации -сплава, подвергнутого закалке, и сплава, подвергнутого отпуску при 220° С, так близки между. собой, хотя первый сплав представляет собой однородный раствор с содержанием 7% магния, а микроструктура второго сплава характеризуется наличием обильного осадка фазы А зМ 2, рассеянного в твердом растворе, сильно обедненном в отношении содержания магния. Отсюда ясно, что эта фаза, осаждающаяся преимущественно на межповерхностных границах зерен, характеризуется потенциалом растворекия, мало отличающимся по величине от потенциала растворения основной массы сплава. Другими словами, вопреки мнению, которое долгое время было широко распространенным [12], различие между стабилизированным (отпуск при высокой температуре) и сенсибилизированным состоянием (отпуск при низкой температуре) не сводится только к вопросу о форме осадка на межповерхно-стных границах между зернами дискретных элементах или жемчужинах в первом случае и непрерывной пленке — во втором. Впрочем, исследования с помощью электронного микроскопа уже привели к тому же самохму выводу [9]. [c.266]

Основной качественный вывод статьи сводится к отрицательному ответу на сформулированный в п. 1 центральный вопрос теории ПЭ нейтрино (см. (2)) существуют ли равновесные среды, в которых эта величина существенно превышает столкновительный предел (1), отвечающий рассеянию нейтрино на изолированных неподвижных частицах среды Соответствующее отношение г] (см. п. 8), как это следует из найденной в статье строгой и универсальной верхней границы ПЭ нейтрино, равно 1 при высокой энергии нейтрино, а при меньших энергиях не превышает 1 (для мюопного нейтрино) и величины, меняющейся от 0,6 до 2,8 (для электронного нейтрино). Этот вывод исключает возможность существования среды, аномально сильно тормозящей нейтрино. Сказанное непосредственно относится к холодным средам, но не вызывает сомнения, что учет температуры среды качественно не изменит ситуации. [c.231]

Ханевелл и др. [41] описали аппаратуру, использованную ими для широкой серии измерений на жидком аргоне при различных давлениях с верхней границей 98 атм. Основной деталью этой системы является бериллиевая ячейка для исследуемой жидкости, выполненная в форме цилиндрического капилляра, т. е. в форме, наиболее удобной при высоких давлениях. Такая ячейка могла в принципе выдержать давление в 600 атм. При использовании этой ячейки ж соответствующего криостата однородность и стабильность температуры достигали 0,06 °С, а стабильность давления составляла 0,07 атм. У данной установки имеются два важных недостатка. Во-первых, в этом случае возникает проблема разделения сравнительно сложно связанных эффектов, вызванных рассеянием и поглощением излучения в ячейке и в образце во-вторых, при некоторых углах имеются сильные пики рассеяния от самой ячейки. Задачу [c.42]

Важнейшим следствием взаимодействия магии гного иона с электронами проводимости является так называемый эффект Кондо, который заключается в существовании при низких температурах минимума на кривой температурной зависимости удельного сопротивления магнитных сплавов с малой концентрацией магнитных ионов. Этот минимум наблюдался в сплавах Си, Ag, Au, Mg, Zn с примесями r, Mn, Fe, Mo, Re и Os (b кристалле могут присутствовать и другие примеси). Происхождение минимума связывается с обязательным наличием локальных магнитных моментов атомов нримеси. Кондо показал, что аномально высокая рассеивающая способность магнитных ионов при низких температурах является особым следствием динамической природы рассеяния и того обстоятельства, что поверхность Ферми имеет при низких температурах четко очерченные границы. Температурная область, в которой эффект Кондо существен, показана на рис. 19.23. Сколько-нибудь несложного физического объяснения этого эффекта пока не существует, однако первая работа [25] по этому вопросу вполне доступна для понимания. [c.682]

Фрнон имеет вполне определенный средний свободный пробег Лф, причем и достаточно высоких температурах значение Лф зависит главным образом от фо-я-фононного рассеяния, а также, хотя и в меньшей степени, от рассеяния на при- ных атомах при низких температурах преобладающим является рассеяние примесных атомах и на границах кристалла. Соответственно фононная состав-ющая теплопроводности равна [c.117]

Удельное электросопротивление субмикрокристаллических Си, Ni и Fe, полученных методом равноканального углового прессования, изучено в работах [90-92]. Средний размер зерен в СМК металлах составлял от 100 до 200 нм. При 80 К удельное сопротивление СМК-Си почти в 2 раза больше, чем р крупнозернистой меди. Повышенное электросопротивление СМК-Си обусловлено более высоким коэффициентом рассеяния г электронов на неравновесных границах зерен для СМК-Си (г = О, 29-0,32 вместо г = О, 24 для равновесных границ в крупнозернистой меди). Согласно [93] повышение коэффициента г связано с искажениями трансляционной симметрии, вызванными даль-нодействуюгцими полями напряжений, и динамическими возбужденным состоянием атомов в зернограничной фазе. В результате отжига при 420-470 К происходит резкое падение р при дальнейшем повышении температуры отжига р медленно пони- [c.169]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...