Кулоновские комплексы

Поскольку процесс образования и разрушения комплекса происходит в течение ограниченного промежутка времени (не более 1—2 мин), то капиллярными силами можно пренебречь (см. 17). Кулоновские силы также ничтожны (см. 16). [c.383]

Введение. Хорошо известно, что взаимодействие составной частицы (комплекса), в состав которой входят заряженные частицы, с бесструктурной заряженной частицей или с другим комплексом не исчерпывается кулоновским взаимодействием средних распределений заряда частиц-партнеров. Имеется еще дополнительное флуктуационное (поляризационное) взаимодействие (сокращенно ПВ), обусловленное виртуальной поляризацией комплекса. В случае двух взаимодействующих комплексов это взаимодействие проявляется как обычная сила Ван-дер-Ваальса. [c.320]

Общие соотношения. В этом пункте рассматриваются исходные соотношения общего характера, относящиеся к ПВ частицы и комплекса (ПВ двух комплексов, менее чувствительное к эффектам отдачи, обсуждается в конце статьи). Для простоты предполагается, что комплекс находится в основном состоянии, которое имеет максимальную симметрию, и, в частности, отвечает нулевому среднему значению дипольного момента. Масса комплекса считается большой по сравнению с массой внешней частицы т (даже в случае т > М), вследствие чего приведенная масса системы совпадает с величиной ш, а центр масс системы — с центром масс комплекса. Используется система отсчета, в которой этот общий центр масс покоится (векторы г и соединяющие его с внешней частицей и с г-й частицей комплекса, играют роль координат системы). Принимаются во внимание лишь кулоновские взаимодействия внешней частицы с частицами комплекса (не считая, конечно, взаимодействий, связывающих комплекс в единую частицу) эффекты запаздывания, проявляющиеся на больших расстояниях, не учитываются. [c.321]

Граница применимости формулы (1) определяется малостью орбитальной энергии возбуждения по сравнению с энергией возбуждения комплекса 5. Предполагая, что К и Ze /h (эти условия практически всегда выполнены), начнем со случая слабого кулоновского взаимодействия Я < Ао, к которому относится, в частности, ПВ частицы с нейтральным комплексом (рис. 1). В этом случае область применимости (1) (заштрихована) отвечает условиям [c.324]

Уже из проведенного качественного рассмотрения вытекает неполнота стандартной теории ПВ частицы и комплекса, применимость которой ограничена либо эффектами отдачи, либо сильным кулоновским взаимодействием (средним или флуктуационным) частицы и комплекса. В последующих пунктах статьи будет проведена соответствующая модификация этой теории, которая сводится к учету всех необходимых составляющих уравнения Шредингера (2) (а не только величины — Ео, см. начало этого пункта). [c.325]

Эта форма более предпочтительна в случае сильного и среднего кулоновского взаимодействия частицы и комплекса. [c.326]

В области Б на рисунках 1-3, где движение частицы имеет нерелятивистский характер и влиянием кулоновского поля комплекса можно пренебречь, потенциалу ПВ можно [c.326]

В заключение этого пункта будет рассмотрен поляризационный сдвиг уровня энергии в случае достаточно большого заряда комплекса, для которого условие (41) нарушено, а величина а может быть порядка единицы и даже большей. Этот случай реализуется, например, в мюонном мезоатоме, в состав которого входит среднее или тяжелое ядро. Для вычисления сдвига нужно использовать точные выражения для кулоновской волновой функции связанного состояния (для простоты мы ограничимся здесь наиболее важным 15-уровнем) и для функции Грина в кулоновском поле [10] [c.332]

К аналогичному выводу приводит анализ возможности образования комплекса, содержащего вакансию и атом примеси. В случае электрически неактивных дефектов образование такого комплекса уменьшает энергию упругих искажений решетки и поэтому энергетически выгодно. В случае заряженных примеси и вакансии дополнительный выигрыш энергии возникает еще и из-за кулоновского взаимодействия между заряженной вакансией и ионом примеси. [c.91]

ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ (нульмерные дефекты) — нарушения идеальной кристаллич. решётки, ограниченные одним или неск. узлами. Т.д. являются вакансии, дивакан-сии, межузельные атомы, а также комплексы примесных атомов с вакансиями, дивакансиями и межузельными атомами. Т.д. могут быть собственными и примеспыми. Упругое поле, созданное Т.д., может быть значительным в пределах области, охватывающей несколько постоянных решётки а, а кулоновское—несколько десятков постоянных а. [c.150]

Многочастичные экситонно-примесные комплексы могут служить центрами конденсации электронно-дырочной жидкости. Система неравновесных электронов и дырок в полупроводнике при низких темп-рах и достаточно малых концентрациях является диэлектрической благодаря образованию Э. и биэкситонов. С ростом плотности носителей заряда из-за экранирования кулоновского взаимодействия экситонный газ должен металлизоваться. При этом переход металл—диэлектрик происходит в том же диапазоне концентраций, что и переход экситонный газ — электронно-дырочная жидкость 1), [c.503]

Для подтверждения высказанного предположения проведена серия первопринципных расчетов нитридов А1, Оа, содержащих примесные комплексы ОаК (2Ве, 2Mg + О), (2Ве, 2Mg + 81), (2Ве, 2Mg + Н), (2С + О), АШ (2С + О), где примеси располагались в соседних узлах решетки матрицы [80—84]. Например, в системе GaN Mg изолированный дефект (Mg) генерирует набор локализованных состояний с энергией активации 0,2 эВ. Дополнительное введение химически активных донорных центров (О, Н) приводит к возникновению новых межатомных взаимодействий (в комплексах [2Mg(0, Н)]) и понижению энергии акцепторных примесных состояний по схеме рис. 2.13. Кроме того, указанные взаимодействия в значительной мере редуцируют энергию кулоновского отталкивания одноименно заряженных примесных ионов, увеличивая тем самым растворимость дефекта в матрице, что позволяет регулировать число носителей, а замена дальнодействующего кулоновского рассеяния на короткодействующее рассеяние на комплексах повышает их подвижность. [c.55]

Нужно, однако, иметь в виду, что для очень жесткого комплекса (при а < К/Ао) кулоновское вырождение по / в достаточной мере снимается уже благодаря отличию (4) от чистого кулона, т. е. из-за размазанности заряда комплекса. При этих условиях можно пользоваться первоначальным выражением (23). [c.328]

Накопительные кольца ISR пересекались в восьми точках под углом 15°. Ширина области пересечения 4—7 см, высота 2—3 мм (рис, 351). Детектирование частиц, рассеянных при их столкновении, производилось системой сцинтил-ляционных годоскопов, включенных в схему совпадений. На встречных протонных пучках первого церновского комплекса было изучено />р-рассеяние при Г до 31 ГэВ, что соответствует эквивалентной энергии в л.с.к. 2100 ГэВ. Измерения удалось довести до углов 0,06° (область интерференции с кулоновским рассеянием). [c.90]

Для анализа данных по насыщению нужно знать силу кулонов-ского притяжения между различными сортами зарядов, которые могут существовать в кристалле. Из экспериментов по насыщению можно получить не только электропроводность, но и время релаксации, необходимое для установления равновесия между процессами диссоциации и рекомбинации. Весьма трудно вычислить скорость образования пар заряженных комплексов в кристалле однако скорость рекомбинации была уже давно рассчитана Ланжевеном [13]. Она определяется движением заряженных комплексов под действием кулоновского притяжения. Скорость этого движения превышает скорость тепловой диффузии, если потенциальная энергия соседних соприкасающихся комплексов достаточно велика по сравнению с тепловой Энергией. Миграция комплексов становится значительной, когда преодолевается зависящий от скорости порог, т. е. когда комплексы могут быстро приходить в соприкосновение. В случае кинетики такого типа (кинетики Ланжевена) внешнее поле не оказывает влияния на скорость рекомбинации. Однако при этом скорость диссоциации будет возрастать под действием поля, если оно достаточно сильно, чтобы конкурировать с куло-новским взаимодействием на расстоянии, на котором потенциальная энергия взаимодействия сравнима с тепловой энергией. Такой эффект был рассчитан для поля, достаточно сильного, чтобы подавить все экранирующие эффекты в этом случае он примерно пропорционален абсолютной величине поля. Ожидаемое изменение тока насыщения дается формулой [14] [c.332]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...