Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Матрица плотности рассеянной волны

Вычислить матрицу плотности рассеянной волны при релеевском рассеянии, зная матрицу плотности падающего пучка.  [c.100]

Сечение и матрица плотности рассеянной волны  [c.221]

Выразить матрицу плотности для волны, рассеянной в данном направлении однородной диэлектрической сферой, через матрицу плотности падающего пучка и фазы а,( и определенные формулами (2.129) и (2.127). Сделать это для случая плоской поляризации и поляризации по кругу. Может ли рассеянная волна оказаться поляризованной, если падающий пучок не поляризован  [c.59]


Содержащие косинус множители нормируют рассеянные волны к тому же-потоку, что и падающую. 15о всех случаях. х-компоненты к и к считаются положительными, так что шак плюс в экспоненте соответствует волне, движуш ейся слева направо, а знак минус — справа налево. По этому полному набору можно построить матрицу плотности.  [c.718]

При вычислении матрицы плотности мы будем предполагать, что рассеянные волны имеют беспорядочные фазы и при сложении в среднем дают нуль. Если и г и г лежат слева от слоя, то  [c.718]

Частицы А со спином I/2 рассеиваются частицами В со спином I/2. Допустим, что все частицы первоначально не поляризованы и их энергия настолько мала, что вклад н амплитуду рассеяния дают только s-, р- и d-волны. Вычислить матрицу плотности спиновых состояний для частиц А как функцию угла рассеяния (используя понятие спиральности).  [c.436]

В заключение, рассмотрим на примере сдвиговых волн постановку задачи о рассеянии акустоэлектрических волн с использованием матрицы Грина пьезокристалла (ограниченного или безграничного в зависимости от конкретных условий задачи). Пусть в кристалле имеется линейный дефект, размеры которого в плоскости ху малы по сравнению с длиной волны. Дефект характеризуется изменением плотности Ар(г) упругого модуля Ас(г), диэлектрической проницаемости А8(г) и пьезомодуля Ае(г). Это может быть, например, включение другого материала, канавка на поверхности кристалла, линейная дислокация и т. п. Полагая р(г) = Ро + Ар(г), С44(г) = С44 -1- Ао(г), е(г) = 8 + А8(г), е,(г) = е, -Ь -1- Ае(г), можно считать члены с Ар, Ас, Ае и Ае источниками рассеянных волн. Перенося их в правую часть, представляем однородную систему (2.4) в следующем виде  [c.176]

Матрица плотности рассеянной волны Если падающий пучок описывают при помощи матрицы плотности рпад, то  [c.26]

Мун и Моу [118] построили теоретическую модель, описывающую рассеяние волн в композиционных материалах, наполненных частицами. При этом рассматривалась динамика отдельной частицы, находящейся в упругой среде. Такой подход представляется приемлемым первым приблияшнием для материалов с малой степенью (Fg <(0,10) и случайным характером наполнения. Дифракция упругих волн в материале с отдельными частицами обсуждалась также в работе Моу и Пао [119]. Когда плотность жесткого включения рз больше плотности окружающей среды (матрицы), т. е. рз )> pj, уравнение движения, описывающее поступательное перемещение сферической частицы U, имеет вид  [c.298]


Информацию о связи поляризаций и фаз падающей рассеянной волн даёт матрица рассеяния. Применяются два типа матриц одни связывают векторные величины-амплитуды падающей и рассеянной вола, другие связывают тензорные величины — Стокса параметри или элементы квантовых матриц плотности падающего в рассеянного полей. Первые матрицы применяются для описания когерентного рассеяния, вторые — при описании Р. с, частично когерентных световых потоков или потоков с меняющейся степенью когерентности. В случае изотропного Р. с. матрицы рассеяния зависят только от угла между кик — угла рассеяния 0.  [c.278]

Фазовую матрицу P(s, t s, t ) можно выразить следующим образом. В разд. 2.12 мы ввели матрицу Стокса о (s, х s, х), связывающую параметры Стокса рассеянной волны b(s, х) с параметрами Стокса падающей волны l (s, х), причем плоскость, определяемая векторами s и s, называется плоскостью рассеяния, а ось перпендикулярна этой плоскости. Для монохроматической волны эти величины сводятся к плотностям энергии рассеянной и падающей волн (Вт/м ). Мы можем определить параметры Стокса для лучевой интенсивности (Вт-м -стерад- -Гц- ) для цилиндрического объема с единичным сечением и длиной ds, содержащего pds частиц. При этом можно записать  [c.184]

Покажем, что поток энергии, тем не манее, направлен к границе раздела. Вертикальная компонента вектора средней за период плотности потока мощности в гармонической волне равна [54, 12] 4 = 0,5Ке(аз, Эм,/Эг). На свободной границе z = О имеем= О в силу граничных условий аз, = 0. Выражая при помощи формул (4.1)-(4.3) через компоненты матрицы рассеяния (4.6), после простых выкладок при z > О получаем  [c.146]


Смотреть страницы где упоминается термин Матрица плотности рассеянной волны : [c.221]    [c.275]   
Смотреть главы в:

Теория рассеяния волн и частиц  -> Матрица плотности рассеянной волны



ПОИСК



Волна рассеянная

Матрица плотности

Матрица рассеяния

Рассеяние волн

Сечение и матрица плотности рассеянной волны



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте