Технология масок

Изготовление ДОЭ со ступенчатым профилем стало возможным в результате применения методов фотолитографии, разработанных и доведенных до определенной степени совершенства в микроэлектронной промышленности [12]. При этом под фотолитографией понимают технологию создания и копирования бинарных структур, применяемую в производстве интегральных схем. Многократно повторяемый этап их изготовления состоит в следующем. На кремниевую пластину наносят слой светочувствительного материала — фоторезиста, который экспонируют контактным или проекционным образом через заранее изготовленную бинарную амплитудную маску, называемую фотошаблоном, а затем проявляют в травящем растворе. В зависимости от типа (позитивный или негативный) фоторезист растворяется на экспонированных или, наоборот, неэкспонированных участках, в результате чего на пластине образуется защитный слой со сквозными окнами. Через эти окна осуществляют ту или иную технологическую операцию трав/ ение, напыление и т. д., после чего фоторезист удаляют и весь цикл повторяют снова (до 8—10 раз). При этом на последующих стадиях при экспонировании фоторезиста, кроме всего прочего, необходимо совмещать рисунок фотошаблона с имеющейся на пластине структурой. Подчеркнем также, что в результате проведения не- [c.200]

Волнистость и плоскостность поверхности подложки влияют иа плотность прилегания свободной маски к подложке или фотошаблона к фоторезистивной маске. Это сказывается в увеличении погрешности изображения линии и совмещения подложки с маской или фотошаблоном. Существующая технология производства подложек обеспечивает вполне удовлетворительную плоскостность их поверхностей в случае применения свободных масок. Однако при формировании линий шириной порядка 25 мкм и неплотности прилегания подложки примерно на ту же величину из-за отклонения от плоскостности происходи увеличение допуска на ширину линии на 6—8 мкм. Для получения линий ии риной 2,5—5 мкм отклонение от плоскости примерно в 1 мкм/мм являете недопустимым. В табл. 4.9 приведены значения отклонения от плоскостности некоторых видов подложек. [c.94]

Существующая тенденция создания мелких переходов и применения в соответствии с этим в технологии СБИС термических обработок с более низкой температурой обусловила решающую роль расчета профилей концентрации имплантированных ионов. К тому же, из-за продолжающегося сокращения поперечных размеров становится все более значительным влияние двумерных эффектов вблизи края маски на выходные характеристики прибора. [c.252]

С целью существенного подавления помех был успешно опробован накладной преобразователь, маска которого имела два отверстия, разнесенных на 1,5 мм. Поля в зоне отверстий имели одинаковую амплитуду, но были противоположно направлены, так что приемная катушка не реагировала ца одновременное прохождение любых одинаковых участков под обоими отверстиями. Подобные узлы с двойной апертурой оказались особенно полезными при отработке технологии труб из вана-дий-титанового сплава. [c.410]

РЕНТГЕНОВСКАЯ ЛИТОГРАФИЯ — метод микроэлектронной технологии, заключающийся в формировании с субмикроявым разрешением защитной маски заданного црофиля на поверхности подложки осуществляется при помощи ревтг. излучения длиной волны Я 0,4—5 нм один из методов микролитоерафии. [c.344]

Возможно изготовление рельефно-фазовых ДОЭ с использованием не ионно-химического, а просто химического травления (травление в растворе), тем более, что именно таким образом получают окна в слое двуокиси кремния в технологии интегральных схем. Однако травление в растворе не обладает избирательностью по направлению, свойственной ионно-химическому травлению, которое происходит преимущественно в направлении распространения ионного пучка. В итоге стенки образую-ш,егося рельефа подтравливаются и он принимает трапециевидную форму. При этом клин травления может достигать 1—2мкм при глубине рельефа 0,5 мкм [25]. Возможно, существуют способы уменьшить подтравливание, но, с другой стороны, ясно, что ионно-химическое травление всегда будет иметь преимущество в этом отношении. Клин травления в ионном пучке тоже возникает за счет постепенного разрушения краев фоторезистив-ной маски, но он значительно меньше, чем при травлении в растворе, и составляет около 0,1—0,2 мкм [25], что позволяет изготавливать высокочастотные ДОЭ. [c.202]

Однако, при этом важно понимать, что применение микроэлектронных технологий — не единственный способ создания ДОЭ. Существуют и другие технологии перевода многоградащюнной амплитудной маски, соответствующей функции (р и, v) в фазовый микрорельеф. [c.45]

Модельное представление большинства технологий формирования микрорельефа ДОЭ дано на рис. 4.3. Изменения приведенной к рабочему интервалу [0,2тгт) фазовой функции ДОЭ представляются изменениями пропускания маски (шаблона), генерируемой на одном из автоматизированных прецизионных стройств. При [c.240]

В настоящее время для формирования дифракщюнного микрорельефа апробировано и отлажено множество технологий с использованием самых разнообразных (физически, химически, механически) активных сред фокусируемых электронных и ионных пучков, газов, кислот, резистов, полимерных композиций, алмазных резцов. При этом различные технологии требуют создания различных шаблонов наборов бинарных масок для фотолитографии, полутоновых фотошаблонов для ЖФПК и отбеливания желатины, тонко-мембранной пленки для рентгеновской литографии или маски-трафарета для использования ионно-лучевой литографии. При использовании полутоновых шаблонов и соответствующих технологий формирование кусочжо-непрерывного Ешкрорельефа происходит в один этап (методы формирования кусочно-непрерывного рельефа рассмотрены в п. 4.4). При использовании набора бинарных шаблонов и соответствующих бинарно-активных сред для получения многоуровневого рельефа, процесс, показанный на рис. 4.3, приходится повторять несколько раз, перебирая по очереди все шаблоны из набора. Для ряда современных технологий (электронная литография, станки с ЧПУ) изготовления физически существующего шаблона (или набора шаблонов) не происходит в этих случаях формирование микрорельефа происходит на основе рассчитанного виртуального шаблона. [c.241]

На каждой из стадий процесса действуют факторы, искажающие исходный рисунок шаблона. При экспонировании имеют место явления дифракции, преломления и отражения света, приводящие к изменению размеров элементов рисунка и размытости их краев. На этапе проявления и задубливаиия искажения размеров обусловлены набуханием слоя фоторезиста и усадкой фотомаски при тепловой обработке. При травлении, негативным фактором является боковое подтравливание под маску. Условия, в которых происходит обработка на разных стадиях, изменяются как от пластины к пластине, так и в пределах одной пластины. Это приводит к разбросу геометрических параметров элемента и его характеристик, что следует учитывать при выборе технологии изготовления ДОЭ. [c.255]

Основное внимание исследователей, изучающих применение масочных методов в вакуумной технологии нанесения пленок [1—3], было обращено на влияние граничных факторов (зазор между подложкой п маской, неровности границ маски и др.). В данной работе рассматриваются закономерности влияния маски на параметры тонких пленок, которые относятся к категории масштабных факторов, определяющих строение пленок. Различие физического состояния узких и широких пленочных резисторов должно приводить к различию их удельного поверхностного сопротивления (/ ). Для выяснения этого обсто-124 [c.124]

Планарная технология основана на использовании оксидных масок для избирательной физико-химической обработки полупроводниковой подложки. Оксидная маска представляет собой слой двуокиси кремния 810г, полученный термической пассивацией подложки из кремния. Установлено, что пленка двуокиси кремния толщиной 0,1 мк является заградительной маской для диффундирующей примеси. [c.185]

Другим примером, где может оказаться полезным повышенное быстродействие GaAs-технологии, является обработка некогерентных оптических сигналов, изображенная на рис. 3.16 [22]. Этот процессор выполняет умножение вектора и матрицы, используя простую электрооптическую методику. Вектор / представлен временной последовательностью сигналов, модулирующих светодиод. Сигнал от светодиода проходит через маску, состоящую из апертур, площадь которых соответствует величи-НС матричных элементов и собирается ПЗС-формировате-лем изображений, ячейки которого установлены на одной прямой с изображениями апертур. Свет, собранный в ячейке (т, п) вследствие прохождения светового импульса, соответствующего элементу вектора fn, представляет произведение и матричного элемента hmn- Для каждого нового образца f зарегистрированный заряд в ПЗС должен быть сдвинут вправо на один элемент, и по завершении процесса результирующая матрица произведения gmk считывается выходным регистром. Для более высоких выходных скоростей мультиплексирование внешним регистром было бы исключено и выходные сигналы брались бы прямо из каждой строки. [c.95]

Технология создания фокусаторов в произвольно задаваемое распределение сложнее. Компьютер синтезирует бинарную или ступенчатую аппроксимацию фурье-образа искомого объекта, затем фотолитографически создается амплитудная, фазовая или амплитудно-фазовая маска, с которой копируют. микрорельеф ДОЭ. [c.314]

Первая трудность вызвана тем, что при выпуске управляющего файла про-фамма для этих отверстий не формируют окна в защитной маске. Напомним, что по технологии нанесения защитных покрытий в местах отверстий диаметром более 0,6 мм должны выполняться освобождения, т. е. защитная маска не должна ложиться на пустоту . Для обычных металлизированных отверстий и КПМ программа формирует окна в защитной маске автоматически, а для крепежных отверстий она этого не делает, и эти окна придется врисовывать на слое MASK вручную , что, естественно, желательно не делать, а поручить программе. [c.267]

Термически выращиваемый окисел кремния остается одним из важнейших материалов современной технологии интегралы1ых схем. Обычно 81 Ог используется как маска, препятствующая диффузии легирующих примесей, для пассивации активных областей приборов и переходов, изоляции полевых областей и отдельных активных элементов, а в качестве подзат-ворного диэлектрика 8102 представляет собой важный компонент МОП-приборов. Поэтому контроль и предсказуемость роста окисла, а также его электрических характеристик являются решающими условиями достижения воспроизводимых рабочих характеристик приборов. [c.44]

Для создания в чистом полупроводниковом кристалле областей п- и р-типов разработан ряд методов. 1) Транзистор с вплавленным переходом получают путем расплавления нескольких микрограммов легирующего элемента (например, алюминия), на поверхности монокристалла кремния п-типа. В расплаве растворяется некоторое количество кремния, после охлажденрм образуется твердый раствор алюминия в кремнии. Аналогичную операцию повторяют на другой стороне таблетки, получают р-п-р-переход. 2) Транзистор с выращенным переходом изготавливают путем выращивания кристалла из расплава материала п-типа. 3) Третья технология основывается на использовании таблетки кремния п-типа, которая подвергается окислению с целью получения защитного покрытия из 8102. В процессе нанесения маски удаляют защитное покрытие с определенных участков таблетки, затем заготовку нагревают в присутствии паров бора. Диффузрм бора в кремний приводит к образованию области р-типа. Затем все операции - окисление, нанесение маски и нагрев - повторяют, но нагрев ведут в присутствии паров фосфора с целью получения второй области п-типа, которая служит эмиттером. Повторение всего цикла операций в третий раз необходимо для создания контактов из золота и алюминия. Такие транзисторы называют плоскостными. [c.25]

Сущность технологии состоит в том, что на пластине кремния с помощью специальной маски создаются области, в которые производится имодантация ионов аргона, служащих геттером для дефектов и фоновых примесей при эпитаксиальном наращивании. [c.178]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...