Технология формирования микрорельефа ДОЭ

Внимание специалистов в области дифракционной оптики в последнее время привлекают технологии формирования микрорельефа, основанные на достижениях микроэлектроники. Определяющими в таком выборе являются следующие факторы [c.45]

Технология формирования микрорельефа ДОЭ [c.253]

Из существующих технологий для изготовления ступенчатого микрорельефа ДОЭ наибольшее распространение получила фотолитография. Ключевым этапом формирования микрорельефа ДОЭ средствами фотолитографии является получение набора прецизионных фотошаблонов. [c.243]

Проведенный анализ ряда современных технологий формирования дифракционного микрорельефа оптических элементов не может претендовать на полноту, так [c.305]

В предыдущем разделе был предложен метод моделирования светотехнических устройств ДОЭ, имеющими непрерывный внутренний микрорельеф. Однако большинство разработанных технологий и существующего технологического оборудования не обеспечивают формирование ДОЭ с непрерывной фазовой функцией. Для изготовления многоуровневых ДОЭ успешно используется ряд технологий, подробно описанных в главе 4. В настоящем разделе предлагается метод расчета диаграммы направленности светотехнических устройств, включающих многоуровневые ДОЭ. [c.584]

Особое внимание специалистов в области дифрашщонной оптики привлекают технологии формирования микрорельефа, основанные на достижениях и оборудовании микроэлектроники [14]. Определяющими в таком выборе явл5потся следующие основные факторы [c.240]

Модельное представление большинства технологий формирования микрорельефа ДОЭ дано на рис. 4.3. Изменения приведенной к рабочему интервалу [0,2тгт) фазовой функции ДОЭ представляются изменениями пропускания маски (шаблона), генерируемой на одном из автоматизированных прецизионных стройств. При [c.240]

Еще недавно широко использовалась технология производства ДОЭ с использованием бихромированного желатина (БХЖ). На рис. 4.33а показан полутоновой фотошаблон фокусатора в букву тг и результат фокусировки излучения СО2-лазера [53]. Качество фокусировки (рис. 4.331 ) позволяет говорить, в принципе, о широких возможностях фокусаторов, изготовленных на основе БХЖ. Однако, относительно простая технология формирования микрорельефа на основе БХЖ не нашла широкого применения в производстве ДОЭ, главным образом из-за шероховатости поверхности микрорельефа, снижающего эффективность ДОЭ, и ограни-ченной разрешающей способности, не позволяющей выполнять элементы с хд-ютовой апертурой больше 0,1. [c.269]

В силу несовершенства технологии формирования микрорельефа, наличия дифракции и рассеяния света в среде компенсатора, ограничения чи,сла уровней градаций фазы и разрешения по поверхности компенсатора, вместо требуемой фазовой функции ip (8.6) реализуется фазовая функпмя ф. Соответственно вместо эталонного волнового фронта а формируется волновая поверхность а с некоторыми искажениями формы по сравнению с <т, определяюпцжмж качество а. Ниже формируются удобные при работе с ДОЭ количественные характеристики отличия а от а как в каждой точке, так и в целом. Хотя компенсатор для фронта а рассчитывался методами геометрической оптики, волновая поверхность формируется дифракционно и может не быть геометрооптическим фронтом. Механизм формирования а описывается в общем случае суперпозицией ь-шогих дифракционных порядков [25, 32]. [c.547]

Задача выбора типа микрорельефа определяется не только набором доступных разработчику технологий формирования дифракционного микрорельефа, но и требованиями к качеству работы и эффективности ДОЭ, предъявляемыми конкретной оптической схемой и функциональным назначением оптического элемента. Программные комплексы, созданные для проектирования ДОЭ, обязательно содержат средства, позволяЮ1Щ1е оценить снижение качества и энергетической эффективности работы ДОЭ при переходе от кусочно-непрерывного к многоуровневому или бинарному микрорельефу [3. Разрабатываются специальные физико-математичес-кие методы для повышения эффективности бинарных и многоуровневых ДОЭ [4 [c.239]

В настоящее время для формирования дифракщюнного микрорельефа апробировано и отлажено множество технологий с использованием самых разнообразных (физически, химически, механически) активных сред фокусируемых электронных и ионных пучков, газов, кислот, резистов, полимерных композиций, алмазных резцов. При этом различные технологии требуют создания различных шаблонов наборов бинарных масок для фотолитографии, полутоновых фотошаблонов для ЖФПК и отбеливания желатины, тонко-мембранной пленки для рентгеновской литографии или маски-трафарета для использования ионно-лучевой литографии. При использовании полутоновых шаблонов и соответствующих технологий формирование кусочжо-непрерывного Ешкрорельефа происходит в один этап (методы формирования кусочно-непрерывного рельефа рассмотрены в п. 4.4). При использовании набора бинарных шаблонов и соответствующих бинарно-активных сред для получения многоуровневого рельефа, процесс, показанный на рис. 4.3, приходится повторять несколько раз, перебирая по очереди все шаблоны из набора. Для ряда современных технологий (электронная литография, станки с ЧПУ) изготовления физически существующего шаблона (или набора шаблонов) не происходит в этих случаях формирование микрорельефа происходит на основе рассчитанного виртуального шаблона. [c.241]

Пример 4.3. В Университете Фридриха Шиллера отработаны технологии производства ДОЭ, работающих в ИК-диапазоне, с использованием метода степенного травления кварцевого стекла и ZnSe-подложек с нанесением покрытия из золота на отражающую поверхность, а также га.г1ьванопластичеекого тиражирования изготовленных фокусаторов. Для формирования микрорельефа ДОЭ используется, как правило, плазменное травление подложки по 8 или 16 уровням, для чего на литографе выводится комплект из 3-х или 4-х бинарных фотошаблонов [43]. [c.266]

Использование технологии плазменного травления при изготовлении микрорельефа. Плазменное травление позволяет изготовить профиль в любом материале с точностью ж качеством поверхности, недостижимыми для обычного жидкостного травления. Это обусловлено возможностями анизотропного режима травления материала, высокой управляемостью и стабильностью технологических процессов. Исходя из этого, представляется наиболее целесообразным использование плазмохиммческого травления для формирования Е шжрорельефа ДОЭ видимого и ближнего ИК-диапазонов. [c.279]

Рассмотренные выше широко распространенные методы формирования дифракционного микрорельефа, являясь многоэтапными и дорогостоящими, в то же время не всегда позво.1шют добиться требуемого результата. Сложности начинаются, например, когда необходимо получить микрорельеф на неплоской (сильно выгнутой или вогнутой) поверхности, изготовленной из труднообрабатываемого материала. Метод прямой лазерной записи микрорельефа [68-70] предлагает альтернативный, относительно недорогой, способ получения дифракхщонного микрорельефа на раз-личных материалах. Использование высоко1штенсивного излучения эксимерного лазера для прямого лазерного травления микрорельефа с помощью селективного удаления (абляции) материала подложки оказывается в современных условиях высокопроизводительной и эффективной технологией изготовления ДОЭ [69, 70]. В настоящее время показана возможность получения этим методом субмикронных структур на ПММА, поликарбонате, алюминии, нержавеющей стаяли [70]. Экспериментальная схема для прямой записи микрорельефа с помощью эксимерного лазера 70] представлена на рис. 4.47. Устройство основано на высокопрецизионном пьезоэлектрическом перемещении подложки вдоль осей Х- с точностью 0,05 мкм в [c.281]

Формирование эталонного во,ппового фронта ст будем производить из светового пучка Е согласно схеме (рис. 8.5), основным элементом которой является компенсатор К с зонированным прозрачным микрорельефом, выполненным по технологии компьютерной оптики па плоской подложке. Задачей компенсатора является создание постоянной фазы на поверхности <т, вершина которого отстоит на расстояние I от К (см. рис. 8.5). Зададим а уравнением [c.544]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...