Слой электрический запирающий

Контроль качества полупроводниковых материалов в основном производится по их электрическим свойствам и Макроструктуре определяется их удельное сопротивление, тип проводимости и выявляются путем травления или осаждения меди р — п- и п — р — п-переходы или запирающие слои (фиг. 277). [c.466]

Это свойство запирающего слоя объясняется тем, что на границе между дырочным и электронным полупроводниками вследствие взаимной диффузии дырок и электронов образуется переходный слой, не имеющий ни дырок, ни электронов (свободных). В переходном слое возникает электрическое поле, имеющее направление от электронного полупроводника к дырочному. Это поле препятствует движению через переходный слой электронов и дырок. Если приложить напряжение такого знака, чтобы задерживающее поле в переходном слое уменьшилось или совсем уничтожилось, то дырки и электроны смогут проходить через слой и, следовательно, может проходить ток. Если же приложенное напряжение будет совпадать с направлением электрического поля, т. е. усиливать его, то ток проходить не сможет. Это свойство переходного слоя на границе полупроводников использовано для устройства выпрямителей. [c.44]

В сварочной технике используются твердые выпрямители. Они состоят из трех слоев. Первым слоем служит металл с большим числом свободных электронов. Второй, так называемый запирающий или изоляционный слой, не имеет свободных электронов. Третий слой—полупроводник с небольшим числом свободных электронов. При наличии на крайних слоях разности потенциалов в запирающем слое возникает сильное электрическое ноле, которое способствует вырыванию свободных электронов из прилегающих к нему слоев. Если металлу с большим числом свободных электронов сообщить отрицательный заряд, а металлу с небольшим числом свободных электронов — положительный, то из первого металла будет вырвано значительное число электронов и в цепи станет проходить электрический ток от второго металла к первому. При обратной полярности число электронов, вырванных из второго металла, будет невелико и тока в цепи практически не будет. [c.37]

Существует три вида фотоэлементов с внешним фотоэффектом— явление излучения электронов с поверхности вещества под воздействием света с внутренним фотоэффектом — способность материалов уменьшать свое электрическое сопротивление под действием света с запирающим слоем — в фотоэлементе под действием света создается электродвижущая сила. [c.283]

В электрических абсорбциометрах чаще всего применяются фотоэлементы с запирающим слоем, которые включают в общую цепь [c.646]

После формования пластин электрическим током между слоем селена и покровным слоем металла образуется тонкий запирающий слой, пропускающий ток в одном направлении от опорного электрода, который является катодом, через селен, запирающий слой, покровный слой к аноду, которым является контактная шайба. [c.129]

Селеновые выпрямители изготовляются путем нанесения аморфного или порошкообразного селена на никелированные железные или алюминиевые шайбы либо пластинки. После нанесения селена производят прессовку для создания однородной толщины слоя и подвергают термической обработке при температуре около 220° С с тем, чтобы получить кристаллический селен с удовлетворительной прямой проводимостью. На поверхность образовавшегося слоя селена (толщина от 30 до 80 мк) наносят второй электрод, например, из сплава, состоящего из висмута, кадмия и олова, имеющего температуру плавления 105—110° С, после чего производят электрическую формовку выпрямителей, получая слой селенистого кадмия — полупроводника электронного типа. Запирающий слой селеновых выпрямителей образуется на границе между селеном и селенистым кадмием. Селен обычно является дырочным полупроводником, и прямой ток в селеновом выпрямителе направлен от электрода-подкладки ко второму электроду из сплава. [c.348]

Если к покровному слою сплава подвести отрицательный потенциал, а к слою селена положительный, то под действием сил электрического поля свободные электроны будут проходить через запирающий слой в слой селена. При изменении направления действия переменного напряжения через запирающий слой электроны [c.144]

При подведении к электроду-проводнику отрицательного потенциала, а к электроду-полупроводнику (селену) положительного потенциала свободные электроны из проводника (под действием сил электрического поля) будут свободно проходить через запирающий слой в полупроводник. [c.58]

При подведении к алюминиевому электроду отрицательного потенциала свободные электроны из алюминия под действием сил электрического поля в большом количестве проходят через запирающий слой в кремний. В этот момент от выпрямителя поступает постоянный ток в обмотку возбуждения генератора, на заряд аккумуляторной батареи и в цепь включенных потребителей. Как только изменится направление действия переменного тока, то. вследствие малого содержания свободных электронов в кремнии сила тока, проходящего в обратном направлении через диод выпрямителя, будет очень малой. [c.63]

При работе генератора к селену и покровному сплаву поочередно подводится то отрицательный, то положительный потенциал переменного тока. В первом случае свободные электроны из покровного сплава под действием сил электрического поля в большом количестве проходят через запирающий слой в селен. В этот момент от выпрямителя поступает постоянный ток в цепь включенных потребителей. [c.111]

В случае, когда будет направлена против Ед (рис. 57,6), местное поле будет заметно ослаблено, а электроны в полупроводнике и дырки в р-полупроводнике начнут перемещаться в область р— -перехода. В результате этого запирающий слой сузится, а его электрическое сопротивление резко уменьшится. В этом случае р— -переход будет пропускать ток. Этот ток называется прямым током (/ р), а направление тока в выпрямителе называется прямым или пропускным направлением. [c.95]

Полупроводники на границе с металлами или с другими полупроводниками способны образовывать (при данной полуволне переменного напряжения) переходной слой с большим сопротивлением (запирающий слой). При другой полуволне напряжения электрическое сопротивление переходного слоя резко уменьшается и он начинает пропускать ток. На этом свойстве основано устройство полупроводниковых выпрямителей и усилителей. [c.243]

При соединении эмиттера и коллектора с источником 4 электроэнергии через транзистор пойдет очень небольшой ток, так как един из запирающих слоев, в нашем случае верхний слой 2, будет находиться под обратным напряжением. Положение резко изменится, если приложить напряжение между эмиттером и базой, соединив их с дополнительным источником 5 электроэнергии. Те.-перь из пластинки германия, в том числе и из запирающего слоя, будут отводиться электроны и запирающий слой приобретет положительный по отношению к коллектору заряд. В результате электроны из коллектора получат возможность перейти в базу, а затем и в эмиттер. Следовательно, между эмиттером и коллектором возникнет электрический ток транзистор отпирается. Сила этого тока будет увеличиваться с повышением управляющего напряжения, приложенного между эмиттером и базой. При изменении знака управляющего напряжения сопротивление транзистора резко возрастает (до нескольких десятков тысяч ом), через него совсем не проходит ток транзистор запирается. [c.98]

ЗАПИРАЮЩИЙ СЛОЙ — двойной электрический слой, который образуется па поверхности контакта двух металлов, имеющих различные значения работы выхода, вследствие диффузии электронов из металла, имеющего более низкую работу выхода, во второй металл. Потеря электронов первым металлом вызывает появление в нем эквивалентных положительных зарядов. [c.48]

На границе между слоем селена и сплава возникает запирающий слой, способный проводить электрический ток только в направлении от слоя селена к слою сплава. Такая односторонняя проводимость системы используется для выпрямления переменного тока. [c.25]

Внешнее электрическое поле существенным образом влияет на величину сопротивления запирающего слоя (на высоту потенциального барьера). [c.121]

Если приложить к р—п переходу внешнее напряжение обратной полярности и обр, то электрическое поле, создаваемое этим напряжением, сложится с внутренним полем контактной разности потенциалов. Результирующее поле усилителя и потенциальный барьер станет выше (фиг. 101, а). Переход носителей тока через запирающий слой еще более затруднится, потому что носители тока будут удаляться от р—п перехода. В этом случае через р—п переход будет проходить малый ток (обратное направление). [c.121]

Фотоэлементом с запирающим слоем (или вентильным фотоэлементом) называют полупроводниковый прибор, в котором под действием света возникает электродвижущая сила, создающая во внешней цепи электрический ток. [c.203]

Том I, Б посвящен использованию волн большой амплитуды в жидкостях и твердых телах, а также целому ряду новых полупроводниковых устройств, которые получают широкое применение для измерения давлений, сил и деформаций. Высокочувствительные устройства для измерения давления, использующие транзисторы, позволяют превращать звуковые колебания в воздухе в электрические колебания в цепи и, следовательно, действуют как микрофоны. Они обладают большей чувствительностью, чем угольные микрофоны, и большей эффективностью преобразования постоянного напряжения на входе в переменное электрическое напряжение на выходе. Полупроводниковые преобразователи с запирающим, диффузионным и эпитаксиальным слоями позволяют создать сверхвысокочастотные устройства, способные генерировать сдвиговые и продольные волны в диапазоне тысяч мегагерц. Они применяются для прикладных целей и для фундаментального исследования очень быстрых движений в жидкостях и твердых телах. В заключительной главе рассматриваются новые способы получения больших деформаций в твердых образцах. [c.10]

Если /г-полупроводник соединен с положительным полюсом источника, а р-полупроводник — с отрицательным, то электроны в п-полупроводнике и дырки в р-полупроводнике под действием электрического поля будут перемещаться от границы раздела в противоположные стороны (рис. И 1.3.17). Это приводит к утолщению запирающего слоя и увеличению его сопротивления. Направление внешнего электрического поля, расширяющее запирающий слой, [c.249]

Этим видам фотоэффекта соответствуют три основные группы фотоэлементов — приборов, превращающих световую энергию в энергию электрического тока фотоэлементы с внешним фотоэффектом (вакуумные и газонаполненные) фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления или фоторезисторы) фотоэлементы с запирающим слоем (вентильные или нолуиронодниковые). [c.156]

Определение и классификация. Фотоэлементы— приборы, позволяющие превращать лучистую энергию в электрическую. Фотоэлементы основаны на способности света передавать свою энергию электронам. Различают следующие виды фотоэлементов а) фотоэлемент с внешнимфо-тоэффектом б) фотоэлемент с внутренним фотоэффектом в) фотоэлемент с запирающим или вентильным слоем. [c.546]

Если к покровному слою сплава подвести отрицательный потенциал, а к слою селена — положительный, то под действием сил электрического поля свободные электроны будут проходить через запирающий слой в слой селена. При изменении направления действия переменного напряжения через запирающий слой электроны проходят в столь малом количестве, что практически тока не будет. Происходит это потому, что в полупро-вод1П1ке-селене свободных электронов очень мало. [c.127]

В схеме контактно-транзисторного зажигания, а также в других системах, входящих в электрооборудование автомобилей, применяются полупроводниковые диоды, стабилитроны и транзисторы. Основным элементом перечисленных приборов является кристалл германия или кремния. В кристалле полупроводникового диода имеются две области. Область п характеризуется наличием свободных электронов, а область р наличием так называемых дырок, которые притягивают к себе электроны и могут быть заполнены последними. Эти свойства областей пир достигаются посредством добавления различных присадок в основной материал кристалла. Полупроводниковый переход представляет собой граничный слой между областями кристалла пир. Действие диода в схемах электрооборудования автомобилей основано на свойстве полупроводникового перехода обладать малым сопротивлением при приложении напряжения в прямом направлении (плюс к области р, минус к области п) и большим сопротивлением при приложении напряжения в обратном направлении. Например, сопротивление диода ВА20 яри приложении напряжения в прямом направлении должно быть не более 0,3 Ом, а в обратном направлении не менее 50 000 Ом, Это свойство позволяет применять диод в качестве выпрямителя переменного тока. Проводя аналогию электрического тока с движением жидкости по трубопроводу, можно сравнить диод с клапаном (рис. 38), пропускающим жидкость в прямом направлении и запирающимся при обратном направлении напора. [c.77]

Если напряженность внешнего электрического поля, приложенного к системе металл—полупроводник, имеющей запирающий слой, совпадает по направлению с напряженностью электрического поля контактной разностн потенциалов, то потенциальный барьер на контакте повысится (рис. 10.4, б) и соответственно поток электронов из полупроводника в металл уменьшится в ехр еУ/кТ) раз. [c.74]

Роль акцепторной примеси исполняют собственные атомы, не вошедшие в кристаллическую решетку. Известны два типа селеновых вентилей старый, в котором селен наносится на никелированную стальную пластину, и более новый, с применением алюминиевой подложки. В первом случае запирающий слой образуется между селеном с дырочной проводимостью и слоем се-ленида или сульфида кадмия с электропроводностью типа п, образующегося в нижних слоях верхнего электрода из сплава, содержащего кадмий. Образование этого слоя требует электрической формовки под напряжением. При длительном хранении столбиков селено- [c.325]

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, способные подобно радиолампам усиливать электрический ток. Германиевый транзистор (рис. 46) получают путем вплав-аения в тонкую пластину 1 германия двух капелек 3кб индия. В результате между германием и капельками индия возникнут два запирающих слоя 2 и 7. [c.98]

При сборке выпрямителей применяются упругие контактные шайбы, осуществляюшие электрический контакт с катодом. Их назначение — ограничить давление на активную поверхность шайбы. При значительном давлении выпрямляющие свойства запирающего слоя ухудшаются и возрастает обратный ток. На центральной части элемента, свободного от катодного сплава, располагается изоляционная шайба, предназначенная для ограничения сжатия контактной шайбы. [c.124]

ФОТОЭЛЕМЕНТЫ, приборы, позволяющие превращать лучистую энергию в электрическую. Все виды Ф. основаны на способности света передавать свою энергию электронам при этом электроны, находящиеся в освещаемом теле, могут или изменить его электропроводность или выйти за пределы поверхности, ограничивающей тело. Потеря отрицательного заряда проводником при освещении его ультрафиолетовым светом была обнаружена впервые Герцом в 1887 г. Это явление послузкило основанием для создания Ф. с внешним фотоэффектом (см. Фотоэлектричество). В целом рЯде веществ изменение электропроводности под действием света, получившее название внутреннего фотоэффекта, оказалось настолько значительным, что его также можно было использовать для создания Ф. В последнее время удалось построить Ф., основанные на перемещении электропов под действием света через границу двух соприкасающихся тел эти Ф. получили название Ф. с запирающим слоем, в силу того что чувствительный к свету пограничный слой между двумя вещест- [c.145]

Внешнее электрическое поле влияет на сопротивление запирающего электрического поля. Если п-полупровод-ник подключен к отрицательному полюсу источника, а плюс источника соединен с р-полупроводником, то под действием электрического поля электроны в п-полупровод-нике и дырки в р-полупроводнике будут двигаться навстречу друг другу к границе раздела полупроводников. Электроны, переходя границу, заполняют дырки. При таком прямом пропускном) направлении внешнего электрического поля толщина запирающего слоя и его сопротивление непрерывно уменьшаются (, Л1С. III.3.16). В этом направлении электрический ток прохс, ит через границу двух полупроводников. [c.248]

Образование такого слоя вблизи контакта объясняется тем обстоятельством, что концентрация подвижных носителей зарядов не мол ет меняться скачком на контакте. Концентрация носителей зарядов плавно меняется на контакте от значения в электронной до п-,, и дырочной н от рр в дырочной до Рп в электронной соответственно. Таким образом, вблизи границы полупроводников п- и уо-тинов в обеих областях возникнет двойной электрический слой, обедненный свободными носителями заряда. В таком слое условие электрической нейтральности, когда электрический заряд иенодвижных ионизированных примесных атомов нейтрализуется электрическим зарядом подвижных носителей, нарушается. Вблизи р-п-перехода появляется область объемного заряда двойного электрического слоя. Такой двойной электрический слой не только препятствует движению через /7- -переход основных носителей заряда, но вызывает их отсасывание в глубь полупроводника. Образованный таким путем вблизи р-и-перехода слой, обедненный основными носителями заряда, обладает большим сопротивлением. Его называют запирающим слоем. [c.29]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...