Запирающий слой

Структура и свойства пиролитического графита РуС зависят от параметров технологического процесса (температуры, концентрации метана). При определенных температурах можно получать изотропный пироуглерод с различной пористостью как для первого буферного слоя, так и для плотных запирающих слоев. [c.15]

Если к р — п-переходу приложено напряжение знаком плюс на область с электронной проводимостью, то электроны в п-полупроводнике и дырки в р-полупроводнике удаляются внешним полем от запирающего слоя в разные стороны, увеличивая его толщину. Сопротивление р — п-перехода велико, сила тока мала и практически не зависит от напряжения. Этот способ включения диода называется включением в запирающем или в обратном направлении. Обратный ток полупроводникового диода обусловлен собственной проводимостью полупроводниковых материалов, из которых изготовлен диод, т. е. наличием небольшой концентрации свободных электронов в р-полупроводнике и дырок в п-полупроводнике. [c.159]

В настоящее время различают три вида фотоэлектрического эффекта внешний, внутренний и фотогальванический (фотоэффект в запирающем слое, или вентильный фотоэффект). [c.156]

Отличительной чертой всех полупроводниковых лазерных материалов, в том числе и арсенида галлия, является очень высокий по сравнению с другими лазерными материалами (кристаллы, стекла, жидкости, газы) коэффициент усиления электромагнитного излучения. Благодаря этому удается выполнить условие генерации для миниатюрных полупроводниковых образцов. Типичный лазер на арсениде галлия показан на рис. 35.24, а. Для получения генерации две противоположные поверхности полупроводника полируют и делают плоскопараллельными, а две другие оставляют грубо обработанными, чтобы предотвратить генерацию в нежелательных направлениях. Обычно обе отражающие поверхности не имеют отражающих покрытий, так как показатель преломления полупроводника достаточно большой и от полированных торцов отражается примерно 35 % падающего излучения. Активная область представляет собой слой толщиной около 1 мкм, т. е. немного больше запирающего слоя (примерно 0,2 мкм). В свою очередь поперечные размеры лазерного пучка гораздо больше (около 40 мкм) толщины активной области (рис. 35.24, б). Следовательно, лазерный пучок занимает довольно большое пространство в р- и п-областях. Однако поскольку поперечные размеры пучка все же относительно невелики, выходное излучение имеет большую расходимость (несколько градусов). [c.297]

Для селеновых вентилей применяется возможно более чистый селен, содержащий селена не менее 99,99%, так как от степени чистоты очень сильно зависят такие параметры, как плотность тока, обратное напряжение и др. Селен может быть кристаллическим и аморфным. В производстве полупроводниковых вентилей используется кристаллическая модификация с температурой плавления 220° С. Роль акцепторной примеси исполняют собственные атомы, не вошедшие в кристаллическую решетку. Запирающий слой в виде селенида кадмия образуется при формовании у подложки. Благодаря повышенным плотностям тока и более широкому диапазону рабочих температур селеновые вентили в отличие от меднозакисных могут быть использованы в разных промышленных устройствах. Однако по своим параметрам они не могут конкурировать [c.278]

Германий используется также для изготовления фотоэлементов с запирающим слоем. [c.531]

При низких напряжениях ток идет через запирающие слои на контактирующих поверхностях зерен, при более высоких напряже- [c.258]

В настоящее время промышленность выпускает германиевые и кремниевые СЭГ с запирающим слоем. Основное уравнение СЭГ — вольт-амперная характеристика. [c.135]

Солнечные энергетические установки. Пока речь может идти только о солнечных электрогенераторах, работаюш,их на основе фотоэффекта запирающего слоя с КПД до 10—15%, позволяющих получить с 1 порядка 1 кВт электроэнергии. Эта величина мала, но если сравнивать с тем, что дают вторичные ИЭ — электрохимические аккумуляторные батареи, нуждающиеся в зарядке через каждые 80—100 км пробега автомобиля,— даже эффектна, поскольку поступление энергии непрерывно и дальность движения неограниченна. Солнечный электрогенератор в виде тонкого щита может располагаться на крыше автомобиля, трактора, на борту судна, на поверхности моря — для снабжения электричеством подводных аппаратов — и даже под водой, правда, на небольшой [c.189]

Число изолирующих частиц в запирающем слое должно быть как можно больше — 1 10 на 1 м, но не более 8-10 , чтобы не изменялся блеск покрытий. Промежуточный слой на профилированные изделия наносят чаще всего химическим методом. [c.133]

Действие фотоэлементов этого типа основано на выпрямительном действии в очень тонком слое—запирающем слое на границе между проводником и полупроводником, например медью и закисью меди. [c.547]

Схема купроксного фотоэлемента приведена на фиг. 86, где А — проволочная спираль, служащая контактом с закисью меди, С, В— запирающий слой, D—медный диск, G—гальванометр. [c.547]

Наряду с фотоэлементами с внешним фотоэффектом находят иногда применение фотоэлементы с запирающим слоем и фотосопротивления. [c.365]

При контакте металла с полупроводником может образоваться значительная область пониженной проводимости (запирающий слой) , размеры которой, а вместе с тем и проводимость зоны контакта существенно меняются в [c.214]

Наиболее простой является приведенная в нашей работе [3] верхняя оценка для границы промерзания талой зоны, полученная при крайних наиболее благоприятных для промерзания условиях температура талой зоны доведена до температуры ледообразования и коэффициенты температуропроводности всех трех зон принимаются неограниченными. Эта оценка наглядно показывает, что качественная изоляция обладает свойством запирающего слоя, так как изоляционный слой препятствует не только проникновению в грунт низких температур, но и обратному отводу тепла. Последнее можно иллюстрировать следующим примером. Пусть имеем изоляционный слой толщиной 8 = 1 ж из стеклянной ваты. Для замороженного грунта примем завышенное значение X,. = 2 ккал/м-час-град и <з = 24000 ккал/м , где 3—теплота перехода единицы объема. Положим далее бр=30°С. Тогда за время / = 800 час глубина промерзания -ц = 0,03 м, а для неизолированного грунта = 2 л. За время же / = 3200 час имеем т]оо = 4 и = 0,12 м. [c.164]

Легкоплавкие сплавы Bi — Sn и Bi — d наносят распылением на селен с целью образования запирающего слоя в селеновых выпрямителях. [c.134]

Контроль качества полупроводниковых материалов в основном производится по их электрическим свойствам и Макроструктуре определяется их удельное сопротивление, тип проводимости и выявляются путем травления или осаждения меди р — п- и п — р — п-переходы или запирающие слои (фиг. 277). [c.466]

При контакте металла с полупроводником может образоваться значительная область пониженной проводимости запирающий слой), размеры которой, а вместе с тем и проводимость зоны контакта существенно меняются в зависимости от направления тока. На этом основан вентильный эффект таких контактов. Так, при контакте полупроводника, обладающего проводимостью и-типа, с металлом, работа выхода у которого больше, чем у полупроводника, в последнем в области контакта возникает значительная зона с пониженной концентрацией электронов, а следовательно, и уменьшенной проводимостью. При направлении тока от металла к полупроводнику электроны в последнем подтягиваются к зоне контакта, размеры запирающего слоя уменьшаются. Это направление является пропускным. При обратном направлении тока размеры запирающего слоя увеличиваются (запирающее направление). Таким образом, подобный контакт металла с полупроводником обладает практически односторонней проводимостью и может служить элементом выпрямляющего устройства в цепи переменного тока. [c.235]

Полупроводниковые элементы с запирающим слоем (используется запирающий слой). [c.313]

Коэффициент полезного действия. . . Температура запирающего слоя (макси- 0,78 0,92 0,985 0,996 [c.316]

Этим видам фотоэффекта соответствуют три основные группы фотоэлементов — приборов, превращающих световую энергию в энергию электрического тока фотоэлементы с внешним фотоэффектом (вакуумные и газонаполненные) фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления или фоторезисторы) фотоэлементы с запирающим слоем (вентильные или нолуиронодниковые). [c.156]

При облучении слоя оксида меди (I) в ней, благодаря внутреннему фотоэффекту, возникают свободные электроны. На границе между оксидом меди (I) и медной пластинкой образуется очень тонкий (10 —10 см) слой 2, пропускающий электроны только от СнаО к Си и препятствующий их обратному движению. В результате медь заряжается отрицательно, а оксид меди (I) — положительно. Между этими слоями появляется разность потенциалов, поддерживаемая действием излучения. Таким образо.м, во внешней цепи возникает постоянный ток от Си к СигО (направление движения электронов обратное). Наличие такого вентильного, или запирающего, слоя обусловливает выпрямляющее действие устройства и наблюдается во многих полупроводниках. Отсюда фотогальванический эффект часто называют вентильным, или фотоэффектом в запирающем слое. [c.170]

Свет, падающий на поверхность закиси меди, пройдя тонкий её слой, на границе запирающего слоя вызывает движение электронов. Эле строны, пройдя запирающий слой, могут вернуться в первоначальное положение только через внешнюю цепь, поскольку сопротивление запирающего слоя в обратном направлении весьма велико. При этом закись меди получает положительный потенциал, а медь — отрицательный. Под действием возникшей таким образом электродвижущей силы во внешней цепи появится ток, величина которого будет пропорциональна освещённости. Интегральная чувствительность фотоэлементов с запирающим слоем — купроксных 100—200 и 400 — 500 MKajAM. [c.547]

Электрич. поле К. р. п. изменяет концентрации свободных носителей заряда (электронов, дырок) в при-контактном слое. Когда концентрация оси. носителей заряда Б полупроводниках понижается, прикоитактный слой представляет собой область повыш. сопротивления (запирающий слой). Т. к. концентрация носителей и, следовательно, сопротивление контакта изменяются несимметрично в зависимости от знака приложенного напряжения, то контакт двух полупроводников обладает вентильным (выпрямляющим) свойством. С К. р. п. связаны также вентильная фотоэдс, термоэлектричество В ряд др. электропных явлении. Па существовании [c.445]

ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД (Эсаки диод) — полупроводниковый диод, содержащий р—л-переход с очень малой толщиной запирающего слоя. Действие Т, д. основано на прохождении свободных носителей заряда (электронов) сквозь узкий потенн- барьер благодаря квантовомеханич, процессу туннелирования (см. Туннельный эффект). Поскольку вероятность туннельного просачивания электронов через барьер в значит, мере определяется шириной области пространств, заряда в р — -переходе, Т. д. изготовляют на основе вырожденных полупроводников (с кон-центрагшей примесей до Ю - —10 м ). При этом получается резкий р—п-переход с толщиной запирающего слоя [c.174]

Вещества, занимающие по ряду физических свойств, в том числе и по проводимости, промежуточное положение между проводниками и непроводниками, называются полупроводниками. Некоторые полупроводники обладают свойством образовывать на граничной поверхности между полупроводником и металлом запирающий слой — слой, пропускающий ток только в одном направлении. Полупроводники используют также для изготовления фотоэлементов, термистеров и др. В качестве полупроводников применяют кремний, селен, германий, графит. [c.121]

Материалы для диодов с запирающим слоем и транзисторов Ge, Si, GaAs, СигО- [c.315]

Фотометрические кривые были вычерчены как для стандартной инфракрасной лампы для сушки Мазда 250 вт, наполовину посеребренной и наполовину матированной, так и для такой же лампы, но в прозрачной колбе (не матированной и не посеребренной). Эти кривые были получены с помощью фотоэлемента с запирающим слоем (вентильный фотоэлемент) на распределительном фотометре. Они смогут облегчить работу многих конструкторов и потребителей инфракрасных сушилок и печей. [c.217]

Смотреть страницы где упоминается термин Запирающий слой : [c.159] [c.170] [c.174] [c.278] [c.42] [c.134] [c.135] [c.547] [c.533] [c.214] [c.174] [c.657] [c.466] [c.211] [c.211] [c.315] [c.211] [c.211] [c.315] [c.315] [c.120]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...