Спектр ванадия

Возникновение F D°- и D 0 -мультиплетов в спектре ванадия, V 1. [c.274]

При стилоскопировании между электродом из меди, угля или чистого железа и деталью возбуждается электрический разряд. Световые лучи от разряда направляют в систему линз и призм, в которых они разлагаются по длинам волн в линейчатый спектр. Раскаленные пары каждого металла имеют свои вполне определенные линии в спектре, свойственные только одному этому металлу. Спектр сплава складывается из спектров металлов-компонентов, Если, например, в состав стали входит хром, то в спектре паров стали обязательно имеются линии хрома. Чем выше содержание хрома в стали, тем ярче его линии. По наличию характерных ярких линий в спектре паров стали можно быстро определить наличие легирующих элементов. Наличие хрома, молибдена, ванадия и других элементов определяется на глаз. Качественное определение легирующих примесей при помощи портативного переносного стило-скопа в заводских или монтажных условиях занимает доли минуты. [c.233]

Вместо сложного и отнимающего много времени химического анализа для быстрого качественного и приближенного количественного анализа сталей и различных цветных сплавов широкое применение имеет спектроскопический метод анализа, осуществляемый с помощью стилоскопа. Этот метод состоит в том, что в спектре сплава с помощью стилоскопа находят характерные линии элементов (качественный анализ), а по интенсивности этих линий приближенно определяют содержание элементов (количественный анализ). Стило-скоп позволяет обнаруживать наличие и определять количество хрома, воль-фрама, марганца, ванадия, молибдена. [c.143]

К для удаления воды. Для сравнения измеряли время жизни позитронов в крупнокристаллическом спеченном образце карбида ванадия того же состава V o,875- Полученные спектры времени жизни позитронов показаны на рис. 1.14. [c.60]

В качестве примера приводится фотография участка спектра стали, содержащего аналитические линии ванадия (фиг. 2). [c.51]

Фиг. 2. Участок спектра стали с линия.ми ванадия. Если линия ванадия 1 равна по интенсивности линии железа 2, то ванадия содержится 0,8 /,-, если она равна линии железа —ванадия 1,2 /о если та же линия равна линии железа 4, —ванадия 2- /с.

Спектры поглощения исследованных корундов следует считать характерными для трехвалентного ванадия в 6-й координации [1, 10, 13, 17, 38, 44, 132]. [c.205]

Исследованиями спектра парамагнитного поглощения ванадиевого корунда подтверждается трехвалентное состояние ванадия в корунде. Малое значение времени спин-решеточной релаксации нри комнатной температуре позволяет наблюдать спектр ЭПР лишь при температуре 4,2°К [183-185]. [c.208]

Исследование спектров при низких температурах показало наличие узких полос поглощения, характерных для хрома и ванадия [2, 14, 15, 68]. При этом проявляется структура, характерная для хрома и ванадия, расположенная в различных частях спектра. Приведенные выше данные указывают на изоморфное вхождение обоих ионов в решетку. Данные радиоспектроскопических исследований этих образцов подтвердили изоморфное замещение АР в решетке корунда трехвалентными ионами хрома и ванадия. [c.208]

Авторы [242] исследовали спектры пламени реакций взаимодействия алюминия с окислами ванадия и железа. Для регистрации спектра использовали спектрограф ИСП-51 с камерой у = 270 мм. Образцы для съемки спектров приготовляли в виде цилиндрических штабиков диаметром 8 и высотой 10—15 мм. Состав их рассчитывали но уравнению химической реакции, в которой стехиометрический коэффициент при алюминии равен з. [c.126]

Наконец, в спектре Ti I встречаются электронные конфигурации Sd" и 3d2 4p2, первой из которых соответствуют термы Р, G, а второй — D, D, F, G. Ближайшими к нормальному являются квинтетные термы 3d3( F) 4з Р ), которые лежат выше нормального всего на =г 6500 Спектр Ti 1 был впервые достаточно полно разобран Ресселем [38-40] который уложил в серии свыше 1400 линий. Им также был исследован сходный со спектром Til спектр однажды ионизованного ванадия (VII). Так как по [c.269]

Адгезия к окислам металлов и металлических пленок, осажденных на окисную подложку, во многом определяется образованием химических соединений [3], в частности окислов [5, 10, 12L При исследовании тонких пленок молибдена и ванадия, напыленных на подложки SiOj и AlaOg, необходимо обратить внимание на возможность обнаружения на межфазной границе пленка — подложка окислов молибдена и ванадия соответственно. Однако в то время как металл обладает максимально возможным коэффициентом поглощения К Ю —10 смг ) в очень широкой области спектра от жесткого ультрафиолета и до радиоволн включительно, окислы в широких спектральных участках обладают значительно меньшим коэффициентом поглощения [14]. Поэтому сравнительно небольшие по интенсивности полосы поглощения окислов практически невозможно обнаружить на фоне мощного поглощения чистого металла. Лишь в определенных участках спектра, в которых начинаются собственные поглощения, обусловленные междузонными переходами, величина поглощения окисла может в какой-то мере приближаться к коэффициенту поглощения металла. Для обнаружения окислов молибдена и ванадия по оптическому пропусканию тонких пленок, напыленных на окисные подложки, необходимо было выбрать такой спектральный интервал, в котором происходит резкое изменение величины коэффициента поглощения окисла молибдена или ванадия) от сравнительно небольших значений до значений, близких к их металлическому поглощению. Только в этом случае можно обнаружить характерные спектральные изменения пропускания, которые будут указывать на наличие того или иного окисла. Так как при высоких температурах, начиная с 800° С и выше, стабильны только [c.19]

Окисел ванадия VOj имеет структуру рутила (TiOj) [8] и обладает сильной полосой поглощения [15] в области 300—600 нм, т. е. примерно там же, где и М0О3. Предполагается также, что соединения гомологичного ряда У 0зп-1 (4 > п > 8) также имеют структуру рутила [8]. Поэтому и для обнаружения образования окислов ванадия на границе раздела пленка — подложка целесообразно было выбрать область спектра 350—580 нм.. [c.20]

Анализ кривых спектрального пропускания для тонких пленок ванадия толщиной 200 А, напыленных на подложку SiOg, показывает, что при отжиге при 600° С образуется уже значительный слой окисла, что определяется как общим увеличением пропускания, так и характерным изменением пропускания в коротковолновой области спектра. Отжиг при 1150° С еще больше увеличивает [c.21]

Тепловой механизм записи позвсГляет регистрировать как видимую, так и инфракрасную часгь спектра излучения. Чувствительность носителя достигает 500 мкДж/см2 при разрешающей способности не хуже 2000 мм . Мощность, необходимая в режиме запоминания, составляет менее 0,5 Вт/см . Дифракционная эффективность, по данным [101], порядка 1%- Как и для всех других тепловых приемников, для записи на окислах ванадия необходимо облучение короткими импульсами. [c.167]

Рис. 1.14. Спектры времени жизни позитронов наноструктурированного порошка карбида ванадия V o,875 (1) и крупнокристаллического карбида ванадия V o,875 (2) [129].

Из спектров видно, что среднее время жизни позитронов в нанопорошке существенно превышает таковое в поликристалле. В спектре крупнокристаллического образца карбида ванадия присутствует только короткий компонент 157 =Ь 2 не, который соответствует аннигиляции позитронов в структурной вакансии углеродной подрешетки [137,138]. Количественный анализ спектра порошкового образца показал, что в нем наряду с коротким компонентом, равной 157 =Ь 2 не, присутствует длинный компонент 500 ПС с относительной интенсивностью /2 = 7%. Согласно [136] длинный комнонент обусловлен аннигиляцией позитронов в дефектах на поверхности частиц. Захват позитронов структурной вакансией означает отсутствие диффузии позитрона на большие расстояния в этом случае интенсивности комнонент пропорциональны объемным долям фаз, содержаш их дефекты разного типа. Таким образом, величина относительной интенсивности длинного компонента I2 совпадает с объемной долей поверхности AVqob = D-S/V в нанопорошке карбида ванадия. Оценка показывает, что поверхностный слой имеет толш ину AD от 0,5 до 0,7 нм и соответствует 3-4 атомным монослоям. [c.60]

Для ионов с четным числом электронов нижний штарковский подуровень может оказаться простым, немагнитным. В этом случае открывается возможность наблюдения ЯМР на ядрах, принадлежащих парамагнитным атомам. Обычно наблюдение ЯМР на ядрах парамагнитных атомов невозможно из-за большой ширины линий. Исследования ЯМР могут дать примерно ту же информацию, что и измерения спектров ЭПР. Недавно такого рода эффект ЯМР на ядрах ванадия, внедренного в кристалл корурзда, был наблюден в Казани [242]. [c.81]

Корунд, содержащий ванадий ( александрит ). Корунд с примесью ванадия имеет александритовую окраску при дневном свете — зеленоватую, при электрическом — фиолетово-розовую [182]. Поэтому он применяется для имитации природного александрита. Для ванадиевого корунда, имеющего отличную от природного александрита структуру, характерно наличие двух полос поглощения (рис. 1,6), соответствующих примерно одним и тем же длинам волн для обыкновенной и необыкновенной волн. В видимой области спектра, где расположена менее интенсивная полоса поглощения, плеохроизм почти отсутствует в коротковолновой области полоса поглощения для необыкновенной волны значительно более интенсивна, чем для обыкновенной. [c.205]

Данные парамагнитных исследований хщентифицируют кобальт в корунде, как Со [193, 197—200]. В отличие от других примесей в корунде (ванадий, титан, хром) время релаксации Со в корунде значительно более длинное [198, 200]. Поэтому представляло интерес совместное введение хрома и кобальта в корунд. Для этой цели были получены образцы рубина с различными добавками кобальта. Исследования оптических спектров поглощения этих образцов (рис. 1, и) указывают на наличие в них как кобальта (очень интенсивная полоса поглощения с максимумом Ящах = 250 нм), так и хрома (полосы поглощения с максимумами Хщах = 410 нм и Я,щах = 555 нм). Парамагнитные исследования этих образцов подтвердили наличие в кристаллах кобальта (Со ) и хрома (Сг ). [c.209]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...