ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Анализ кривых спектрального пропускания для тонких пленок ванадия толщиной 200 А, напыленных на подложку SiOg, показывает, что при отжиге при 600° С образуется уже значительный слой окисла, что определяется как общим увеличением пропускания, так и характерным изменением пропускания в коротковолновой области спектра. Отжиг при 1150° С еще больше увеличивает [Выходные данные]