Покрытия резистивные

В последние годы получил развитие еще один метод нанесения покрытий в вакууме — ионное осаждение, представляющее собой термическое напыление в газовом разряде (ионизация и испарение материалов в вакууме). Материал покрытия испаряется при невысоком вакууме ( 10 Па) на подложку при этом подается достаточно высокий отрицательный потенциал относительно тигля с испаряемым металлом. Часть паров металла ионизируется в плазме газового разряда, и ионы осаждаются на заряженной подложке, образуя покрытие с высокой степенью однородности по толщине. Характерная особенность ионного осаждения — использование процесса бомбардировки поверхности подложки (катода) потоком ионов высокой энергии как перед осаждением покрытия для очистки поверхности, так и в процессе формирования покрытия. Ионизация осуществляется газовым разрядом (в среде Ar, Ne, Не), а термическое испарение материала покрытия резистивным, электронно-лучевым или электродуговым способами — в вакууме порядка 10 Па. [c.11]

Полимерные пленки и покрытия. Для защиты РЭА от коррозии, для герметизации и защиты полупроводниковых приборов и ИС, в качестве клеевых и резистивных слоев, для отделочных и декоративных целей широко используются полимерные пленки и покрытия. [c.73]

Установки для вакуумного конденсационного напыления покрытий классифицируются по ряду признаков. В зависимости от режима работы установки бывают периодического или полунепрерывного действия. Ось рабочей камеры располагается вертикально и горизонтально. По структурному строению установки делятся на одно- и многопозиционные. Средства откачки среды бывают масляные и безмасляные, низко- и высоковакуумные, а типы распылительных устройств - термического распыления, взрывного дугового испарения-распыления, ионного распыления, комбинированные. Применяют несколько типов установок, различающихся между собой способом нагрева испаряемого материала. К ним относятся установки с резистивными, электронно-лучевыми, высокочастотными индукционными и дуговыми испарителями. [c.375]

Резистивное испарение — первый способ нанесения тонкопленочных покрытий в вакууме, до недавнего времени наиболее широко применяемый. Его отличительные особенности простота, удобство контроля и регулирования режимов работы испарителя, возможность получения покрытий разного химического состава. [c.111]

Па) и нагревают до температуры, при которой давление его паров достигает порядка 1 Па. Теплоту к испарителю можно подводить различными методами резистивным, индукционным или злектронно-лучевым. Защищаемую поверхность располагают на пути потока паров металла, которые, конденсируясь, образуют при соответствующих условиях плотное, прочно сцепленное с основой покрытие. [c.9]

Попытка количественного сравнения различных методов нанесения покрытий в вакууме предпринята авторами работы [245], причем в каждом из методов учтены их разновидности. Так, метод термического напыления рассмотрен с точки зрения резистивного метода нагрева испаряемого материала, электронно-лучевого и взрывного с непрерывной догрузкой тигля порошком испаряемого материала. В методе катодного распыления рассмотрены обычное высокочастотное распыление и высокочастотное распыление при наличии отрицательного потенциала на подложке. Метод ионного осаждения представлен процессами с применением плазмы, получаемой в разряде постоянного напряжения и в высокочастотном поле, причем каждая из этих разновидностей рассмотрена с точки зрения резистивного и электронно-лучевого испарителя. Для возможности сравнения все рассматриваемые процессы нанесения покрытий были отнесены к вакуумной камере одного и того же размера — цилиндр диаметром 60 см. [c.16]

Какие условия должны быть выполнены, чтобы в среде возникла волна отрицательной энергии Очевидно, для этого нужно, чтобы медленная волна имела возможность отдавать некоторую часть своей энергии среде или другим волнам. Проиллюстрируем это на примере резистивного усилителя [8] (рис. 10.1). Предварительно модулированный во входном устройстве электронный пучок проходит через диэлектрическую трубку, внутренняя поверхность которой покрыта поглощающим слоем, и наводит в нем переменный заряд. Поля, создаваемые наведенными зарядами, в свою очередь, воздействуют на электронный пучок и изменяют переменную составляющую тока пучка. После прохождения трубки поток попадает в выходное устройство. [c.205]

Основные ограничения по химическому составу покрытия касаются содержания катионов Li+, Na , К , диффузия которых из покрытия в резистивные элементы ГИС снижает их сопротивление. Это требование удовлетворяют двумя путями минимальным содержанием, а еще лучше полным исключением щелочных оксидов из состава покрытия, либо резким ограничением подвингности щелочных ионов. [c.141]

Получение покрытий производится в вакуумных металлиза-ционных установках с помощью испарительных элементов (тигли, лодочки, кюветы), которые в зависимости от способа нагрева делятся на испарители косвенного (индукционный, электронно-лучевой) и прямого (резистивный) нагрева. [c.124]

В последние годы расширились области применения тонкопленочных металлических покрытий на неметаллах — стекле, слюде, керамике, пластмассах, ситаллах и т. п. [35]. Следует подчеркнуть, что поведение электронов в тонких пленках качественно отличается от поведения в массивах благодаря возникновению новых, так называемых квантовых, размерных эффектов. Это явление используют, в частности, в тонкопленочных микросхемах, составляющих основу современной микроэлектроники. Микросхемы включают в себя как один из элементов проводящие металлические пленки на диэлектриках. Проводящие пленки разделяк)тся на низкоомные (Аи, Ад, Си, А1, Мп, Сг, Т1), резистивные (Та, Ке, Мо, Ш) и магнитные (Ре, Со, Н1) [142]. [c.98]

Нагрев стали, необходимый для дегазации, обеспечения хорошей адгезии и равновесной структуры покрытия, можно проводить в одной камере, но из экономических соображений целесообразно разделить этап дегазации на две части с тем, чтобы основная масса растворенного в стали газа выделялась в первой камере при давлении порядка 10 Па, а окончательное обезгажи-вание проводилось в более высоком вакууме. Для нагрева непрерывно движущейся стали применяют резистивный метод или электронно-лучевой со сканированием луча по поверхности полосы. В одной установке иногда применяют оба метода предварительный нагрев в камере 8 проводится резистивным методом, а окончательный — в камере 9 электронно-лучевым. [c.213]

По механическим свойствам ситаллы также более пригодны для поставленной задачи (не имеют волнистости, чистота обработки может не уступать обработке стекол). Однако их теплопроводность не может быть повышена более чем в 2 раза. В этой связи представляет интерес высокоглиноземистая керамика 22ХС, покрытая с одной стороны с целью увеличения класса чистоты слоем бесщелочного стекла — глазурью Уралит . Слой глазури толщиной 70—100 мкм уменьшает теплопроводность стекла в 3 раза (теплопроводность керамики, по данным [4], при температуре 300 °К равна 12,48 вт м-град). Правда, покрытие глазурью хотя и понижает шероховатость до 250 А, делает поверхность подложки волнистой. Это снижает ее преимущества при исследовании в резисторах, однако данные [5] говорят о том, что можно получить глазурованные подложки с достаточно гладкой стекловидной поверхностью. В этом случае керамические материалы могут стать наиболее перспективными для резистивных элементов. [c.90]

Стародубровскнй Р. К. Влияние неравномерности резистивного покрытия на согласование нагрузок. — Техника средств связи. Радиоизмерительная техника, 1977, выи. 5, с. 20—23. [c.284]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...