Фотонов детектор

Какова вероятность зарегистрировать п фотонов детектором В и П2 фотонов — детектором [c.421]

Чему равна вероятность зарегистрировать щ фотонов детектором В и П2 фотонов — детектором В2 [c.421]

Фотонное эхо 409, 416, 435 Фотонный шум 182 Фотонов детектор 55, 170, 173 [c.511]

Альтернативой является узкополосный приемник, или фотонный детектор, такой как фотосопротивление или фотоэмиссионные элементы. Они имеют сушественно меньшее время реакции (микросекунды, а не миллисекунды) и работают только в узкой полосе длин волн. С ними иногда применяются светофильтры для того, чтобы еще сильнее сузить эту полосу. Выходной сигнал такого приемника пропорционален [c.329]

В фотонных детекторах фотоны инфракрасного излучения взаимодействуют с электронами материала детектора и увеличивают их энергию, в результате чего происходит изменение проводимости или возникновение фото-э. д. с. Если энергия фотонов достаточно велика, то электроны могут совершенно покинуть поверхность детектора, как в фотоэлементе. [c.460]

Преимуществом термических детекторов с зачерненной приемной поверхностью является независимость их коэффициентов передачи от длины волны излучения. Фотонные детекторы являются селективными — они реагируют на излучение только в определенных участках спектра. У термических детекторов быстродействие относительно мало, постоянная времени у них измеряется миллисекундами (тогда как у фотонных детекторов — микросекундами) и, кроме того, они менее чувствительны, так как в них происходит двукратное преобразование энергии. [c.460]

Спектральный предел чувствительности фотонных детекторов зависит от их материала. В фотоэлементах энергия фотонов должна быть достаточно большой, чтобы преодолеть работу выхода электронов. Большинство фотоэмиссионных поверхностей делается из цезия, так как у него наименьшая работа выхода электронов (при соответствующей обработке поверхности эффективная работа выхода может доходить до 1 эв). Энергия кванта (в электронвольтах) определяется по уравнению [c.460]

У фотонных детекторов, чувствительных к более длинным волнам (более 1,2 мкм). при возбуждении электронов последние переходят из валентной зоны в зону проводимости и перемещение электронов и дырок создает проводимость соответствующего типа. Для таких детекторов используются полупроводники (обычно в форме тонких монокристаллов). Их чувствительность может быть увеличена на несколько порядков путем охлаждения, например, до 77° К. Полупроводниковые материалы, используемые для детекторов, делятся на два типа фотопроводники, у которых при облучении увеличивается проводимость, и полупроводники фотогальванического типа, у которых благодаря р — -переходу возникает небольшая э. д. с. [c.461]

Имея в виду прогресс современной оптики, сделаем два замечания. Во-первых, появились лазеры, генерирующие световые поля напряженностью до 10 —10 В/м. Это существенно упрочило позиции классических волновых представлений в оптическом диапазоне. Во-вторых, созданы детекторы, реагирующие фактически на отдельные фотоны. Это позволяет детектировать излучение предельно слабых источников света и исследовать корпускулярный (квантовый) характер оптических полей. [c.85]

Будем постепенно уменьшать интенсивность света от источника. Освещенность экрана-детектора будет при этом, естественно, уменьшаться. Однако интерференционный характер кривой I (х) сохранится. Увеличивая время экспозиции, можно получить на фотодетекторе интерференционную кривую I (х) при сколь угодно малой интенсивности светового пучка — даже тогда, когда через интерферометр проходят уже не световые волны, а отдельные фотоны. Как показывает опыт, распределение попаданий фотонов дает на фотодетекторе такую же интерференционную картину, как и от световых волн. [c.95]

Микрообъект в интерферометре и интерференция амплитуд вероятностей. Вернемся к первому опыту, рассмотренному в предыдущем параграфе. Электрон (или фотон) совершает переход из начального s-состояния в конечное х-состояние (микрообъект регистрируется вблизи точки с координатой X на экране-детекторе). При этом микрообъект проходит через щель А или Б. Таким образом, имеются две альтернативы. Амплитуды вероятностей для этих альтернатив представим в виде [c.102]

Регистрируемая на экране-детекторе кривая 1 х) соответствует распределению попаданий микрообъектов, которое определяется вероятностью <л 5>р. Интерференционный характер кривой / (х) обусловлен наличием в lP слагаемых и . Таким образом, интерференционное распределение попаданий микрообъектов (электронов, фотонов или других) на экране-детекторе, наблюдаемое при обеих открытых щелях, есть следствие интерференции амплитуд двух возможных переходов микрообъекта из заданного начального в заданное конечное состояние. [c.102]

А и Б, рассматриваемых по отдельности, 2-е обусловлено интерференцией амплитуд. Благодаря наличию последнего слагаемого наблюдается интерференционное распределение попаданий электронов на экране-детекторе. Напомним, что в рассмотренном случае предполагалась достаточно большая длина волны излучения, поэтому фотоны не могли контролировать прохождение электронов через щели. [c.104]

Будем теперь уменьшать длину волны излучения. При этом будет уменьшаться вероятность попадания рассеянного электроном фотона в чужой приемник (например, вероятность попадания фотона, рассеянного у щели А, в приемник fa). Это означает, что с уменьшением длины волны излучения должна уменьшаться амплитуда яр2. Уменьшение же амплитуды яр2 понизит, как это видно из (5.1.12), относительный вклад интерференционного слагаемого. В результате наблюдаемая на экране-детекторе интерференционная картина начнет смазываться. [c.104]

При движении фотона вверх (когда источник света внизу, а детектор вверх ) должно наблюдаться красное смещение частоты фотона, а при движении вниз (источник вверху, детектор внизу) - фиолетовое смещение. [c.211]

НИТЬ интерференцию взаимодействием различных фотонов (см. 5). В рассматриваемом случае это доказывается уменьшением интенсивности потока фотонов от источника S в интерферометр до столь малых значений, при которых в пределах интерферометра не может находиться в среднем более одного фотона. При этом наблюдаемая интерференционная картина при соответствующем увеличении времени экспозиции не изменяется, являясь доказательством утверждения, что фотон интерферирует сам с собой . При той же малой интенсивности можно убедиться с помощью двух детекторов, включенных в схему совпадений и установленных в соответствующих точках на путях AB D и AB D, что всегда фотон детектируется либо на пути AB D, либо на пути AB D, и никогда на обоих путях одновременно. Общее число фотонов, падающих на пластину А, равно сумме чисел фотонов, детектируемых на пути А В 2D и А В 2D (закон сохранения энергии). Это еще более надежно подтверждает положение, что фотон интерферирует сам с собой . [c.411]

При токовом режиме используется некоторый усредненный непрерывный сигнал, появляющийся на выходе детектора от попадания в него большого количества ядерных частиц или фотонов. [c.375]

В результате этих воздействий возникает один или несколько из четырех видов частиц электрон ,i, фотоны, ионы, нейтральные атомы или молекулы. Эти частиць несут информацию о поверхности на соответствующий детектор. Информация позволяет получать сведения [c.150]

Перечень наиболее вероятных источников ошибок в ПРВТ обширен. Это амплитудные погрешности экспериментальной оценки интегральных проекций, немоноэнергетичность и неидеальная коллимация используемого на практике рентгеновского излучения, конечные размеры апертур детектора и источника излучения (конечная толщина контролируемого слоя), неоптимальные интервалы дискретизации при сборе измерительных данных, приближенный и неоптимальный характер реализуемого цифрового алгоритма реконструкции, инерционность и нелинейность измерительных цепей, погрешности задания геометрии проекций в системе координат контролируемого изделия, многочисленные нестабильности (от пульсаций энергии фотонов излучения и питающих напряжений до механических вибраций коллиматоров), разнообразие структуры, [c.409]

Из соотношения (40) видно, что некоторого улучшения метрологических характеристик в плоскости сечения можно добиться за счет потери пространственного разрешения в поперечном направлении. Однако выбор толщины контролируемого сечения дол- жен производиться с учетом реальной пространственной структуры объекта контроля р, (х, у, г) и типичных дефектов (см. ниже). Значительное внимание при проектировании систем ПРВТ должно уделяться повышению эффективности использования прямых фотонов, прошедших сквозь объект контроля (параметр (5), путем повышения квантовой эффективности детекторов и оптимизации конструкции коллиматоров. [c.412]

В [13] приведены результаты систематических вычислений по программе MM R-2 эквивалентной дозы нейтронов и вторичных фотонов для расстояний источник — детектор до 2 км, 10 энергий нейтронов источника от тепловых до 400 МэВ, пяти углов коллимации. На основе обработки результатов расчетов получены простые формулы, хорошо описывающие дозовые распределения нейтронов и вторичных фотонов. [c.326]

Наблюдение картины интерференции можно осуществить измерением ][о-тока короткоживущнх 2Я-атомов. Детектор, расположенный за второй границей, будет 1№гистриро-вать фотоны, отвечаюп ,ие [c.155]

При A(D >Sg (рентг. или 7-излученпе) Г. н. з. состоит из первичного акта ионизации, при к-ром возникают носители большой энергии ( w), и множественных процессов ударной ионизации, в к-рых образуются новые электронно-дырочные пары. При этом Т1>1, однако g. Последнее связано с необходимостью сохранения импульса в элементарных актах рождения электронно-дырочных пар с возбуждением колебаний решётки. При Tia Sg часто пользуются приближённой ф-лой r h -iSg. Аналогичным образом протекает Г. н. 3., если вместо фотонов использовать заряж. частицы больнюй энергии S >Sg (электроны, протоны, ос-частицы ИТ. п. см. Полупроводниковый детектор частиц). [c.435]

Hojtiroro числа процессов, идущих при столкновенпи р и р. При идентификации VV -бозонов рассматривались события, в к-рых возникал злектрон (позитрон) с большим нонеречны.м импульсом. Электроном считалась одиночная заряж. частица, зарегистрированная центр, детектором, эиергпя к-рой (—40 ГзВ) полностью поглотилась в электронно-фотонном И. к., а нрофнль каскада соответствовал ЭФК. При этом энергия, выделенная в И, к., совпадает с измеренной в центр, детекторе. [c.192]

Цеитр. часть установки (центр, детектор) представ.ия-ет собой дрейфовую камеру в маги, иоле, к-рая позволяет восстановить траектории частиц, рождающихся при столкновении рр, и определить их имиульсы. Цеитр. детектор вдоль своей длины (6 м) окружён 48 полуципиНдрич. электронно-фотонными И. к., в к-рых поглощаются электроны, позитроны и фотоны и к-рые измеряют энергию ятих частиц. Они состоят из слоев сцинтиллятора и РЬ, Энергичные адроны проникают через них в адронный Kaj opnMeTp, к-рым слу- [c.192]

X2,Xi), к-рый характеризует флуктуации пп-тенсивпости излучения, его находят пз экспериментов по совместному счету фотонов двумя детекторами. Подобно этому определяется коррелятор G" (,ri,. . . .г ж ,.. , Xi) из регистрации отсчётов фотонов п приёмниками или из данных лг-фотониого ноглощснил- [c.294]

Группировка й антигруппировка фотонов могут быть совместным свойством одного поля и могут проявиться как то или другое в зависимости от времени задержки между регистрацией фотоотсчётов двумя детекторами в эксиеримеите счёта совнадений, [c.295]

В отличие от рр-нейтрино, рождение ру-нейтрино происходит пороговым образом в фотонном газе со ср. энергией фотонов е большая часть Н. рождается с энергией, превышающей о = 4-10 т с гпрС /в чв б-10 /е ГэВ, где и Ир — массы пиона и протона, а е выражено в эВ. Почти для всех известных источников толща окружающего газа невелика (меньше 1 г/см ), в то время как фотонный газ для ряда источников (наир., ядер активных галактик) имеет столь большую плотность, что источник оказывается непрозрачным для нротонов высокой энергии. Это приводит к высокой эффективности генерации ру-нейтрино. Для многих историков генерация ру-нейтрино имеет пороговую энергию 5-10 ГэВ. Регистрация Н. с 5-10 ГэВ относится к нейтринной астрономии сверхвысоких энергий. Потеря в интенсивности потока Н. сверхвысоких энергий вследствие падающего спектра протонов компенсируется повышенной эффективностью генерации ру-нейтрино благодаря значит, возрастанию сечения взашюдействия Н. в детекторе (вследствие резонансного характера реакции Те - - е — —> адроны, имею- [c.257]

П. р. составляет примерно Рх Х/йсо 10" пар фотонов в секунду. Эта оценка показывает, что П. р, является эфф. источником двухфотонного света, т. е. излучения с парной корреляцией фотонов. Формально это свойство поля спонтанного П. р. выражается в необычной статистике фотонов, а именно корреляция чисел фотонов в модах, связапыых условием синхронизма, совпадает со ср. числами фотонов в каждой моде (т. е, в объёме когерентности) пп — пи = я = и 1 при этом относит, корреляция пп /пп много больше единицы (т. н. эффект группировки фотонов или сверхпуассоновской статистики ). Двухфотоеный характер поля П. р. может быть использован в фотометрии для абсолютного (безэталонного) измерения эффективности фото детекторов. Действительно, если априори известно, что фотоны попадают на счётчик фотонов (ФЭУ) только парами, по два, то вероятность появления на выходе счётчика двойного импульса ц , где г — квантовый выход счётчика, а вероятность одиночного импульса р, равна, очевидно, 2г[ (1 ц). Отсюда т] [c.544]

П. и. д. состоит из радиатора и собственно детектора (напр., дрейфовой камеры, рис. 2), регистрирующего рентг. фотоны, испускаемые частицей в радиаторе. Радиатор должен удовлетворять противоречивым требованиям эффективно генерировать и слабо поглощать РПИ. Поскольку интенсивность РПИ мала (в ср. 1 квант на 137 границ раздела), то применяют слоистые или пористые радиаторы с большим числом границ раздела из материалов с низким ат. номером. Слоистый радиатор представляет собой регулярную стопку, содержащую неск. сотен тонких (5—100 мкм) фольг или плёнок из лёгкого вещества (Ы, Ве, полипропилен, лавсан) с зазором 0,1—2 мм между ними. В качестве пористых радиаторов применяют гранулированный ЫН, лёгкий пенопласт, полипропиленовое или углеродное волокно. Толщина фольги (волокна) и ширина зазоров должны удовлетворять требованиям к длине формирования РПИ. Правильно подобранный нерегуляр- [c.578]

Для уменьшения поглощения фотонов в радиаторе П. и. д. секционируют каждая из секций содержит короткий радиатор вместе с устройством, регистрирующим рептг. фотоны. Материал радиатора, го.лщину фольги или волокна, ширину зазоров, число слоев в стопке, состав и толщину вещества регистрирующего устройства, число секций детектора при заданной его длине Ь предварительно оптимизируют на ЭВМ с целью обеспечить макс, число фотонов в наиб, удобном для регистрации энергетич. диапазоне (3—20 кэВ). Толщина радиатора в каждой секции, как правило, составляет 0,1—0,2 г/см , число регистрируемых фотонов 10—20 (т. е. ок, 0,1 на 1 см длины радиатора), число секций 10, 1- 3 м. [c.578]

Для регистрации фотонов РПИ пригоден любой газоразрядный детектор частиц с тонким входным окном, содержащий тяжёлый инертный газ (Хе, Кг, Ат), или твердотельный детектор Чаще всего применяют пропорциональную камеру или дрейфовую камеру (изредка стримерную камеру), а также сцинтилляционные детекторы и полупроводниковые детекторы. При этом возникает необходимость выделять сигнал РПИ на фоне ионизации, производимой быстрой заряж. частицей в том же детекторе. Из-за больших флуктуаций, характерных для обоих процессов, прямое вычитание вклада ионизации из суммарного сигнала невозможно. Для решения этой задачи пользуются неск. методами. 1) Отклонение частицы в магн. поле позволяет прост- [c.578]

Рабочие жидкости. Наиб, широкое применение получили жидкие водород, дейтерий, гелий и смесь водорода с неоном (криогенные П. к.) пропан, фреоны, ксенон и их смеси (тяжелошидкостные П. к.). Для изучу ния взаимодействий с протонами применяется жидкий водород (рис. 2), с нейтронами — дейтерий. Для изучения процессов, сопровождающихся образованием электронно-фотонных ливней, удобны Хе, пропан и др. тяжёлые жидкости (рис. 3). Смесь водорода с Не — также хороший детектор у-квантов (см. Гамма-излучение). Нек-рые характеристики рабочих жидкостей даны в табл. [c.178]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...