ВаТЮз

Бария титанат ВаТЮз [c.885]

Отличительной особенностью фазовых переходов II рода является то, что при этих переходах состояние тела меняется непрерывным образом. Структурный механизм такого перехода, объясняющий его основные черты, можно наглядно проиллюстрировать на примере перехода параэлектрической в сегнетоэлектрическую фазу в кристалле ВаТЮз. Выше точки перехода (120° С) эти кристаллы являются кубическими, причем атомы Ва расположены в [c.257]

Основу низкочастотной керамики составляют титанат бария ВаТЮз и твердые растворы на его основе. Эти материалы отличаются высокими значениями диэлектрической проницаемости и ее нелинейной зависимостью от напряженности электрического поля. [c.242]

Согласно Фельдману [11] ВаТЮз измельчается в очень тонкий порошок, смешивается со спиртом до образования пасты и наносится ровным слоем на вольфрамовую проволоку, имеющую диаметр около 1,4 мм, с которой осуществлялось испарение. Нить накала нагревается током, примерно в 100 а. [c.298]

По мере того как ВаТЮз испарялся, он разлагался на ВаО и ТЮа. Составляющая ВаО имеет более высокое давление пара и соответственно первой осаждается на подложке. Состав вновь сформированной пленки колеблется таким образом от ВаО на [c.298]

На пленках сегнетоэлектриков рядом авторов проведены структурные, оптические и диэлектрические исследования. Толщина пленки обычно определяется по весу, принимая в случае ВаТЮз плотность р = 5,5 г/см . Для определения толщины тонких прозрачных монокристаллических пленок применяется интерферометр. Для установления относительного содержания элементов в пленке применяют рентгеновский спектроскопический [c.302]

ВаТЮз — титанат бария. [c.313]

Титанат бария (ВаТЮз) [c.313]

При изготовлении электромеханических преобразователей особенно ультразвуковых значительное распространение получил титанат бария. Как известно, титанат бария обладает в сегнето-электрической области при температуре от О до 120° С значительным пьезоэффектом. Точка Кюри для него находится около 120° С. Монокристаллы ВаТЮз в природе не встречаются и выращиваются искусственно по определенным методикам лишь в очень небольших размерах. [c.313]

Керамика титаната бария может быть несколько стабилизирована по температуре путем введения в ее твердый раствор малых добавок титаната свинца ВаТЮз и титаната кальция ТЮз. [c.314]

Зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика ВаТЮз от размера кристаллитов показана на рис. 3.16. Очевиден немонотонный характер зависимости с максимумом при X 800 нм, причем заметно влияние методов изготовления на величину г. Наличие максимума связывается с двумя эффектами рост г с уменьшением X в микронном интервале обусловлен влиянием фактора напряжений, а дальнейшее снижение е в субмикронном интервале интерпретируется как влияние совершенства поверхностей раздела. [c.68]

Рис. 3.16. Зависимость диэлектрической проницаемости ВаТЮз от размера зерна при Т = 289 К [68, 72]

Рис. 51. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости различных форм ВаТЮз и области их стабильности

Влиянию ионного внедрения шести различных элементов в поверхностные слои стали 45 на триботехнические характеристики при фреттинг-процессе посвящена работа [181]. Авторы рассматривают ионную имплантацию как технологию, позволяющую получать пленку-покрытие, своеобразный поверхностный сплав с переменным составом, постепенно переходящий в основной металл. Результаты испытания на изнашивание при фреттинг-коррозии показали, что образцы после имплантации изнашиваются меньше. Так, при внедрении ионов бария фреттинг-усталостная прочность при базе 10 — 10 циклов повышается более чем на 30%. Это происходит вследствие того, что во-первых, на поверхности образца образуется плотная, прочная и пластичная окисная пленка ВаТЮз, во-вторых, отсутствует явление схватывания, в-третьих, в поверхностных слоях наводятся весьма значительные напряжения сжатия. Нанесенные пленки уменьшают коэффициент трения на 10—17% и сохраняют его в течение длительного времени испытаний, причем изнашивается в основном неупрочненный контробразец. [c.106]

PbTiOs тоже превращается из тетрагональной формы в кубическую, но при 490° С. KNbOs обладает ромбической структурой при комнатной температуре, тетрагональной — выше 228° С, кубической — выше 435° С. Эти превращения являются результатом анизотропного расширения кристаллической решетки. ВаТЮз, например, расширяется по оси а и сжимается по оси с до достижения кубической структуры. [c.223]

Одной из разновидностей этого метода является разлив шликера на органическую подложку [3]. При этом были получены сегнетоэлектрические пленки из керамики сложных составов толщиной до 10 мк. Преимуществом является то, что исключается платина в качестве подложки и пленки могут быть получены любых размеров. Так, например, были получены пленки ВаТЮз Ва (Т18г) Оз Ва (Т12г) О3 толщиной от 100 до 10 мк. [c.295]

Существенной разницы между электрическими характеристиками пленок, полученных как методом электрофореза, так и путем осаждения, не наблюдается. Необходимо отметить, что последние имеют несколько меньший разброс диэлектрических параметров. Полученные пленки используются для изготовления малогабаритных конденсаторов и высокочувствительных нелинейных элементов схем. В качестве конденсатора хорошие свойства обнаружил материал ВаТЮз—В12 (5пОз)з. [c.297]

При определении диэлектрических свойств возможны погрешности, так как толщина пленки обычно определяется по весу. В случае тонких пленок из титаната бария напряженность электрического поля очень легко повышается и этим фактором не следует пренебрегать. Если это явление будет иметь место при очень низком напряжении, то возникнут серьезные затруднения при эксплуатации пленок титаната бария. Твердые растворы ВаТЮз—В12 (5пОз)з мало меняют свои характеристики от напряженности поля, е имеет величину около 4000, температурные характеристики также удовлетворительны, что позволяет использовать эти свойства в конденсаторах. [c.297]

Устойчивые огнеупорные, воздухонепроницаемые пленки с высокой диэлектрической постоянной могут быть получены при непрерывном плазменном напылении порошков ВаЛОз или ЗгТгОз [10, 38] на металлы, графит, керамику и стекло. Порошкообразный ВаТЮз — 85% частиц которого имеют средний диаметр 15 мк, распылялся с помощью плазменной горелки со скоростью 20 г мин на металлическую поверхность. Поверхность предварительно нагревалась до температуры бОО С и при проведении процесса поддерживалась температура около 700° С. Покрытие имело толщину в пределах 76—500 мк. Диэлектрическая проницаемость пленки е 530 при комнатной температуре. Этот метод может применяться для производства конденсаторов. [c.298]

При спекании на воздухе цвет пленки переходит в белый при относительно низких температурах (несколько сот градусов). Это относится к окислению восстановленного Т10а, однако ВаНОз, по-видимому, не образуется до температур 1000—1100° С, когда начинается реакция. Выше этой температуры состав, по-видимому, остается тем же самым и решающим фактором, определяющим свойства пленки, является величина зерен кристалликов ВаТЮд. Пленка, как указывает рентгеновская диффракция, состоит главным образом из ВаТЮз со следами непрореагировавших ВаО и ТЮа- [c.299]

Аналогичный метод выращивания монокристаллов ВаТЮз был предложен Ремейко [21]. Он предлагает выращивать ВаТЮз из смеси, содержащей 30% ВаТЮз, 0,2% Рв2Ози70% КР, РвгОз — вводилась для снижения диэлектрических потерь. [c.301]

Для получения монокристаллических пленок ВаТЮз толщиной до 1,5 мк и площадью 1x2 мм Ласт [22] предлагает травление монокристаллов ВаТЮз толщиной около 100 мк фосфорной кислотой, нагретой выше температуры Кюри титаната бария, с тем, чтобы предотвратить селективное травление доменов. В кубической фазе при 130° С травление протекает очень гладко со скоростью примерно один микрон в минуту. Толщина кристалла в ходе травления определялась с помощью микроскопа по цветам двупреломле ия. Нильсон, Линарес и Консе [23] очень подробно изучили влияние различных факторов на выращивание двойников по методу Ремейко. Они установили, что на выход кристаллов сильно влияют величина зерна исходного [c.301]

В работе Пулвари [26] приведены данные о возможности регулирования или исключения поверхностного эффекта. Им было найдено, что поверхностные свойства монокристаллов ВаТЮз можно менять в широких пределах двумя способами надлежащим изменением условий роста кристалла и введением оптимальных добавок ряда окислов. [c.303]

Широкое применение в технике имеют пьезоэлементы, изготовленные из сегнетоэлектрической керамики титаната бария. Сегне-токерамика ВаТЮз является синтетическим материалом и изготовляется по обычной керамической технологии. [c.313]

Углекислые соли и окислы некоторых металлов, взятые в соответствующих количествах, смешиваются и синтезируются в определенном температурном режиме в зависимости от исходных сырьевых материалов. Титанат бария синтезируется при температуре 1300—1320° С из двух основных материалов, углекислого бария (ВаСОз) 71 % и двуокиси титана (ТЮз) 29% по реакции ВаСОз+ + ТЮг = ВаТЮз + СОа- Полученный материал измельчается в тонкодисперсный порошок, из которого изготовляются элементы любой необходимой формы. [c.313]

Исследования твердых растворов за рубежом и в нашей етране показали, что введение в титанат бария небольшой добавки РЬТЮз повышает точку Кюри и смещает температуру второго фазового перехода в область еще более низких температур. Малая добавка СаТЮз также понижает температуру второго фазового перехода, не изменяя положение точки Кюри [63, 64]. Помимо этого, твердые растворы ВаТЮз с титанатом свинца (от 4 до 8% РЬТЮз) обладают большей коэрцитивной силой, а значит и большей стабильностью пьезосвойств во времени. [c.314]

Кроме разогревного механизма С.— Ш. э. возможен стрикционный механизм электрич, поле вызывает анизотропную деформацию кристалла, к-рая по-разному изменяет энергетич. положение долив. Этот механизм доминирует в многодолинных полупроводниках с высокой диэлекгрич. проницаемостью (напр., в ВаТЮз). [c.419]

Для размола и механохимического синтеза применяют планетарные, шаровые и вибрационные мельницы, средний размер получаемых порошков может составлять от 200 до 5—10 нм. Так, при помоле в шаровой мельнице борида p-FeB удалось получить порошок a-FeB со средним размером кристаллитов около 8 нм [108]. Механическая обработка титаната бария ВаТЮз в планетарной мельнице позволила получить нанокристалличес-кий порошок со средним размером частиц 5—25 нм [104]. [c.39]

Влияние высоких давлений на превращение вюрцитной модификации (гексагональной) в кубическую (типа МаС1) в полупроводниковых наночастицах было подробно проанализировано на примере Сб8е, Сб8, 1пР и 81 [29, 74]. В частности, для Сб8е было показано, что уменьшение диаметра частиц от 40 до Рис. 3.8. Влияние размера зерна на 20 нм приводит к росту давле-температуру перехода между мо- ния от 3,6 до 4,9 ГПа, при кодификациями ВаТЮз [68, 72] тором фиксируется фазовое пре- [c.58]

Тонкое измельчение порошков в вибрационной мельнице связано с хрупкостью и твердостью материалов. Для чистых оксидов (АЬОз, MgO и др.) измельчение будет зависеть от термической истории этого оксида. В такой же степени это относится к синтезированным соединениям муллиту 3Al203-2Si02, клиноэнстатиту Mg0-Si02, титанату бария ВаТЮз и др. [c.37]

Титанат бария применяют главным образом для изготовления пьезокерамических элементов и керамических конденсаторов. Он является искусственным материалом, его синтезируют из ТЮг и ВаСОз. Так как ВаТЮз лишен свойств пластичности, при изготовлении изделий из него используют органические связки. Наибольшее применение при производстве изделий имеют способы прессования, протяжки и горячего литья под давлением. Обычная для этих методов технология имеет несколько специфических особенностей. Технология изготовления изделий из ВаТЮз двухстадийная. Первая стадия заключается в синтезе BaTiOg. Большое значение имеет соблюдение сте-хиометрического отношения Ba0 Ti02=l. При его нарушении в любую сторону диэлектрическая проницаемость и пьезоэлектрические свойства титаната бария ухудшаются. [c.199]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...