Дефекты кристаллов двухмерные

Реально структура кристаллов отличается от приведенных идеальных схем, в них имеются дефекты. Точечными, нуль-мерными (по протяженности), дефектами являются пустые узлы, или вакансии (рис. 6, а) и межузельные атомы (рис. 6, б) число этих дефектов возрастает с повышением температуры. Важнейшими линейными (одномерными) дефектами являются дислокации (краевые и винтовые), представляющие как бы сдвиг части кристаллической решетки (см. линию ММ на рис. 6, в). Поверхностные (двухмерные) дефекты определяются наличием субзерен или блоков 1, 2 внутри кристалла (рис. 6, г), а также различной ориентацией кристаллических решеток зерен 3, 4 (рис. 6, д). По границам зерен решетка одного кристалла переходит в решетку другого, здесь нарушена симметрия расположения атомов. Дефекты кристаллов оказывают существенное влияние на механические, физические, химические и технологические свойства металлов (см. пр. 4). [c.19]

Границы зерен и двойников, дефекты упаковки, межфазные границы, стенки доменов, а также поверхность кристалла представляют собой двухмерные дефекты. [c.85]

Выше отмечалось, что дефекты упаковки, границы зерен и двойников, границы доменов, поверхность кристалла относятся к двухмерным дефектам. Рассмотрение вопросов, связанных с поверхностью и границами доменов, будет проведено в последующих главах. Здесь мы кратко остановимся на дефектах упаковки и границах зерен. [c.112]

К двухмерных дефектам относятся границы раздела между отдельными зернами и блоками в кристалле, которые можно рассматривать как совокупность дислокаций. [c.325]

Плоскостные (двухмерные) дефекты характерны для поликристаллических материалов, т.е. для материалов, состоящих из большого количества кристаллов, различно ориентированных в пространстве. Границы между ними обычно представляют собой скопление дислокаций (см. рис. 1.2, в). Плоскостные дефекты малы только в одном направлении в двух других они могут достигать размеров кристалла. [c.10]

Высокая дефектность образовавшейся после закалки и отпуска структуры 7т—мартенсита, наличие подвижных двухмерных дефектов типа границ двойников, высокие внутренние напряжения обусловливают высокий уровень демпфирования сплавов системы Мп—Си при малых и значительных амплитудах. За уровень демпфирования при малых амплитудах колебаний ответственно общее искажение атомной структуры, характерное для мартенсита, а при значительных амплитудах — обратимое перемещение подвижных дефектов,— двойниковых границ в возникших мартенситных кристаллах и между этим мартенситом и исходной матричной фазой. [c.304]

Двухмерные дефекты. Прежде всего, реальные кристаллы имеют мозаичную структуру. Они построены из блоков правильного строения, расположенных лишь приблизительно параллельно друг другу. Размеры блоков колеблются от 10 м до 10 м, величина углов между ними — от нескольких секунд до десятков минут. Поэтому кристаллическая решетка в местах соприкосновения блоков искажена по сравнению с решеткой идеального кристалла. Еш,е большее искажение наблюдается у границ зерен поликристалла, так как ориентация зерен друг относительно друга может отличаться на десятки градусов. Эти виды дефектов относятся к двухмерным (плоским) дефектам. [c.30]

Отметим принципиальное различие стабильности одномерной структуры по сравнению с двух- и трехмерными структурами. Удаление какой-либо частицы в одномерном кристалле приведет к его распаду на два кристалла (рис. 3.9, а). В двухмерной (рис. 3.9, б) и трехмерной структурах это приведет к образованию пустых узлов (вакансий) и нарушению строгой периодичности без распада структуры в целом. Реальные кристаллы обычно содержат значительное число точечных дефектов— вакансий, образующихся при высоких температурах за счет внутреннего испарения частиц и при бомбардировке кристаллов тяжелыми частицами (нейтронами и нонами). Вакансии в кристаллах играют важную роль в объяснении ряда явлений, например диффузии. [c.72]

Важнейшие поверхностные (двухмерные) дефекты структуры— границы зерен, дефекты упаковки и двойники. Дислокации могут иметь особые расположения в кристалле и создавать [c.228]

При разрастании трехмерного зародыша образуется грань кристалла, которая растет путем присоединения новых структурных элементов (ад-атомов). Такое поверхностное образование в несколько атомных слоев может рассматриваться как двухмерный зародыш. Образование центров кристаллизации первоначально происходит не по всей поверхности грани кристалла, а на активных местах — вершинах углов и ребрах кристаллов — недостроенных местах, а также на дефектах кристаллической решетки металла. [c.115]

В твердых диэлектриках, имеющих определенного рода дефекты, возможна электронная поляризация, обусловленная тепловым движением. Механизм такой поляризации рассмотрим на примере кристалла ТЮа (рутил), содержащего анионные вакансии. Двухмерная модель структуры Т1О2 с анионной вакансией изображена на рис. 8.7. [c.288]

Поверхностные дефекты. Энергия кристалла с той или иной поверхностью больше энергии равного количества того же материала, находяш,егося внутри кристалла (Т. е. не имеюш,его никакой поверхности). Свободная поверхность кристалла, границы зерен и блоков, двойни-ковая граница и когерентная и некогерентная межфазовые поверхности имеют поверхностные дефекты двухмерной протяженности (вакансии, дислокации, примесные атомы, микротреш,ины и др.). [c.35]

Двухмерными, или поверхностными, Д. являются дефекты упаковки, границы двойников (см. Двойиикова-ние) и зёрен (см. Межаёреи-иые границы), антифазные и межфазные границы в сплавах, сама поверхность кристалла. Поверхностные Д., обрывающиеся внутри кристалла, ограничены полными или частичными дислокациями либо дисклниациями. Трёхмерными, или объёмными, Д. являются поры, трещины, включения др. фаз, тетраэдры из Д. упаковки. [c.595]

Двухмерные дефекты типа двойников (см. Двойнико-вание), трещин или мартенситных включении также могут проявлять себя как дипамич. образования. Наряду с дислокациями они играют определяющую роль в пластичности и прочности кристаллов. [c.620]

Ош ибки упаковки представляют двухмерные дефекты, нарушающие строгую периодичность (когерентность) структуры кристаллов. Эти ошибки повыШ1ают внутреннюю энергию реального кристалла и оказывают влияние на его физические свойства (механические, электрические и др.), а также на процессы, происходящие в кристаллах. [c.77]

Классификация возможных структурных дефектов в рещетке кристалла возможна на основе их пространственной протяженности. Мы различаем поэтому точечные, линейные и поверхностные дефекты или соответственно нуль — мерные, одномерные и двухмерные дефекты. Важнейщие типы дефектов строения кристалла приведены ниже. [c.216]

Двойники также принадлежат к двухмерным дефектам структуры. Они могут возникать различными способами, например, во время роста кристаллов (двойники роста) и при механическом воздействии (деформационные двойники, механическое двой-никование). [c.231]

Предположив, что образуются двухмерные зародыщи, теоретически необходимые для роста идеальных кристаллов, можно определить скорости перемещения различных граней при постоянном переохлаждении. Однако экспериментальные значения переохлаждения оказываются значительно меньще, чем дает теоретическая оценка. Другими словами, скорость роста при данном переохлаждении АГ значительно больще теоретической. Эти расхождения во многих случаях обусловлены влиянием реальной структуры кристаллов, так как благодаря наличию дефектов структуры уменьщается или совсем не нужна работа образования двухмерных зародыщей при построении грани. Особенно эффективным для [c.335]

Первоначально активными местами являются вершины углов и ребер кристаллов, а также места с искажениями кристаллической решетки и другими дефектами поверхности катода. В этих местах сначала и возникают зародыши, которые растут, образуя новый слой за счет присоединения к грани новых структурных элементов (ад-атомов, ад-ионов), удерживаемых на ее поверхности силами притяжения. Таким образом, отложение вещества на гранях кристалла происходит не непрерывно, а периодическими слоями, путем возникновения и распространения двухмерных за-родышей- [c.13]

Рассматривая строение кристаллического микрорельефа осадков, С. С. Кругликов и Н. Я. Коварский [87] отмечают, что блеск электролитических покрытий в значительной мере определяется их кристаллической шероховатостью. Наибольшим блеском обладают покрытия, имеющие на поверхности лишь субмикронеровности, т. е. такие геометрические дефекты, размер которых не превышает 0,2 мкм. Авторы указывают, что на образование кристаллического микрорельефа поверхности электролитических осадков влияет много факторов структура подложки, энергетическая неоднородность выходящих на поверхность граней кристаллов, вероятность образования трехмерных и двухмерных зародышей, равномерность ингибирования поверхностно-активными примесями и т. д. [c.45]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...