Кривая Пашена

В однородном поле пробой наступает практически мгновенно по достижении определенного напряжения Unp. Между электродами возникает искра, которая при достаточной мощности источника напряжения может перейти в электрическую дугу. Для газов установлен закон Пашена при неизменной температуре пробивное напряжение газа зависит от произведения его давления р на расстояние d между электродами Un-p = f(pd). На рис. 23.1 эта зависимость представлена для воздуха и водорода. Для каждого газа характерно существование минимального значения пробивного напряжения при определенном значении pd (для воздуха 327 В при pd = 665 Па-мм). Минимальное пробивное напряжение некоторых других газов. В аргон 195 водород 280 углекислый газ 420. Если иметь в виду пробой на переменном напряжении, то приведенные данные относятся к амплитудным значениям. Как видно из рис. 23.1, при давлении, близком к нормальному (0,1 МПа), и реальных межэлектродных расстояниях произведение pd таково, что рабочая точка для воздуха находится на правой ветви кривой Пашена. Поэтому с увеличением р или d t/np растет, а при уменьшении их — снижается. Левая ветвь соответствует разреженным газам, так как меж-электродные расстояния порядка 0,001 мм при атмосферном давлении на практике не применяются. Для повышения Unp газовых промежутков используют как повышение давления (обычно до 1,5 МПа), так и глубокое разрежение газа (вакуум). При значительном снижении давления газа (левая ветвь кривой Пашена) Unp растет из-за затруднения образования газового разряда вследствие малой вероятности столкновения заряженных частиц с молекулами. Но рост не беспределен при давлениях порядка 10 —10- Па (10- —10— мм рт. ст.) газовый разряд переходит в вакуумный. Вакуумный же пробой обусловлен процессами на электродах, и поэтому Unp в вакууме зависит от материала и состояния поверхности электродов [13, 14]. [c.545]

Чем объясняется возрастание пробивного напряжения, по кривой Пашена — правее точки минимума и левее ее [c.39]

Рис. 1, Зависимости потенциалов зажигания от у (кривые Пашена) для различных газов.

Рис. 3.8. Кривые Пашена для некоторых газов

Газы применяются в качестве изолирующих сред при значениях ph, которые намного больше значений, соответствующих минимуму в кривых Пашена, т. е. обычно расчеты ведутся при использовании правой ветви этих кривых. При ph около 1000 Па-ем и более в определенных пределах по давлению, различному для различных газов (см. 3.7), можно пользоваться расчетной формулой [c.48]

В левой ветви кривой Пашена в противоположность тому, что имеет место в правой ветви с уменьшением произведения давления на расстояние ph. пробивное напряжение увеличивается. [c.60]

Рис. 28.2. Кривые Пашена для азота (/), водорода (2) и гелия (3) при низких температурах, приближающихся к температуре кипения

Качественно ход кривой Пашена (рис. 18.4) объясняется следующим образом. Эффективность процессов ударной ионизации определяется, во-первых, средним числом столкновений электронов, приходящимся на единицу длины пути и, во-вторых, вероятностью того, что столкновение электрона с молекулой или атомом закончится ионизацией. Одновременное действие этих двух факторов при разном диапазоне значений р и /г обусловливает величину (/ р газового промежутка при малых рк в основном влияет первый фактор, а при больших — второй. Положение минимума пробивного напряжения газов (327 В для воздуха, 280 В для водорода, 420 В для СО2) соответствует перегибу кривой зависимости а от , т. е. непосредственно связано с ударной ионизацией электронами. [c.148]

Рис. 18.4. Кривые Пашена для газов

Определение высокоэластической составляющей связано с известными трудностями, поскольку она сочетается с истинным течением. Нам представляется, что более целесообразно использовать в расчетах накопленную высокоэластическую деформацию. Последняя определяется путем продолжения линейного (установившегося) участка какой-либо кривой ползучести до пересечения с начальной ординатой (в пашем случае осью ординат). Это наглядно представлено на фиг. 3. [c.155]

Существует закономерность между пробивным напряжением, расстоянием между разрядниками и давлением воздуха и газов, выражаемая законом Пашена, представленным кривой рис. 3.13. Зависимость пробивного напряжения воздуха от барометрического давления при расстоянии между разрядниками, равном 1 см, представлена на рис. 3.14. Из рисунка видна линейная зависимость увели- [c.97]

Учет реальных элементарных процессов взаимодействия электронов с молекулами газа приводит к более строгим выражениям для а [2]. Хотя ф-ла (5) оправдывается в ограниченном интервале E p, она позволяет качественно обосновать Пашена закон и объяснить наличие минимума на кривой зависимости напряжения зажигания самостоятельного разряда (напряжения пробоя) от произведения р1. [c.114]

Вдоль инвариантных аналитических кривых с рациональным коэффициентом вращения все дви кения будут периодическими в интегрируемом случае с одним и тем же периодом 2кп. Именно на этом обстоятельстве основывается паше дальнейшее рассуждение. [c.256]

Рис. 2.6. Зависимость напрямгсния пробоя 1 роб от произведения pd (кривые Пашена) для аргона н неона

Схематич. изображение простейшего ТТР тина МТХ-90 приведено на рис. 4. Большое расстояпио от штыревого апода 3 до цилпндрич. катода бо [ьвюго диаметра 1 в условиях режима, соответствующего правой ветви кривой Пашена, определяет (л 2— отсутствие разряда. между катодом и сеткой) высокое йз осн. разряда. Малое рас- j. стояние сотка 2 — катод позволяет напряжением 70—90 В зажечь между ними подготовит. разряд с током 3 мкЛ. Последую-пщя подача па сетку через разделит, конденсатор импульса напряжения 10—20 В приводит к увеличению сеточного тока. [c.205]

Эта ф-ла неплохо описывает экспернм. кривые Пашена (рис. 3), имеющие минимум при следующих параметрах [c.511]

Как видно из (3.66), Us зависит от роН, а также от сорта газа [через коэффициенты Л и fi в формуле Таунсенда] и материала электрода (через у). Зависимости UsipoH), называемые кривыми Пашена, показаны на рис. 3.8 [c.101]

Учет процессоз гибели электронов из-за диффузии приведет, естественно, к росту Us- Это особенно заметно сказывается на левой ветви (при роН< роН)ш ) кривых Пашена. [c.102]

Таким образом, если электрическая энергия, созданная полем, выше или равна теплоте испарения пузырька малого объема, создаются условия, облегчающие пробой жидкости, п электрическая прочность может быть выражена уравнением пр—( n/S) (ен/вгг), где t/ —минимальное напряжение по кривой Пашена б — минимальный размер возникшего газового пузыря eri — диэлектрическая проницаемость пара, а 8га — диэлектрическая проницаемость жидкости. Такому пробою не будет предшествовать появление токов эмиссии, как это отмечается для гелия при низких давлени- [c.334]

Максимальное U. , допустимое в Т. (электрическая прочность), ограничено не только отрицательным напряжением апода i/qOp Р к-ром возникает о б-ратпое зажигание, как в газотроне, но и предельным положит, напряжением i/ p. U к С1бр Определяются пробоем газа между сеткой и анодом по левой ветви кривой Пашена. может ограничиваться также проникновением анодного ноля через сетку независимо от ее потенциала. [c.186]

Рие. 2. Кривые Пашена для разл. газов. По оси абсцисс отложены произведения р с1 в мм рт. ст.-мм, по оси ординат — напрянсение пробоя и в В. [c.863]

Хотя анализ реальных элементарньсх процессов взаимодействия электронов с молекулами газа приводит к более строгому выражению для а, теория Т, р., включая ф-лу (6), позволила обосновать Пашена закон, в частности, объяснить наличие минимума на кривой зависимости напряжения зажигания разряда от pd. Самостоятельный Т. р. наз. также тёмным разрядом. [c.43]

Результаты, полученные при измерениях на дифракционных спектрографах, обрабатывают другими методами. В Аргоннской лаборатории была создана установка Пашена с конфигурацией, столь близкой к круговой, что можно было измерить длины волн вполне с удовлетворительной точностью (0,001 см ), пользуясь формулой решетки тА. = d(sin 0 — sin 0 ). Лишь немногие решеточные системы подобного типа обеспечивают такую точность, так что прибор приходится калибровать по эталонам длин волн. Поскольку дисперсия нелинейна, необходимо вычислить поправочную кривую (обычно пользуются методом наименьших квад-эатов и полиномиальной аппроксимацией). При выборе эталонов необходима некоторая осторожность, так как не всегда можно сравнить линии в различных порядках (особенно для старых решеток — из-за ошибки, обусловленной затуплением резца). Поскольку более новые плоские решетки допускают такое сравнение, при выборе эталона длины волны допустима большая свобода. Почти то же самое относится к эшелле. [c.355]

Рассмотрим методику определения функции нелинейности f u) по экспериментальным кривым ползучести. Пусть, папример, известны результаты опытов па ползучесть при чистом сдвиге (рис. 10.1). При этом nie Tb уравнений (10.2) сведутся к одному, поскольку 3ij = о, кроме Э12 = 12, и Sij = О, кроме S12 = СГ12-Здесь 2 i2 — отпосительпый сдвиг, (J12 — соответствуюгцее касательное напряжение. В пашем случае [c.231]

Следствие 1. Пусть Ь — незамкнутая траектортш, пересекающая дугу без контакта I более чем в одной точке ( 1), М2 ( 2) — Две последовательные по t точки ее пересечения с дугой I ( < 2) и С — простая замкнутая кривая, состоящая из М1М2 траектории Ь и части М Мг дуги I (рис. 68). Если область Г, лежащая внутри кривой С, не содержит граничных точек области С, то она содержит по крайней мере одно состояние равповесия. Действительно, в силу леммы Г1 3, одна из двух полутраекторий или лея ит целиком (если ио считать ее начала) внутри кривой С. Пусть для определенности это полутраектория Все ее предельные точки лежат, очевидно, в области Г. Либо среди этих предельных точек есть состояние равновесия, и тогда паше утверждение доказано, либо множество этих предельных точек является замкнутой траекторией, лежащей в области Г. Но тогда по теореме 16 внутри этой замкнутой траектории, а следовательно, в области Г имеется хотя бы одно состояние равновесия. Утверждение доказано. [c.117]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...