Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Этан, иод

Сжиженный 4 Пропан 79, этан Е ), бутан 11 88,5  [c.123]

Парциальные мольные объемы могут быть вычислены с помощью графика мольного объема раствора этан — гептан как функции концентрации (рис. 49) по способу, описанному в примере 1 вместе с тем парциальные мольные объемы могут быть  [c.227]

Хотя уравнение состояния Ван-дер-Ваальса относительно просто в применении к вычислению свойств смеси, точность вычисленных результатов сомнительна. Для получения надежных результатов следует применять очень точное уравнение состояния. Известно, что по уравнению состояния Бенедикт — Вебб — Рубина риГ-свойства углеводородов и их смесей вычисляются с ошибкой только в несколько десятых процента. Для того чтобы показать влияние уравнения состояния на величину вычисленных свойств раствора, были определены парциальные мольные объемы смеси этан — гептан с помощью уравнения состояния Бенедикт—Вебб — Рубина и результаты сравнены с результатами, полученными по уравнению Ван-дер-Ваальса.  [c.228]


Рис, 49. Зависимость мольного объема раствора этан— гептан, вычисленного по уравнению состояния Ван-дер-Ваальса, от концентрации этана х при 400 °К и 20 атм  [c.228]

Рис, 51. Зависимость парциальных мольных объемов растворов этан-- гептан от концентрации этана, вычисленных  [c.230]

Рис. 57, Зависимость фугитивности компонентов смесей этан — гептан при 400 °К, 20 атм, вычисленной по уравнению Бенедикт — Вебб — Рубина, от концентрации этана Рис. 57, Зависимость фугитивности компонентов смесей этан — гептан при 400 °К, 20 атм, вычисленной по уравнению Бенедикт — Вебб — Рубина, от концентрации этана
Активная резидентная, задача (задача, загруженная в ОП) может находиться в состоянии готовности к счету или в состоянии ожидания некоторого важного события, например завершения операции обмена. Готовая к выполнению задача конкурирует с другими задачами за обладание процессором на основе своего приоритета. Задача с более высоким приоритетом становится текущей. Приоритет задачи определяется десятичным числом (1...250), назначенным ей на этане компоновки, установления или выполнения.  [c.133]

В результате развития трещины сечение ослабляется. На последнем этане происходит внезапное разрушение. Излом имеет характерную поверхность с неповрежденными чистыми кристаллами.  [c.389]

Температура, °С Этан 1 Пропан н-Бутан -Бутан Пентан н-Пентан  [c.95]

Так как чистый этан—это пар при температуре и давлении системы, фугитивность гипотетического жидкого состояния можно было бы определить при давлении пара при 400 К- Однако в этом случае температура системы выше критической температуры этана и давление пара должно быть определено с помощью экстраполяции. По одному методу давление пара экстраполируется за критическую точку с помощью соотношения Клаузиуса — Клапейрона. Согласно рис. 53, экстраполированное давление пара этана при 400 °К равно 191 атм.  [c.280]

Наибольшее распространение в качестве газовых карбюризаторов получили предельные углеводороды (СН2П+2) — метан, этан, пропан, бутан и др., а из них — метан в виде естественного газа (92—96% СН4).  [c.324]

В качестве шихтовых материалов используют технически чистый алюминий, силумины, отходы собственного производства, лигатуры и другие добавки. Для удаления водорода и неметаллических включений алюминиевые сплавы рафинируют, как правило, гексахлор-этаном, который при температуре 740—750 °С вводят в расплав в количестве 0,3—0,4 % массы расплава. Пузырьки хлористого алюми-  [c.167]


На автозаводе имени Лихачева налажен выпуск модификации автомобиля ЗИЛ-130—бортового газобаллонного автомобиля ЗИЛ-138А. Природный газ (состав по объему метан — 95 5%, этан — до 4%, пропан — до 1,5%, бутан и пентан — до 1%, азот N — до 5%, СОа — до 1%) находится на борту автомобиля в восьми стальных баллонах емкостью по 50 дм каждый под давлением 200 кг/см . Баллоны расположены под грузовой платформой поперек рамы автомобиля. Собственная масса автомобиля составляет 5100 кг против  [c.54]

Э т а 1[ проектирования — часть процесса проектирования, включающая в себя формирование всех требующихся описаний объекта, относящихся к одному или нескольким иерархическим уровням и аспектам. Часто названия этапов совпадают с названиями соответствующих иерархических уровней и аспектов. Так, проектирование технологических процессов расчленяют на этапы разработки принципиальных схем технологического процесса, маршрутной технологии, операционной технологии и получения управляющей информации на машинных носителях для программно-управляемого технологического оборудования. При проектированнн больших интеграл )-иых схем (БИС) выделяют этапы проектирования компонентов, схемотехнического, фупкционально-логическо-го и топологического проектирования. Первые три из этих этапов связаны с решением задач трех иерархических уровней функционального аспекта, имеющих аналогичные названия. Этан топологического проектирования включает в себя задачи, относящиеся ко всем иерархическим уровням конструкторского аспекта в проектировании БИС.  [c.18]

Для решения задач оптимизации параметров достаточно выполнить этан предварительной оптимизации с исиользованием максиминмого критерия и с нормированием пространства выходных параметров с помощью за-иаеов работоспособности (2.16).  [c.66]

Программное обеспечение САПР объединяет собственно программ[)1 для систем обработки данных на машинных носителях и программную документацию, необходимую для эксплуатации программы. Программное обеснсчсиие (ПО) делится на общесистемное, (казовое и прикладное (специальное). Общесистемное ПО предназначено для организации функционирования гсхничсских средств, т. с. для планирования и управления вычислительным процессом, распределения имеющихся ресурсов, и представлено операционными системами ЭВМ и ВС. Общесистемное ПО обычно создастся для многих приложений и специфику САПР не отражает. Базовое и прикладное ПО создаются для нужд САПР. прикладном ПО реализуется математическое обеспечение для псгюсредственпого выполнения проектных процедур. Прикладное ПО обычно имеет форму пакетов прикладных программ (ППП), каждый из которых обслуживает определенный этан процесса проектирования или группу однотипных задач внутри различных этапов. В базовое ПО входят программы, обеспечивающие правильное функционирование прикладных программ. Иногда в базовое ПО включают ППП, поставляемые в централизованном иорядке вместе с аппаратурой и предназначенные для использования в основных маршрутах проектирования.  [c.83]

Э т а и о. Проекгированне ПО ( АПР. Па этом этане (1к)рыируе тся структура ПО и разрабатываются алгоритмы, задаваемые спецификациями. Устанавливается состав модулей с разделением их иа иерархические уровни па основе изучения схем алгоритмов для типовых задач проектирования [7], Выбирается структура информационных массивов, составляющих базу данных. Фиксируются межмодульные интерфейсы.  [c.35]

Структура дифференциа.иьных методов допускает возможность использования динамического программирования заданный путь нагружения разбивается на достаточно малые этапы и на каждом последующем этане в качестве начальных условий принимаются результаты, полученные на предыдущем этапе (при этом легко учесть смену условий нагругкения). Многократное (пошаговое) применение дифференциальных методов позволяет рассчитать всю траекторию трещины.  [c.192]


Смотреть страницы где упоминается термин Этан, иод : [c.57]    [c.268]    [c.279]    [c.318]    [c.325]    [c.338]    [c.80]    [c.140]    [c.29]    [c.31]    [c.66]    [c.52]    [c.152]    [c.20]    [c.311]    [c.27]    [c.34]    [c.933]    [c.94]    [c.96]    [c.98]    [c.172]    [c.185]    [c.185]    [c.185]    [c.258]    [c.196]    [c.120]    [c.135]    [c.215]    [c.215]    [c.215]   
Ингибиторы коррозии металлов (1968) -- [ c.0 ]



ПОИСК



1.1- Дициклогек сил этан

1.2- Ди бром этан

CaD4 тяжелый этилен (см. также aDe, тяжелый этан (см. также С2Нв)

Агрессивные среды органические бутан, этан

Вязкость (определение) этана

Диаграмма i - lg р для этана

Диаграмма р—i для метана этана

Доказательство эргодической теоремы второй этан

Зеркально симметричная модель этана

Коррозионная активность полихлоридов этана

Насыщенный пар этана

ОГЛАВЛ ЕН И Е Экспериментальные данные о термодинамических свойствах этана

Пары аммиака насыщенные этана насыщенные — Свойства

Поли) 1,1 -этан б»с(4-фенип)

Поли) 1,1 -этан б»с(4-фенип) карбонат

Потенциал внутримолекулярный этана

Равновесие этан-этилен

С2Н6 (этан) и В2Н6 (диборан).— С2Н51 (йодистый этил).— С2НСНО

С2Не, этан

С2Не, этан влияние внутреннего вращения

С2Не, этан вращательная статистическая сумм

С2Не, этан вращательные уровни энергии

С2Не, этан геометрическая структура, точечная

С2Не, этан группа

С2Не, этан идентичные потенциальные минимум

С2Не, этан изменение в жидком и твердом состояниях

С2Не, этан крутильные частоты

С2Не, этан междуатомные расстояния

С2Не, этан моменты инерции и вращательные постоянные

С2Не, этан наблюденные инфракрасные и комбинационные спектры

С2Не, этан нормальные колебания (частоты)

С2Не, этан основные частоты

С2Не, этан отсутствие свободного вращения

С2Не, этан потенциальная энергия и уровни энергии крутильных колебаний, отношение к свободному вращению

С2Не, этан потенциальный барьер, препятствующий свободному вращению

С2Не, этан правила отбора для нормальных колебаний (основных частот)

С2Не, этан равновесие

С2Не, этан резонанс Ферми

С2Не, этан свободная энергия

С2Не, этан свойства симметрии и статистические

С2Не, этан силовые постоянные, потенциальная

С2Не, этан функция

С2Не, этан энтропия

ТЕПЛОИЗОЛЯЦИОННЫЕ этана

Таблицы термодинамических свойств этана

Термодинамические свойства этана в однофазной области

Термодинамические свойства этана иа линиях кипеиия и конденсации (по давлениям)

Термодинамические свойства этана на линии затвердевания (по давлениям)

Термодинамические свойства этана на линии насыщения

Термодинамические свойства этана на линиях кипения и конденсации (по температурам)

Уравнение состояния и таблицы термодинамических свойств этана

Уравнения для расчета термодинамических свойств этана

Фреоны ряда этана

ЭНТРОПИЯ - ЯЩИКИ СТЕРЖНЕВЫЕ этана

Энтальпия этана

Энтропия азота этана

Этан (С2Нб)

Этан - Галоидные производные - Температура

Этан - Галоидные производные - Температура кипения

Этан Динамическая вязкость

Этан Молекулярный вес

Этан Объёмный вес

Этан Пар насыщенный - Свойства

Этан Параметры критические

Этан Параметры сжигания

Этан Пары насыщенные — Свойства

Этан Свойства тепловые

Этан Температура самовоспламенения

Этан Тепловые характеристики

Этан Теплоемкость

Этан Теплопроводность

Этан Теплотворная способность

Этан Энтропия

Этан газообразный г — при различных температурах и давлениях

Этан газообразный теплопроводность

Этан газообразный, вязкость

Этан газообразный, вязкость линии насыщения

Этан газообразный, вязкость при различных температурах и давлениях

Этан газообразный, вязкость температурах и давлениях

Этан газообразный, вязкость теплопроводность

Этан жидкий, вязкость при различных

Этан коэффициент диффузии

Этан поверхностное жидкости

Этан поверхностное натяжение

Этан пятихлористый

Этан теплоемкость жидкости

Этан теплопроводность газа

Этан термодинамические свойства

Этан четыреххлористый

Этан — Коэффициент теплопроводност

Этан — Свойства

Этан, поверхностное натяжение на линии насыщения

Этан, поверхностное натяжение перегретого пара

Этанит

Этанит



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте