Магнетосопротивление

Магнетосопротивление (эффект Гаусса). Внешнее магнитное поле (см. рис. 45) не только вызывает появление хол- [c.138]

Д — по магнетосопротивлению О — по термо-ЭДС ф — по эффекту Холла [c.536]

На образцах до и после облучения исследовали коэффициент Холла Ry , магнетосопротивление удельное электросопротивление р, межслоевое расстояние, диаметр и высоту кристаллитов. Гальваномагнитные эффекты измеряли в постоянном маг нитном поле Я=18 кЭ при температуре 300 и 77 К. В соответствии с увеличением степени графитации исходных образцов от [c.120]

О до 0,54 происходит изменение зонной структуры, что сопровождается ростом подвижности, уменьшением концентрации носителей заряда и увеличением электронной составляющей в процессе переноса заряда. С ростом степени графитации увеличивается магнетосопротивление, знак коэффициента Холла меняется с положительного на отрицательный, уменьшается электросопротивление. [c.120]

Магнетосопротивление у облученных образцов уменьшается до нуля, а коэффициент Холла становится положительным. На рис, 3.20 представлена зависимость и р облученных образцов от температуры предварительной обработки. Измерения при 300 и 77 К показали, что Rx облученных образцов не зависит от температуры измерения, т. е. свободные носители заряда находятся в вырожденном состоянии. В этом случае легко рассчитать концентрацию дырочных носителей заряда. Она оказалась в 100 раз больше концентра-ции собственных носителей заряда в исходных образцах, -i [c.121]

Отрицательное магнетосопротивление. При наличии магн. ноля фазы, набираемые электронными волновыми ф-циями при распространении по и против часовой стрелки, становятся различными (Д<р= 0). Поэтому отрицательный интерференц. вклад в проводимость а уменьшается по величине, т. е. о вырастает, а сопротивление р убывает — возникает о т-рицательное магнетосопротивление. В магн. поле разность фаз Дф интерферирующих волновых ф-ций становится равной 2Ф/Фу, где Ф — магн. ноток, пронизывающий траекторию электрона, а Ф =сЯ/2е 640 квант магнитного потока. Поле Н , при к-ром подав- [c.640]

Совокупность этих свойств обусловливает то, что целый ряд физ. параметров П. имеет аномальное значение. Вследствие малого числа носителей весьма малыми являются сечения поверхностей Ферми (3 10" — 10 г -см /с ). Малость эфф. масс приводит к высокой подвижности и носителей заряда (при низких темп-рах р. 10 — 10 сы /В-с), к большим значениям коэф, магнетосопротивления (Др/рЯ 10" — 10" Э" ), термоэдс (а 10" В/град), -факторов ( 10 — 10 ), магнитной восприимчивости % [c.34]

Магнетосопротивление изменение удельного сопротивления металла р в продольном или поперечном магнитном поле. Согласно правилу Колера Др/р=/(Я/р), где / — функция, зависящая от физических характеристик и формы образца. Для неферромагнитных металлов магнетосопротивление положительно в продольном и поперечном полях, причем в слабых полях Др/р Я2, в сильных Др/р Я. Для ферромагнитных металлов поведение Др/р более сложное [23]. [c.300]

Однако не для всех твердых растворов падение р столь четко выражено. На рис. 17.42 представлены зависимости удельного сопротивления р (б) и магнетосопротивления Ар/р (а) для сплавов системы Ре—Сг [29]. Образование сверхструктур в системе Ре—Сг соответствует слабовыраженным точкам перегиба на кривой зависимости р от концентрации Сг. Гальваномагнитный эффект (Др/р) оказывается более чувствительным свойством и изменяется при этих концентрациях скачком, являясь, таким образом, свойством, дающим большую разрешающую способность при исследовании процессов упорядочения в данной системе. [c.302]

Магнетосопротивление — изменение удельного сопротивления металла в продольном или поперечном магнитном поле. У неферромагнитных металлов магнетосопротивление ги до [c.83]

Конечно, можно модулировать проводимость металла, модулируя подвижность носителей заряда, а не их концентрацию это можно сделать с помощью внешнего магнитного поля. Этот способ изменения проводимости основан на эффекте магнетосопротивления. Однако глубина такой модуляции при доступных напряженностях магнитного поля совсем мала и не позволяет реализовать сильные и практически полезные эффекты, подобные упомянутым выше эффектам, которые связаны с объемной модуляцией проводимости полупроводника. [c.317]

Такая компенсация электрическим полем отклонения носителя со средней скоростью выражается в том, что эффект магнетосопротивления является скорее квадратичным, чем линейным эффектом, и поэтому не зависит от направления тока или магнитного поля. [c.336]

Магнетосопротивлением называется относительное изменение электрического сопротивления в магнитном поле.— Прим. перев. [c.104]

Удельное сопротивление в направлении х равно E Ux = = 1/а таким образом, в модели свободных электронов поперечное магнетосопротивление равно нулю. Величина [c.110]

С введением понятия открытых орбит и после изучения их влияния на магнетосопротивление гальваномагнитные измерения стали широко применяться для исследования топологии поверхности Ферми. Гальваномагнитные явления наряду с аномальным скин-эффектом использовались в работе [35 для демонстрации того факта, что поверхность Ферми у меди действительно является многосвязной и касается границы зоны Бриллюэна в направлениях [111]. На фиг. 36 показана поверхность Ферми для золота, сходная с таковой для меди. [c.112]

Бора 98 ядерный 100 Магнетосопротивление 104, 111 [c.324]

Прямым методом определения (к) и эффективных масс является циклотронный резонанс. Ценные сведения о зонной структуре и эффективных массах дают измерения анизотропии магнетосопротивления, эффек- [c.342]

Изменение сопротивления в магнитном поле (магнетосопротивление) [c.469]

При обычно используемых напряженностях поля Н < 10 э и комнатной температуре магнетосопротивление Ар/р о (Ар — изменение сопротивления в магнитном поле, р о — сопротивление прн Н == 0) для большинства металлов весьма мало. Например, для меди Др/р о S5 10 при Н = 2-10 э. Исключением является висмут, у которого Ар/р о 2 при Н — 3-10 э. В полупроводниках этот эффект значительно больше, чем в металлах (например, в германии при Т к. 100° К и [c.469]

Рис. 26.34. Поперечное и продольное магнетосопротивление никеля при температуре 20° С [181].

Рис. 26.35. Магнетосопротивление никеля при различных температурах [177].

Рис. 26.36. Магнетосопротивление сплава Ag — Мп в поперечном (сплошная кривая) и продольном (пунктир) магнитных полях при 20 (а) и 4,09° К (б) [173] (указано атомное содержание компонента).

Рис. 26.37. Продольное магнетосопротивление / R/Rqj монокристалла сурьмы при различных

Рис. 26.38. Зависимость магнетосопротивления в области точки Кюри при различных полях для сплава 36% Ni, 64% Fe от температуры [181].

Именно для диска Корбино поперечное магнетосопро-ти вление (эффект Гаусса) такое же, как и для бесконечно широкой пластины. Для ограниченного полупроводника холловское поле компенсирует действие магнитного поля, в результате чего носители движутся прямолинейно, поэтому магнетосопротивление образца должно отсутствовать. На са-мо.м же деле оно имеет место и в этом случае, поскольку холловское поле компенсирует действие магнитного лишь в среднем, как если бы все носители заряда двигались с одной [c.139]

В трёхмерном случае эффект не зависит от угла мо/Иду Я и j в двумерном отрицат. магнетосопротивление анизотропно. Наиболее яркие проявления интерференц. эффектов — осцилляции сопротивления многосвязных образцов в магнитном ноле — аналог Ааронова — Бома эффекта (рис. 2). [c.640]

Др. способ идентификации анизотропии носителей в долинах даёт анизотропия магнетосопротивления. В случае изотропного закона дисперсии носителей поперечное магнотосопротлвление изотропно, а продольное отсутствует, В М. п. они оба отличны от О и анизот-роины, причём характер анизотропии зависит от расположения долин в зоне Бриллюэна. [c.158]

Ток, проходящий через плазму, является источником неоднородного магн. поля, действующего на носители, образующие плазму, и изменяющего их движение в электрич. поле. В моиополярной плазме это приводит к собств. магнетосопротивлению. В биполярной плазме наряду с ним возникают также перераспределение концентраций и магн. пинч-эффект. Сила Лоренца, действующая на носители, направлена всегда так, чтобы сжать исходную однородную плазму в шнур,— биполярная плазма отрывается от поверхностей образца, диаметр к-рого сростом тока уменьшается, а плотность плазмы растёт. Сжимающему действию сил Лоренца противостоит амбиполяреая диффузия (см. Шнурование тока в полупроводнике). [c.603]

Кинетические явлении. Наиб, ярким проявлением роди обменного взаимодействия электронов с локализов. магн. ионами является гигантское отрицаг. магнетосопротивление. ip(H), наблюдаемое в узкоще- [c.33]

Важную роль для определения параметров П. играют также измерения отрпцат. магнетосопротивления в слабом магн. поле. Магн. поле разрушает квантовую интерференцию электронных состояний и этим увеличивает электропроводность системы (см. Магнетосопро-тивление. Слабая локализация). [c.41]

Применение свсрхсильных магнитных полей. Начало использованию сильных магн. полей в физ. исследованиях было положено трудами П. Л. Капицы. В кон. 1920-х гг. он провёл в полях до 320 кЭ обширные исследования магнетосопротивления, намагниченности, маз-нитострикции, Зеемана эффекта, траекторий заряж. частиц. Макс, интерес вызывают С. м. п. в физике твёрдого тела. Они применяются в исследованиях галь-ваномагн., термомагн., оптич., магн.-оптич., резонансных явлений. Оптич. и магн.-оптич. исследования свойств мн. веществ проведены в полях до 10 МЭ, в т. ч. при низких темп-рах исследовано влияние С. м. п. на энергетич. спектры, зонную структуру и др. характеристики твёрдого тела. В полях до 2 МЭ исследовались спектры поглощения и циклотронный резонанс в полупроводниках, Фарадея эффект в видимой и ИК-облас- [c.452]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...