Теллур Кристаллическая структура

К одноэлементным относятся полупроводники с молекулярной (полимерной) кристаллической структурой сера, селен, теллур, фосфор, мышьяк и сурьма (табл, 11). [c.407]

ИТТЕРБИЙ-ТЕЛЛУР (Yb — Te) 1. Диаграмма состояния и кристаллическая структура [c.677]

Полупроводниковые кристаллы относятся главным образом к классу диэлектриков с ковалентной связью ). Из простых веществ с полупроводниковыми свойствами наименее сложной кристаллической структурой обладают элементы IV группы периодической системы из них наиболее важны германий и кремний. Углерод в форме алмаза относится, строго говоря, к диэлектрикам, поскольку у него ширина запрещенной зоны составляет около 5,5 эВ. Олово в аллотропной форме серого олова представляет собой полупроводник с очень малой щелью. (Свинец — это, конечно, металл.) Другие полупроводниковые элементы — красный фосфор, бор, селен и теллур — обладают весьма сложной кристаллической структурой и характеризуются ковалентной связью. [c.188]

Рис. 22, Кристаллическая структура селена и теллура, иллюстрирующая спиральные цепочки атомов, в которых каждый атом имеет двух ближайших соседей

Поведение вязкости т] теллура [144] представляет собой интересный пример возможной взаимосвязи ti с образованием цепных молекул. На рис. 3.2 показано поведение ц, d и а жидкого теллура. Как было отмечено выше, поведение плотности d показывает, что упорядоченная цепная структура кристаллического теллура. (лишь частично разрушается при плавлении при этом получается смесь цепных молекул, средняя длина которых уменьшается при повышении температуры. Поведение вязкости т] полностью согласуется с этой моделью. Электропроводность ст увеличивается при уменьшении т], показывая, что металлическое поведение связано с возросшей плотностью разрушенных связей. [c.56]

Другая интерпретация структуры жидкого теллура была получена из результатов изучения дифракции нейтронов эта интерпретация обсуждается в 5 данной главы. Кристаллический селен также имеет упорядоченную цепную структуру, и поведение т] при плавлении селена оказывается качественно таким же, как в случае теллура. В сплавах Те—Se вязкость намного больше, и при увеличении концентрации теллура в этих сплавах вязкость ti уменьшается. Различного рода аргументы, которые обсуждаются в гл. 8, 6, п. 1, подтверждают цепную структуру жидкой фазы селена. [c.56]

Кристаллический теллур является примером промежуточной стадии в процессе указанного выше искажения решетки. Для объяснения структуры жидкости Туран и др. приняли, что какое-то другое искажение простой кубической структуры ведет к образованию слоистой структуры с тремя ближайшими соседними атомами для каждого атома, как в структуре А7 [c.69]

Авторы [1] методом рентгеноструктурного анализа изучили.23 сплава с составами между 29 и 75% (ат.) V. Ванадий чистотой более 99,6% и дистиллированный теллур спекали в контейнерах из кварца или окиси алюминия при 1000° С, отжигали при 750° С и медленно охлаждали до комнатной температуры. Согласно [1 ], образцы, содержащие более 45,5% (ат.) V, реагируют с кварцем. Возможно, этим можно объяснить расхождения относительно ширины фазовой области по данным [1, 2]. Авторы работы [1] обнаружили две промежуточные фазы ( V5Te4) в равновесии с твердым раствором на основе Уну, включающую четыре близких по кристаллической структуре соединения, — в равновесии с (Те). В работе [1] детально рентгенографически изучены эти структуры и по изменению периодов решетки определены границы фазовых областей. [c.438]

Кристаллическая структура. BigTeg обладает ромбоэдрической решеткой типа тетрадимита (СЗЗ), в основе которой лежит девятислойная упаковка из атомов теллура, две трети октаэдрических пустот заняты атомами висмута. Структура относится к тригональной сингонии, пространственная группа Did — РЗт. Элементарная ячейка содержит одну молекулу BigTeg [212—215]. Средние параметры решетки по данным [212, 213] а = 4,38, с = 30,45 A — для гексагональной ячейки и а = [c.33]

Кристаллическая структура. Двуокись теллура имеет тетрагональную решетку собственного типа, прос- ранствен-ная группа P4i2i2 (Df), координационное число 4 [93]. [c.87]

Кристаллическая структура. Теллур кристаллизуется в гексагональной системе, структурный тип А8, пространственная группа D (P3i21) или dI (РЗ221) с координационными числами 2 и 4 соответственно [1]. Параметры решетки теллура, измеренные различными авторами (табл. 97), имеют близкие значения. Прецизионные рентгенографические измерения Боннье сотр. [7], проведенные в интервале 298—701° К, указывают на значительное увеличение параметра а (от 4,4543 при 298° К до 4,5134 А при 701° К) и уменьшение параметра с (от 5,9261 при 298° К до 5,9217 А при 373° К). При нагревании теллура выше указанных температур соответствующие параметры остаются практически постоянными вплоть до температуры плавления. [c.129]

Кристаллическая структура. Теллурид сурьмы обладает ромбоэдрической решеткой типа тетрадимита, в основе которой лежит девятислойная упаковка из атомов теллура, а две трети октаэдрических пустот заняты атомами сурьмы [212—215]. Пространственная группа R3m — Did, Z = 9. Средние параметры решетки по литературным данным равны о = 4,25 с = 30,3 А. Подробнее о структуре SbjTeg см. работы Абрикосова с сотр. [39] и Горбова [c.196]

Кристаллическая структура. Рентгеновское исследование тетрафторида теллура было выполнено Эдвардсом и Хе-вайди [156]. По этим данным Тер4 имеет ромбическую решетку, пространственная группа / .2,2, 2 = 4. Параметры решетки а = 5,36, Ь = 6,22, с = 9,64 А. Плотность тетрафторида теллура, по данным [156], равна 4,21 г/см . [c.243]

Из реверсивных носителей наиболее широкое распространение получили носители из материалов на основе недоокиси теллура (ТеОж), ванадия (УОг) с ярко выраженными фазовыми переходами и др. Материалы на основе композиции недоокиси теллура с селеном, сурьмой, оловом, германием и другими материалами обладают свойствами изменять свое фазовое состояние (аморфное —кристаллическое) в узком диапазоне температур и сохранять его после быстрого охлаждения. Переход из одного фазового состояния в другое зависит от режима разогрева и охлаждения материала. Отражающая способность аморфной и кристаллической структур пленки различна, и на этом контрасте основан процесс воспроизведения. Принцип записи с предварительным стиранием сигнала на таком реверсивном носителе иллюстрируется рис. 11.3. На рис. П.3,а показаны дорожки с записанной информацией в виде зон с различным фазовым состоянием пленки халькогенида. Для стирания и записи используют сфокусированные пятна лазера различной протяженности и интенсивности (см. нижнюю дорожку рис. 11.3,а), с тем чтобы обеспечить различные режимы нагрева и охлаждения материала на дорожке (рис. 11.3,6). Шаг дорожек обычно составляет 1,6 мкм, интервал бита 0,6. ..0,8 мкм, излучаемая 126 [c.126]

Оптические свойства. Исследование оптических свойств кристаллических полупроводников дает обширную информацию об их зонной структуре. Данные об энергетическом спектре аморфных полупроводников также могут быть получены из оптических измерений. Первостепенная роль отводится при этом измерениям спектров поглощения. Спектры поглощения аморфных полупроводников удобно сравнить со спектром тех же материалов в кристаллическом состоянии. Это можно сделать в случаях германия, кремния, соединений селена и теллура. На рис. 11.14 в качестве примера приведен край спектра оптического поглощения аморфного кремния, который сравнивается с соответствующим спектром кристаллического кремния. Аналогичные данные получены для аморфного германия, арсенида и антимонида индия и некоторых других полупроводников. [c.367]

Арсенид галлия (ОСТ 4.032.015—80) применяется для производства электронных приборов и эпитаксиальных структур. Арсенид галлия выпускается как в виде поликристаллических слитков (марка АГН-1), так и в виде моно-кристаллических слитков (остальные марки). Выращивают монокристаллы либо горизонтальной направленной кристаллизацией, либо вытягиванием по методу Чохральского из-под флюса. В качестве легирующих примесей используют теллур, олово, цинк и кремний. Монокристаллнческие слитки, легированные цинком, н.меют дырочный тип электрической проводимости, остальные — электронный. Слитки арсе-нида галлия различных марок различаются концентрацией основных носителей заряда (ОНЗ), допустимым отклонением концентрации ОНЗ (табл 83) от номинального значения (Ю--80 %), номинальными значениями диаметров слитков (20—50 мм), плотностью дислокаций (5-10 —8-10 м ). Ориентация продольной оси монокрнсталлИ" ческих слитков [111], [100], И01 Отклонение плоскости торцового среза [c.576]

Фотоэлектронные спектры валентных электронов родия, палладия, серебра и иридия, платины, золота (см. рис. 28) показывают постепенное расщепление формирующейся d-оболочки по мере заполнения 2е-состояния, На рис. 29 показано расщепление глубокой остовной й -оболочки элементов от палладия до ксенона на два пика меньшего для eg (й )-состояния и большего для t2g (d )- o-стояния. На это расщепление заметно не влияет внешнее кристаллическое поле, поскольку палладий, серебро и индий имеют ГЦК структуру К = 12), кадмий — плотную гексагональную К = 12),. олово — искаженную ОЦК (/С = 4 -(- 2), сурьма — простую гексагональную (/С = 3), теллур — ромбическую (К = 2), но совер шенно разное окружение атомов в их решетках не изменяет характер двугорбого d-пика. Глубокое расщепление 5d -oбoлoчки на (d )- [c.58]

Зонную структуру теллура, полученную таким способо УГ, можно сравнить с электронной структурой кристаллического теллура, полученной с помощью обычных зонных расчетов. Действительно, метод линейной комбинации атомных орбита-лей, являющийся количественным выражением подхода, основанного на рассмотрении молекулярных орбиталей, является одним из методов, использовавшихся при зонных расчетах для теллура и селена [214]. [c.90]

Информацию о молекулярной структуре дают измерения вязкости Т1 [144] и ЯМР [223]. Как обсуждалось в гл. 3, 3, зависимость 11 от Г и X для системы Se Tei-x показывает, что средняя длина молекул уменьшается с увеличением Т и содержания теллура. Это указывает на то, что связи Те—Те слабее связей Se—Se. Хотя времена релаксации ЯМР, которые были измерены для чистого селена, хорошо согласуются с временами жизни связей, определенными из данных о средней длине цепи, для сплавов информация оказывается более ограниченной. Сэймур и Браун [223] предприняли попытку определить на основе полученных ими результатов, являются ли более предпочтительными связи Те—Se при неупорядоченных связях, и не получили однозначных выводов. Такая предпочтительность указывала бы на то, что энергия связи Те—Se больше средней энергии связей Se—Se и Те—Те. Это различие в энергиях связи A ts ожидается в той степени, в какой имеет место ионность в связи [198]. Доказательство того, что A ts >0,07 эВ, было получено при изучении эффекта Мессбауэра в разупорядоченных кристаллических сплавах Se.xTei i [26]. [c.213]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...