Микросхемы памяти

Ответ. Зоной машинной маркировки называют участок перфоленты, следующий за основной надписью в начале перфоленты или перед основной надписью в конце ее. В этой зоне посредством кодовых отверстий можно указывать данные, необходимые для применения документа при изготовлении изделия, например обозначение документа, код программы, порядковый номер изменения, номер слоя (для печатной платы), номер зоны постоянной памяти (для прожигаемой микросхемы памяти) и др. [c.327]

Некоторые компоненты используют одинаковые корпуса. Они имеют идентичные топологические посадочные места и расположение выводов, но в библиотеках представлены с различными именами. Это могут быть как идентичные устройства от разных производителей, так и компоненты одного семейства, использующие один корпус, но имеющие различные электрические характеристики, например микросхемы памяти различных версий по скорости 80 не и 120 не. Очень удобно вызывать элемент из библиотеки по его названию (описанию), но рисовать для одинаковых элементов свое графическое представление было бы непозволительной роскошью по причине неэффективности. [c.120]

Классы представляют собой наборы объектов по какому-либо признаку, предназначенные для выполнения с ними одинаковых операций. Например, все микросхемы памяти на плате могут быть выделены в один класс, а все элементы блока питания -в другой. В этом случае микросхемам памяти можно будет назначить одни правила проектирования, а компонентам блока питания - другие. Использование классов зна- [c.503]

В типичной вычислительной системе для хранения программ и временного хранения данных используется большое число микросхем памяти. Кроме того, имеется несколько входных и выходных портов для взаимодействия с внешними устройствами. ЦП должен селективно разрешать работу каждой микросхеме памяти, входному или выходному порту, когда они должны воспринимать данные с щины данных или помещать данные на нее. Сам ЦП не может сформировать отдельные выбирающие (селектирующие) сигналы для каждой из микросхем, имеющихся в системе. Выбирающие сигналы необходимо выделить из информации на шине адреса и сопроводить их соответствующими сигналами шины управления. [c.20]

Обычно компоненты, применяемые в микрокомпьютерах, не содержат по одной ячейке памяти или отдельному входному или выходному порту. Микросхемы памяти организованы в блоки из 1К ячеек и имеют внутренний [c.20]

Старшие линии адреса служат для генерирования сигналов СЕ, выбирающих микросхемы памяти и ВВ. Рис. . 7 иллюстрирует механизм расщепления шины адреса [c.21]

Во многих небольших системах, например, в специализированных промышленных контроллерах, не требуется использовать все имеющееся адресное пространство. Сигналы выбора блоков могут потребоваться на границах, меньших адресных границ 4К, показанных на рис. 1.11. Если существующие требования можно удовлетворить при наличии памяти меньше 16К и применить микросхемы с емкостью 1К, схему на рис. 1.11 следует изменить, подав на входы дешифратора 74154 линии адреса Лю—Л13. От дешифратора получается 16 выходов на границах 1К, а младшие 10 линий адреса Ло— Лд подаются на все микросхемы памяти 1К. [c.26]

Обычно микроконтроллеры представляют собой системы с простейшей конфигурацией и часто выполняются на одной печатной плате. Предусматривается возможность сравнительно простого расширения системы благодаря шинной структуре. При зтом дополнительные микросхемы памяти и порты ВВ размещаются на других печатных платах и соединяются с микроконтроллер-ной платой при помощи разъемов и монтажных соединений. На рис. 1.14 показан микроконтроллер на базе микропроцессора 280 фирмы Шоц, который может служить основой для создания разнообразных промышленных контроллеров. [c.29]

На основе ячеек статического ОЗУ — несмотря на то, что устройства, изготовленные по такой технологии, отличаются чрезвычайной гибкостью, для их работы потребуется внешнее конфигурационное устройство (как правило, микросхема памяти), а сам процесс конфигурирования после включения системы может занять несколько секунд. Первые версии этих устройств могли потреблять большой ток из-за больших кратковременных токов переключения, но эта проблема уже решена в современных устройствах. Основное преимущество этого варианта заключается в том, что он основан на стандартной КМОП-техно- [c.274]

Микросхемы памяти на основе ячеек магнитного ОЗУ должны появиться в ближайшем будущем. После выхода на рынок этих модулей памяти начнётся развитие и других устройств на их основе, таких как ПЛИС на основе ячеек магнитного ОЗУ. [c.332]

С обратной стороны контроллера (под небольшой крышкой) расположен сменный элемент электронного блока - микросхема, именуемая в народе чипом, а на заводе запоминающим устройством калибровок (ЗУК). В нем есть два блока памяти - постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) и программируемое запоминающее устройство (ППЗУ). Они задают темп работы всему компьютеру. Информацию в чипе можно стирать (ультрафиолетом) и записывать новую, к примеру, рассчитанную на этилированный бензин, повышение мощности, экономичности, снижение токсичности и т. п. [c.207]

Конечно, имеются исключения из общего правила, когда емкость микросхемы меньше 1К или ее ячейки имеют меньше 8 бит. Общий принцип выбора микросхем остается тем же самым, а изменяются только детали подключений, которые и учитывают тип применяемых микросхем. В малых или дешевых системах применяются отдельные входные и выходные порты, что требует однозначного дешифрования их адресов по информации на шине адреса. Для упрощения схем дешифраторов портам обычно присваивается блок адресов памяти, и любой из этих адресов разрешает работу порта. Однако в настоящее время заметна тенденция использовать в микрокомпьютерах программируемые микросхемы ВВ, в которых имеются несколько ячеек, предназначенных для выполнения функций ВВ, и внутренний дешифратор для выбора конкретной ячейки. [c.21]

Карта памяти, приведенная на рис. 5.20, показывает, где в адресном пространстве процессора находятся микросхемы ПЗУ и ОЗУ. ПЛИС будет декодировать эти диапазоны адресов для генерирования асп вделения сигнала выбора соответствующей микросхемы. памяти [c.377]

Кроме компонентов, которые должны быть размещены в определенньк местах платы, такие, как краевые разъемы, радиаторы или группы аналоговьк компонентов, существуют компоненты, не имеющие ограничений на их размещение, но которые желательно размещать вручную. Примером могут служить микросхемы памяти, предварительная ручная установка которых может облегчить размещение других компонентов. [c.536]

Тристабильные элементы играют важную роль в управлении ЦП передачами по шине данных. Любая микросхема, которая может выдавать данные на шину данных, имеет один или несколько управляющих входов СЕ (разрешение кристалла), (выбора кристалла) или ОБ (разрешение выхода). Эти управляющие входы действуют аналогично управляющему входу С в элементе, показанном на рис. 1.6, разрешая или запрещая работу драйверов шины данных в микросхеме. Например, в случае микросхемы памяти с 8 выходами ее управляющий вход либо переводит все 8 выходных ли- [c.19]

НИИ в высокоимпедансное состояние, либо разрешает им выдать двоичные уровни на те линии, к которым они подключены. Обычно в микропроцессорной системе управляющие сигналы подчиняются стандарту негативной логики, что отмечается чертой отрицания над мнемоникой сигнала. Активным значением таких сигналов является нулевой потенциал, поэтому, например, микросхема памяти может выдать данные на шину данных, когда ее вход СЕ имеет состояние логического О . В пассивном состоянии ЦП переводит все микросхемы, подключенные к щине данных, в высокоимпедансное состояние, так что ни одна из них не может выдать данные на шину. Когда же ЦП осуществляет считывание из ячейки памяти или входного порта, он селективно разрешает работу только соответствующей микросхеме, оставляя все остальные схемы запрещенными. Выбранная микросхема помещает данные на шину, с которой их считывает ЦП. После этого ЦП запрещает работу выбранной микросхемы, возвращая шину в пассивное состояние. Управление передачами информации в компьютере обеспечивается тем, что ЦП селективно разрешает выдать данные на шину данных только одной микросхеме. Это справедливо и для драйверов шины данных самого ЦП. [c.20]

Аратор обеспечивающий доступ к отдельным ячей- ям Тшииная микросхема памяти содержит 1К, 2К или 4К байтных ячеек, а выбор конкретной ячейки осущест вляет внутренний дешифратор по состояниям линий шины адреса. К микросхеме 1К непосредственно подключаются 10 младших линий адреса Лц—Лд, определяющих конкретную ячейку. [c.21]

При соответствующем выборе дешифраторов адреса и линий адреса можно разделить пространство памяти -на блоки любого размера. Если применяемые микросхемы памяти имеют организацию, меньщую формата слова компьютера, их следует включить параллельно с образованием блока памяти, ширина которого равна требуемому формату слова. [c.27]

ПЫХ и полагает, что ЗУПВ является байтной микросхе-мой. Такие же рассуждения относятся и к микросхемам памяти с организацией Л"Х1. но для образования блока памяти с байтной структурой потребуется включить параллельно восемь микросхем. [c.28]

Термин запоминающее устройство с произвольной выборкой (ЗУПВ) относится к микросхемам памяти, которые при выполнении программы осуществляют опера-цил считывания и заплси. Этот термин происходит от названия запоминающих устройств прежних кемпьюте-р в, в которых был последовательный доступ от первой ячейки до требуемой ячейки. Чтобы отличить такую память от памяти, в которой адрес подается непосредственно в микросхему для прямого доступа к нужной ячейке, был использован термин произвольная, выборка . В этом смысле подавляющее большинство запоминающих устройств обеспечивают произвольную выборку, но термин ЗУПВ закрепился за устройствами, осуществляющими операции считывания и записи. - [c.47]

Микросхемы вБОда-БЫвода проверять довольно трудно, так как прямые обратные связи от них в систему отсутствуют. Можно считать, что микросхемы памяти находятся в петле обратной связи, по которой информация передается в них по шине адреса, а они реагируют возвращением соответствующей информации по шине данных. Такой петли в подавляющем большинстве микросхем В В нет, так как они либо просто воспринимают информацию из вычислительной системы с последующим направлением ее во внешние устройства, либо пересылают информацию в вычислительную систему по запросу ЦП. [c.50]

Б микропроцессорной системе логический пробник удобно применять для первоначального контроля статических логических уровней и проверки работоспособности шины. Следует проверить линии шины управления, чтобы убедиться в том, что отказ на одной из критических управляющих линий не препятствует работе системы, а это может случиться, если, например, на входе запроса прямого доступа к памяти (HOLD), имеющегося во многих микропроцессорах, постоянно действует низкий уровень. С помощью логического пробника можно проверить и целостность печатных проводников если, например, микросхема памяти не выбираете следует проверить наличие импульсов на ее входе СЕ (разрешение работы кристалла) и проследить по печатному проводнику до того выхода дешифратора адреса, на котором формируется сигнал СЕ. На печатных платах с высокой плотностью упаковки микросхем применяются очень узкие проводники, на которых могут появляться микроскопические разрывы. Ведя пробник по проводнику, можно обнаружить разрыв, незаметный для невооруженного глаза. [c.101]

Раньше для апробирования производства микросхем по новым технологиям часто использовались микросхемы памяти. В последнее время совокупность таких характеристик, как размер, сложность и бесперебойность последних поколений ПЛИС сделали возможным их применение для решения и этих задач. В отличие от устройств памяти ПЛИС позволяют легко идентифицировать и обнаруживать дефекты структуры, т. е. установить факт ошибки и даже определить, что и где произошло. Например, когда компании IBM и UM внедряли технологию 0.09 мкм (90 нм), ПЛИС фирмы Xilinx стали первыми устройствами, изготовленными по такой технологии. [c.62]

СППЗУ (стираемое перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство) — интегральная микросхема памяти, содержимое которой может быть электрически запрограммировано инженером-разработчиком. Кроме того, это содержимое может быть стёрто с помощью внешнего ультрафиолетового излучения, попадающего на кристалл через кварцевое окно в корпусе микросхемы. [c.393]

Пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников применяют для создания элементов памяти в микросхемах перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств ЭВМ, передающих телевизионных трубок (видиконов), фоточувствительных сред для записи оптической информации, а также в качестве неорганических фото- и электронных резистов при производстве изделий микроэлектроники. [c.12]

Регистратор H070 обеспечивает отношение между скоростями записи и воспроизведения до 50000 1, он собран на микросхемах широкого применения. Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) выполнено с произвольной выборкой, т. е. с адресацией к каждому биту информации. С учетом требований к ОЗУ (среднее быстродействие и большая емкость памяти) в качестве элемента памяти применена микросхема К565РУЗБ емкостью 16 К и временем выборки менее 1 мкс. [c.128]

В микросхемах, изготавливаемых по тонко- и толстопленочной технологии, используются также навесные бескорпусные и корпусные активные элементы диоды, триоды, диодные сборки, схемы памяти и т. п,, а также малогабаритные керамические конденсаторы, светодиоды и т. д. Подобные схемы получили название микросборок. Применение активных навесных элементов обусловливается конструктивными, технологическими и эксплуатационными требованиями, а также значительными технологическими трудностями в получении стабильных пленочных активных элементов методами тонкопленочной технологии. Это объясняется тем, что при вакуумном или химическом осаждении получаются, как правило, поликрнсталли-ческие пленки с очень развитой поверхностью, способствующей различным обменным реакциям с окружающей средой и миграции адсорбированных атомов. Скорость перемещения атомов по поверхности и по межкристаллическим прослойкам на несколько порядков выше, чем в объеме твердого тела. В результате, пленочные активные элементы, изготовляемые по тонкопленочной технологии на аморфных или поликристаллических подложках, имеют принципиально низкую надежность и не представляют практического интереса, так как их применение не только не приводит к улучшению конструктивных, эксплуатационных или экономических характеристик тонко-и толстопленочных микросхем, но и значительно их ухудшает. [c.412]

Два противоположных значения спонтанной поляризации сег-нетоэлектрика (+Рс и —Рс) в сегнетоэлектрических кристаллах могут длительно сохраняться, обеспечивая тем самым в запоминающих устройствах ЭВМ запись и хранение информации по двоичному коду. Например, импульс положительной полярности ориентирует домены и приводит к остаточной поляризации, примерно равной +Рс- Последующий положительный считывающий импульс в этом случае не приводит к переполяризации и ток через сегнетоэлектрический элемент памяти оказывается ничтожно малым. Если же записан отрицательный импульс, то при считывании происходит переполяризация — скачок поляризации от —Рс до +Рс, что приводит к импульсу тока через сегнетоконден-сатор. Аналогичным образом сегнетоэлектрическая пленка может управлять током канального транзистора, если сегнетоэлектрик используется в качестве подзатворного диэлектрика (напыляется в ходе изготовления микросхемы). [c.188]

Для прожигаемой интегральной микросхемы полупроводниковой постоянной памяти (ППЗУ) может быть вьшущен документ ТБХ Таблица прожига . Дпя типового элемента замены ТЭЗ - документ ДХ Карты проверки , содержащий информацию для проверки фукционирования для описания соединений между ТЭЗ-ми в панели - ТЭ4 Таблица соединений и др. [c.325]

Оперативная память в современных ЭВМ создается на полупроводниковых интегральных микросхемах и состоит из запоминающих элементов, каждый из которых хранит один разряд двоичного слова - один бит информации. Для запоминания многоразрядных двоичных чисел необходима матрица ЗУ определенной разрядности (ширина матрицы) и с заданным количеством строк (длина матрицы). Адрес хранимого слова определяется номером строки. Количество строк соответствует максимальному адресу, выраженному в двоичной системе счисления, поэтому емкость памяти также выражается в двоичном коде и равна числу строк (хранимых слов). Для сокращения записи величины емкости памяти используются коэффициенты К (кило) - 1024, М (мега) - 1024 , Г (гига) - 1024 , Т (тера) -1024 . [c.67]

Основным элементом блока обработки является арифметико-логическое устройство (АЛУ), способное выполнять 16 арифметических и 16 логических операций. Состав операций АЛУ определяется возможностями микросхемы К155ИПЗ. АЛУ управляется двумя полями микрокоманды ФНК —функция и МДФ —модификация функции. Основная операция задается полем ФНК и может быть модифицирована в зависимости от содержимого РК. Такой способ управления АЛУ позволяет минимизировать объем памяти микрокоманд. Например, для реализации всех арифметических и логических команд базового набора используется единая микропрограмма, а микрооперации, выполняемые в АЛУ, задаются фактически кодом машинной команды в РК. [c.111]

Местная память (МП) содержит 16 регистров, причем 8 из них являются общими регистрами — КО—К7, на два из которых возложены специальные функции Кб — указатель стека (5Р) и К7— счетчик команд (РС). Остальные 8 регистров доступны только на микропрограммном уровне и предназначены для самых разнообразных целей. Адрес регистра МП формируется мультиплексором адреса (МА) из следующих четырех возможностей РКИ — поле источника в регистре команд, РКП — поле приемника в регистре команд, А — младшие разряды регистра А (при адресации через ОШ), МК — непосредственно из микрокоманды. Операции местной памяти задаются полем ОМП и определяются возможностями микросхемы К155РУ2. [c.111]

Существует несколько видов модулей постоянных запоминающих (МПЗ) с емкостью 4, 8 и 32 Кбайта (последний содержит микросхемы полупостоянной памяти с ультрафиолетовым стиранием). [c.162]

Основными партнерами микропроцессора в структуре ПЭВМ являются полупроводниковые устройства памят . В постоянной памяти (ПЗУ) хранится информация, которая обеспечивает готовность ПЭВМ к немедленному использованию сразу же после включения питания. Такая информация состоит, естественно, в основном из программ эти программы образуют ядро операционной системы и часто дополняются хранимым в ПЗУ интерпретатором кжого-либо диалогового языка программирования или текстом наиболее часто используемой прикладной программы. Информация, находящаяся в постоянной памяти, не может быть изменена пользователь может лишь заменить микросхемы или специальные кассеты ПЗУ, если ему необходимо изменить набор врожденных инстинктов своей ПЭВМ. В современных моделях ПЭВМ емкость ПЗУ достигает сотен килобайт, и во многих случаях съемные кассеты ПЗУ оказываются более удобным носителем текстов программ, чем наиболее распространенные магнитные носители информации. [c.34]

Современные микросхемы контроллеров, процессоров, ПЛИС, памяти имеют, как правило, шаг выводов 0,5-0,8 мм и большое количество выводов на 2 или 4 стороны. Для вспомогательной фиксации компонентов при ручной установке их на плату используется специальная мастика. Выводы паяют при помогци фломастера с флюсом и наконечника "микроволна" паяльной станции. При пайке групповым методом требуется применение тонкого (0,3 мм) наконечника для диспенсера. [c.166]

При той высокой производной, с которой нарастали возможности электронно-цифровых машин за тридцать лет их существования, стала общепринятой укрупненная классификация типов машин но поколениям. Первое поколение машин на электровакуумных элементах ушло в прошлое. В те времена, в начале 50-х годов, вряд ли можно было даже думать о том, чтобы установить вычислительную машину на борту ракеты. Мысль об этом могла появиться лишь в связи с созданием машин второго поколения, собранных на полупроводниковых элементах. Но и тогда эта задача была далеко не такой простой. Приходилось серьезно соразмерять достигаемый положительный эффект с весовыми характеристиками машины и с ее надежностью. Только переход на интегральные микросхемы машин третьего поколения сделал проблему создания БЦВМ вполне реальной. Но окончательно вопрос о БЦВМ, удовлетворяющих всем требоваш1ям бортовой техники, был решен за последнее десятилетие на базе машин четвертого поколения с новым типом оперативной памяти, собираемых на так называемых больших интегральных схемах, где в нескольких кубических миллиметрах полупроводникового кристалла располагаются десятки тысяч ячеек, а быстродействие измеряется сотнями миллионов операций в секунду. Это позволило создать вполне надежные бортовые машины с весом процессора — арифметического устройства, не превышающим одного килограмма, и подняло бортовую электронно-вычислительную технику на уровень задач как ракетной, так и современной космической техники. Можно смело сказать, что электронно-цифровые вычислительные машины, оторвавшись от Зем [c.435]

Для упрощения выражений для сигналов выбора микросхемы при обращении к статическому ОЗУ создадим сигнал MEMREQ (от английского memory request - запрос памяти). Введем следующее выражение [c.379]

Небольшое ЗУПВ емкостью 256 байт реализовано, на двух микросхемах 2112А статической памяти оно предназначено для организации стека и для временного хранения вычисленных значений переменных. Чтобы получить ЗУПВ емкостью 1К, можно применить микросхемы 2114 А. [c.30]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...