Маска слоя

Причем даже тогда, когда выделение вы снимете. Достигается это созданием в служебном слое еще одного объекта - маски (вторая снизу строка на нашем рисунке), которая обрезает слой по размерам вьщеленной области. О том, что это за маска и как работает, вы узнаете в главе Маска слоя . [c.92]

Векторная маска слоя [c.122]

В ФРГ на фирме IBM [202] разработан лазерный метод печатания цифр на тонких пластинках кремния и феррита. При этом используется лазер, излучение которого через маску и оптическую систему проектируется на поверхность образца, и производится испарение поверхностного слоя материала без разрушения последнего. [c.154]

Изготовление ДОЭ со ступенчатым профилем стало возможным в результате применения методов фотолитографии, разработанных и доведенных до определенной степени совершенства в микроэлектронной промышленности [12]. При этом под фотолитографией понимают технологию создания и копирования бинарных структур, применяемую в производстве интегральных схем. Многократно повторяемый этап их изготовления состоит в следующем. На кремниевую пластину наносят слой светочувствительного материала — фоторезиста, который экспонируют контактным или проекционным образом через заранее изготовленную бинарную амплитудную маску, называемую фотошаблоном, а затем проявляют в травящем растворе. В зависимости от типа (позитивный или негативный) фоторезист растворяется на экспонированных или, наоборот, неэкспонированных участках, в результате чего на пластине образуется защитный слой со сквозными окнами. Через эти окна осуществляют ту или иную технологическую операцию трав/ ение, напыление и т. д., после чего фоторезист удаляют и весь цикл повторяют снова (до 8—10 раз). При этом на последующих стадиях при экспонировании фоторезиста, кроме всего прочего, необходимо совмещать рисунок фотошаблона с имеющейся на пластине структурой. Подчеркнем также, что в результате проведения не- [c.200]

В работав [195. 196] предложена многоэлементная структура типа ФП — ЖК. конструкция которой изображена на рис, 4.10. В ней слой жидкого кристалла отделяется от фоточувствительных Ячеек. дополнительными фигурными электродами. Управляющие световые сигналы поступают на структуру через световоды или маскИ. [c.247]

Другой эффективный способ устранения спеклов — применение фазовых масок с мелким случайным шагом. На рис. 133 изображена фазовая маска 3, состоящая из большого количества малых элементов с разной толщиной прозрачных слоев, так что свет, проходящий через соседние разнотолщинные элементы прозрачной фазовой маски, оказывается сдвинутым по фазе на половину периода колебаний я. [c.238]

Сильно уменьшенное и размноженное изображение маски методом обычного контактного копирования переносится на чувствительный слой, нанесенный на кремниевый электронный элемент. В случае изготовления таким образом большого числа копий (от десятков до сотен) исходная маска теряет свои свойства. [c.189]

Дефектоскоп с большим динамическим диапазоном дает оператору много преимуществ. Так, оператор может наблюдать за динамикой изменения амплитуды и характера сигнала от дефекта в процессе сканирования, устанавливать несколько уровней чувствительности при контроле по слоям, накладывать на экран ЭЛТ АРД-диаграмму в виде прозрачной маски, обеспечивая тем самым непосредственное измерение эквивалентной площади дефекта, и др. [c.24]

Проблема создания слоя фотополимера равной толщины и проецирования изображения маски в фотополимерный слой при изготовлении ДОЭ с апертурой от 40 до 100 мм была решена с помощью контактного метода. Структура многоуровневого сандвича для формирования микрорельефа ДОЭ представлена на рис. 4.41. [c.275]

Под маской обычно имеют в виду фотографический слой, который используется в позитивном процессе вместе с негативом для получения определенного эффекта. Чаще [c.80]

Но это не единственное отличие маски слоя от альфа-канала. Так, принимаясь рисовать, что-то выделять или обрабатывать в этом слое, сначала повнимательнее взгляните на палитру слоев. На рис. 1.95 видно, что миниатюра аи-томобильчика обведена двойной черно-белой рамочкой. Это значит, что именно по рисунку я и смогу сейчас водить ластиками-кисточками. Но стоит мне нажать trl- (или щелкнуть мышкой на миниатюре маски), как рамочка перейдет на маску, и рисовать можно будет уже только на ней. [c.121]

Основная трудность при сварке латуней --испарение цинка. В результате снижается прочность и коррозионная стойкость латунных HiBOB. Пары цинка ядовиты, поэтому необходима интенсивная вентиляция или сварщики должны работать в специальных масках. При сварке в защитных газах преимущественно применяют сварку неплавящимся вольфрамовым электродом, так как при этом происходит меньшее испарение цинка, чем при использовании плавящегося электрода. При газовой сварке лучшие результаты получают при применении газового флюса. Образующийся на поверхности сварочной ванны борный ангидрид (В2О3) связывает пары цинка в шлак. Сплошной слой шлака препятствует выходу паров цинка из сварочной ванны. Латунь обладает меньшей теплопроводностью, чем медь, поэтому для металла толщиной свыше 12 мм необходим подогрев до температуры 150 С. [c.235]

Возможно изготовление рельефно-фазовых ДОЭ с использованием не ионно-химического, а просто химического травления (травление в растворе), тем более, что именно таким образом получают окна в слое двуокиси кремния в технологии интегральных схем. Однако травление в растворе не обладает избирательностью по направлению, свойственной ионно-химическому травлению, которое происходит преимущественно в направлении распространения ионного пучка. В итоге стенки образую-ш,егося рельефа подтравливаются и он принимает трапециевидную форму. При этом клин травления может достигать 1—2мкм при глубине рельефа 0,5 мкм [25]. Возможно, существуют способы уменьшить подтравливание, но, с другой стороны, ясно, что ионно-химическое травление всегда будет иметь преимущество в этом отношении. Клин травления в ионном пучке тоже возникает за счет постепенного разрушения краев фоторезистив-ной маски, но он значительно меньше, чем при травлении в растворе, и составляет около 0,1—0,2 мкм [25], что позволяет изготавливать высокочастотные ДОЭ. [c.202]

Рабочие, принимающие участие в опудривании ванн, должны пользоваться асбестовой защитной одеждой и специальной маской для защиты лица от ожогов. Время, потребное для эмалирования одной ванны, зависит от ее размеров, температуры в, муфеле, тугоплавкости грунта и эмали, тонкости ее размола, количества опудриваний. В среднем оно колеблется в пределах 23—30 минут. Слой эмали на ваннах не должен быть толще 1,0—1,2 мм. Сильно заглушенную и притом легкоплавкую эмаль можно наносить более ровным и тоЭким слоем. [c.298]

Влияние на детали низких температур. При низких температурах наблюдаются утечка воздуха из пневматических систем высокого давления из-за потери эластичности уплотнениями отказ в работе воздушных редукторов высокого давления по причине потери эластичности мембранами нарушение целостности и прозрачности слоя желатина на внутренних поверхностях стекол приборов (при минус 15—20°С) увеличение вязкости гидросмеси и вызываемое этим замедление и недостаточная четкость работы гидравлических приводов замерзание воды в воздушных трубопроводах и фильтрах воздушных систем высокого давления и в системах полного и статического давления примерзание по этой причине воздушных и топливных клапанов ухудшение герметизации кабин из-за замерзания уплотняюш,их резиновых шлангов примерзание выдыхательных клапанов в кислородных масках затвердевание виниловых оболочек жгутов и виниловой изоляции электропроводов замерзание аккумуляторов во время продолжительных полетов замерзание электромеханизмов, вращающих антенные устройства потеря упругости, возникновение хрупкости и ломкости дюри-товых шлангов, покрышек и камер колес, амортизационных шнуров образование трещин в резине нагруженных пневматиков увеличение вязкости смазок температурные деформации деталей и др. [c.52]

Для изготовления объектов-растров наносятся сначала тонкие слои фотолака на образцы. Просвечивание через растр, плотно закрепленный на поверхности, переносит его структуру на фотолак. После проявления фотопленки получается лаковый растр. Так как для техники освещения из-за необходимой отражающей способности требуются металлические растры, то поверх лаковых растров наносятся металлические слои путем испарения в высоком вакууме. После растворения лаковых линий с помощью средства, растворяющего лак, получается металлический растр в качестве объекта-растра. Второй возможностью является травление соответствующих напыленных слоев поверх фотолакового растра в качестве маски травления. [c.264]

На каждой из стадий процесса действуют факторы, искажающие исходный рисунок шаблона. При экспонировании имеют место явления дифракции, преломления и отражения света, приводящие к изменению размеров элементов рисунка и размытости их краев. На этапе проявления и задубливаиия искажения размеров обусловлены набуханием слоя фоторезиста и усадкой фотомаски при тепловой обработке. При травлении, негативным фактором является боковое подтравливание под маску. Условия, в которых происходит обработка на разных стадиях, изменяются как от пластины к пластине, так и в пределах одной пластины. Это приводит к разбросу геометрических параметров элемента и его характеристик, что следует учитывать при выборе технологии изготовления ДОЭ. [c.255]

Целью литографического процесса является образование фоторезистной маски, которая служит либо для локальной обработки нижележащего слоя подложки, либо сама является требуемым микрорельефом ДОЭ. В схематической форме сечение участка микрорельефа одного периода или зоны ДОЭ показано на рис. 4.18. [c.255]

Рис. 4.35. Оптическая схема проекции полутоновых амплитудных масок в слой ЖФПК 1 — полутоновая маска оптического элемента с дифракционной решеткой 2 — объектив 3 — гидрофильная стеклянная пластина 4 гидрофобная стеклянная пластина 5 — слой ЖФПК 6 — прокладки 7 — лазер 8 — измеритель мощности

Жидкая цементация. Жидкая цементация производится при 930— 950° на глубину до 1—1,5 и даже до 2 мм в электродных соляных ваннах, содержащих, например, 45 (, МаСК, 17 ВаС1,, 30% ВаСО и 8% К аС . Достоинствами жидкой цементации являются высокая скорость процесса и возможность точного регулирования толщины твердого слоя. Недостатками ее являются сравнительно быстрое обеднение в процессе работы ванны цианистым натрием, меньшие перспективы механизации, вредность процесса и невозможность установки в общем потоке механосборочного цеха. [c.261]

Изучение структуры при помощи электронного микроскопа производится так. На протравленный шлиф наносится тонкий слой опецпального вещества, например лака, который потом осторожно снимается. Получается как бы маска структуры (фиг. 25). Этот слепок помещают в электронный м икроскоп, и па слепок направляется пучок быстро летящих электронов. Электроны частично пронизывают слепок насквозь, частично же поглощаются (рассеиваются) и тем больше, чем толще слепок. Пучок электронов, пронизывающий слепок, падает на фотопластинку. На фотопластинке [c.47]

Декапирование проводят после нанесения постоянной маски. Затем обслуживают свободные участки фольги погружением всей платы в висмутовый сплав Розе с температурой плавления 94° С. Для предохранения от окисления Рис. 54. Схема устройства индук- сплав залит слоем глицерина, ционного спирального насоса для Глицерин полезен и тем, что вос-фонтанирсвания припоя станавливает следы окиси меди на [c.146]

Планарная технология основана на использовании оксидных масок для избирательной физико-химической обработки полупроводниковой подложки. Оксидная маска представляет собой слой двуокиси кремния 810г, полученный термической пассивацией подложки из кремния. Установлено, что пленка двуокиси кремния толщиной 0,1 мк является заградительной маской для диффундирующей примеси. [c.185]

Метод регулирования контраста с помощью двухцветных масок не вполне удовлетворителен из-за довольно большой трудоемкости. Аналогичный результат может быть получен более простым путем при введении маски в оригинальный негатив (Круг [93—95]). Вначале негатив окрашивают в синий цвет в синем тонирующем растворе (см. разд. 3.7), причем цветные плотности за-дубливают в различной степени. После этого негатив окрашивают в водном растворе желтого красителя, который диффундирует в слой на глубину, определяемую степенью задубленности слоя в этом месте. Если печать такого сине-желтого негатива производить на оптически несенсибилизированном материале, то можно достичь хорошего выравнивания контраста. Белый копировальный свет слабо поглощается местами изображения, окрашенными в синий цвет, и более интенсивно — желтыми участками изображения. Обе цветные маски вводятся в негатив путем обработки двумя простыми растворами. [c.84]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...