Халькогениды свинца

Таблиц а 22.22. Электрофизические свойства окиси и халькогенидов свинца [125, 294] [c.518]

Таблица 14.5 Основные физические свойства халькогенидов свинца

Эпитаксиальные пленки халькогенидов свинца и родственных соединений [c.317]

Эпитаксиальные пленки халькогенидов свинца 319 [c.319]

Многочисленные экспериментальные данные показывают, что испарение халькогенидов свинца происходит в основном ( 90%) в молекулярной форме [23, 24]. Легкость, с которой происходит образование высококачественных эпитаксиальных [c.319]

Эпитаксиальные пленки халькогенидов свинца изготавливаются тремя различными методами возгонкой на нагретую подложку, катодным распылением на нагретую подложку и химическим осаждением из раствора. Здесь следует отметить одну общую особенность халькогенидов свинца тенденция к образо- [c.334]

Хотя и удается получать весьма совершенные монокристаллические пленки халькогенидов свинца, механизм их образования не вполне ясен. Существует большая неопределенность в зависимости степени кристалличности от температуры подложки мало известно о влиянии материала подложки на рост пленки и ее электрические свойства. [c.335]

Фиг. 5.17. Схема установки для напыления псевдобинарных сплавов халькогенидов свинца.

Наиболее изученными соединениями типа являются халькогениды свинца (PbS, PbSe, РЬТе), крис таллизующиеся в гранецентрированной кубической решетке 0/J. Зонная структура — прямая, причем абсолютные экстремумы зон расположены на краю зоны Бриллю-эна в направлении [111] (см. рис. 22.181). Вблизи экстремумов поверхности постоянной энергии представляют собой эллипсоиды вращения (их эквивалентное число равно 4 для каждой зоны). Валентная зона расщеплена на две подзоны нижняя из них (подзона тяжелых дырок) имеет максимум внутри зоны Бриллюэна на осях [111] и проявляет себя в материалах р-типа при повышенных температурах (для РЬТе при 7 400 К). Халькогениды свинца обладают аномально высокой диэлектрической проницаемостью. [c.517]

Из табл. 8.4 видно, что эти соединения являются узкозонными полупроводниками. Халькогениды свинца используют для изготовления фоторезисторов в инфракрасной технике, инфракрасных лазеров, тензометров и термогенераторов, работающих в интервале температур от комнатной до 600 С. [c.293]

Наиболее изученными соединениями этого типа являются халькогениды свинца (PbS, PbSe, РЬТе), кристаллизующиеся в гранецентрированной кубической решетке (0 ). Зоннаи структура — прямая, причем абсолютные экстремумы зон расположены на краю зоны Бриллюэна в направлении 111] (рис. 21.87). Вблизи экстремумрв поверхности постоянной энергии представляют собой эллипсоиды вращения (их эквивалентное [c.401]

Электрофизические свойства халькогенидов свинца (PbS, PbSe, РЬТе) [125] [c.406]

Основные физические свойства халькогенидов свинца приведены в табл. 14.5, из которой видно, что эти соединения являются узкозон- [c.104]

Халькогениды свинца имеют электропроводность п-типа при избытке свинца относительно стехиометрического состава и проводимость р-типа при избытке халькогена. Халькогениды олова, как и СеТе, имеют электропроводность р-типа. Электрофизические свойства халькогенидов Ое, 8п и РЬ отражены в данных табл. 15.8. [c.662]

Книга состоит из пяти обзорных глав, написанных ведущими зарубежными специалистами по физике поверхности твердого тела. Детально рассмотрены современные теоретические представления в области хемосорбции на металлах и на атомарно чистых поверхностях полупроводников. Дан обширный критический обзор методов и результатов исследований работы выхода металлов и полупроводников. Большую ценность представляет обширный обзор физических свойств халькогенидов свинца, гальваномагнит-ных, магнитооптических и квантовых эффектов в пленках этих соединений. Весьма актуален обзор исследований размерных эффектов в полупроводниках и механизма поверхностного рассеяния свободных носителей заряда. [c.4]

Последняя глава, написанная Дж. Н. Земелом (США), большим специалистом в области физики тонких пленок, является по существу одним из первых детальных обзоров физических свойств пленок халькогенидов свинца. Дан подробный критический анализ многочисленных исследований эпитаксиального роста пленок на подложках из каменной соли, выяснено влияние режима напыления на механизм роста пленки. Специально анализируется роль азимутальной разориентации блоков пленки в рассеянии свободных носителей на границах зерен. В обзоре приведен обширный фактический материал по объемным свойствам пленок, результаты исследований гальваномагнитных, оптических и квантовых эффектов в пленках указанных соединений. Дано описание основных экспериментальных методов исследования пленок. Отдельный раздел посвящен исследованию поверхностных эффектов в пленках. Весьма интересен анализ данных по взаимодействию пленок с электромагнитным излучением и [c.7]

В главе 3, Простые комплексы на поверхностях полупроводников , изучается поведение поверхностей полупроводников, используемых в приборах и полупроводниковых катализаторах. Глава 4, Работа выхода. Измерения и результаты , дает критический обзор измерений работы выхода. Работа выхода является важным, хотя и не всегда верно измеряемым и используемым параметром при исследовании поверхности. Глава 5, Эпитак-сильные пленки халькогенидов свинца и родственных соединений , включена в эту серию, поскольку редактор считает, что изучение тонких пленок сыграет важную роль в будущих исследованиях физики поверхностей. [c.10]

Детальное описание объемных свойств халькогенидов свинца содержится в недавно опубликованном обзоре Патли [15]. В этом параграфе мы ограничимся изложением лишь некоторых из них, наиболее существенных для эпитаксиальных пленок. [c.318]

Халькогениды свинца и близкого по свойствам теллурида олова имеют решетку типа Na l постоянныЪ>решетки приведены в табл. 5.1. Кристаллы этой группы легко раскалываются вдоль [c.318]

Автор здесь и в дальнейшем использует термин соли свинца , не получивший большого распространения в отечественной литературе, поэтому эту группу соединений будем именовать халькогениды свинца . — Яриж. перев. [c.318]

С повышением температуры возрастает пластичность этих веществ. При температурах выше комнатной появляются условия для пластических деформаций, что особенно важно для роста пленок. Как показал Скэнлон [18], остроугольные границы зерен могут играть существенную роль в рассея.нии свободных носителей. Высокотемпературный отжиг ( 700°С) может приводить к движению дислокаций, что иногда уменьшает рассеяние. В другой статье он сообщает, что при низкотемпературном отжиге РЬТе происходит осаждение избыточных компонент на дислокациях, границах зерен и т. д. [19]. Аналогичных эффектов следует ожидать и для других веществ этой группы. Вообще говоря, все эти кристаллы весьма хрупки и требуют бережного обращения с ними. Сводка физических свойств халькогенидов свинца приведена в табл. 5.1. [c.319]

В противоположность. электропроводности коэффициент Холла не меняется с температурой от начала примесной проводимости вплоть до 4 К [23]. Отсюда можно сделать предположение, что донорные и акцепторные уровни находятся либо вблизи краев соответствующих зон, либо в самих зонах. Последнее более вероятно, если принять во внимание отсутствие вымерзания. Типичные кривые коэффициента Холла приведены на фиг. 5.5 и 5.6. В халькогенидах свинца концентрация свободных носителей может меняться от 10 см для п-типа до 10 см для р-типа соответственно доле сверхстехиометрических свинца или халько-гена (в пределах 1 ат.%). С другой стороны, наблюдались и достаточно малые концентрации (10 см ) в материалах п- и 21 [c.323]

Х(ВЕР)=0 . Халькогениды свинца, за исключением PbS, обладают неизотропной энергетической поверхностью, и время релаксации зависит от энергии. Работами Олгейера [33], Стайлса и др. [c.327]

Исследование магнитосопротивления халькогенидов свинца было проведено Олгейером и Скэнлоном [24] (фиг. 5.7—5.10). Во всех случаях продольное магнитосопротивление было больше поперечного, что позволяет предположить, что у этих соединений многодолинная зонная структура. Неожиданным исключением [c.327]

Превосходная сводка данных по оптическим свойствам халькогенидов свинца до 1959 г. содержится в монографии Мосса [37], здесь же мы приводим только краткие выводы. Новые данные, полученные с использованием тонких пленок, рассмотрены в 5. [c.331]

Халькогениды свинца являются полупроводниками со сравнительно узкой запрещенной зоной. Полоса плазменных колебаний вследствие высокой концентрации свободных носителей лежит в области 10—50 мкм. Наблюдается также бурштейновский сдвиг края полосы поглощения [38]. [c.332]

При изучении оптических свойств халькогенидов свинца широко используется отражательная методика. Эвери [39] определил коэффициент поглощения, измеряя отражение поляризованного света. Точность таких измерений будет максимальной при условии, если мнимая часть комплексной диэлектрической проницаемости значительно больше действительной части. Это условие выполняется в области, где коэффициент поглощения более или равен 10 см т. е. далеко за краем полосы собственного поглощения. Скэнлон провел прямые измерения коэффициента поглощения, используя полированные монокристаллы микронной толщины [40, 41]. Из-за малых размеров образцов потребовалось применение инфракрасного микроскопа. Из этих данных им были получены значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов. Оказалось, что во всех случаях значения для непрямых переходов были меньше, чем для прямых. Это было объяснено поглощением с участием фононов, поскольку измерения проводились при комнатной температуре, существенно превышающей дебаевскую температуру для этих соединений. [c.332]

Хорошей иллюстрацией способности халькогенидов свинца образовывать кристаллические слои явилась работа Дэвиса и Норра [69] по химическому осаждению PbS на германий. В этой работе пленки осаждались на гранях Ge (100) и (111) из того же раствора, который применяется при производстве сернисто-свинцовых фотосопротивлений на стеклянной подложке. [c.341]

Легкость, с которой удается получить эпитаксиальные пленки халькогенидов свинца, естественно, наталкивает на мысль попытаться вырастить сплавы типа РЬ (VI) ж (VI)и Pbl-3 Sn3 (VI). [c.342]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...