Идеальное электросопротивление

В первом приближении можно считать, что электросопротивление чистого металла есть сумма двух составляющих. Первая ( идеальное электросопротивление) зависит только от температуры и связана с рассеянием электронов проводимости на тепловых колебаниях атомов в решетке. Вторая составляющая ( остаточное электросопротивление) не зависит от температуры и связана с дефектами решетки. При низких температурах, когда вторая составляющая становится доминирующей, электрическое сопротивление должно быть очень чувствительным к химическим дефектам (примесям) или физическим дефектам (дефектам решетки). Для образца, содержащего мало дефектов решетки, измерение низкотемпературного электросопротивления является удобным методом определения степени чистоты. Каждая из примесей вносит вклад в величину электросопротивления пропорционально своей концентрации. [c.443]

При температурах меньше 0,10д (в интервале, щ которо.м идеальное электросопротивление. пропорционально Т ) ау, мож- [c.125]

Pd — электросопротивление идеальной решетки, обусловленное только фононным вкладом р —дополнительное электросопротивление, обусловленное наличием дефектов типа г e — энергия Ферми Т—температура е — заряд электрона. Опыт показывает, ч Ю в области комнатных температур Рд -f >> рд,- и Qo + Q o > > Q i (знак Ai указывает на дополнительное изменение р и Q за счет изменения плотности дефектов типа г на величину А). [c.169]

При абсолютном нуле электропроводность идеальной решетки бесконечно велика. Дефекты в реальной решетке являются причиной появления электросопротивления. Из теории потенциальной ямы следует, например, объяснение таких понятий, как контактное напряжение, термоэлектричество (см. 1.11.3.3) и работа выхода. [c.139]

В случае идеальной закалки избыточное удельное электросопротивление Др в разбавленных сплавах (предполагая Со = Ср) должно быть [c.157]

При стремлении температуры к абсолютному нулю в идеальном кристалле число фононов будет стремиться к нулю и удельное электросопротивление также будет стремиться к нулю. Однако реальные кристаллы обладают дефектами строения. Поэтому при низких температурах подвижность определяется рассеянием электронов на дефектах, в основном на точечных (в первую очередь на атомах примеси). [c.229]

Если поверхность Ферми касается границы зоны, то, как отмечал Пайерлс, процессы переброса обусловливают даже при наиннзших температурах большую часть идеального электросопротивления. В этом случае вышеприведенное рассмотрение уже несправедливо и отклонения от зависимости не должно наблюдаться. На основании отсутствия этого отклонения у одновалентных металлов Пайерлс заключил, что для этих металлов поверхность Ферми касается границы зоны, однако Клеменс считает это заключение неправильным, поскольку учет зависимости от частоты должен привести к понижению критической температуры. В дальнейшем появились еще две работы, касающиеся этого вопроса. Как мы видели в п. 15, из поведения отношения Лоренца при низких [c.285]

Измерения электросопротивления для анализа чистоты должны выполняться на образцах, полностью отожженных, решетка которых совершенна в той мере, насколько это возможно. Эти образцы,, кроме того, Д0лн ны иметь достаточные размеры, чтобы не сказывалось рассеяние электронов внешней поверхностью. Чтобы не учитывать влияния формы образца на данные абсолютных измерений электросопротивления, лучше всего измерять отношение величин электросопротивления. Одно измерение проводится при возможно более низкой температуре, что резко уменьшает вклад идеального электросопротивления. Второе измерение, используемое в качестве эталонного, проводится при температуре, достаточно высокой для того, чтобы вклад идеального электросопротивления был очень велик по сравнению с остаточным электросопротивлением при такой температуре электросопротивление почти не зависит от чистоты образца. Для металлов высокой чистоты необходимо пользоваться весьма чувствительной аппаратурой, поскольку в этом случае значения электросопротивления очень малы. Часто для этого используется гальванометр с усилителем [27]. Некоторые измерения были выполнены индукционным методом, который позволяет использовать массивные образцы [13]. [c.443]

Другой причиной, вызывающей отклонение от максимального порядка в твердых растворах, является отклонение состава от оптимального стехиометрическсго соотношения между различными атомами. Это, как правило, приводит к падению температуры упорядочения по обе стороны от идеального состава и сопровождается изменением ряда других свойств, таких, как твердость, электросопротивление и т. п. [c.208]

Интересен другой аспект использования выражения (8.46). Первый из его членов отвечает переходам электронов между состояниями, разность между которыми равна векторам обратной решетки, а второй — произвольным векторам обратного пространства. Поэтому первый член, отличаюш ийся от аналогичного выражения для идеального кристалла только постоянным коэффициентом (—2с-гс ), не будет вносить вклад в такие транспортные атомные свойства, как электросопротивление, тердю-э. д. с. и т. п., и остаточное сопротивление кристалла, содержащего дефекты, будет определяться только вторым членОхМ. Как указано в [И, расчеты электросопротивления ряда материалов но формуле (8.47) (здесь х = д/2кр) [c.301]

Собственные отклонения от периодичности идеального кристалла, обусловленные тепловыми колебаниями ионов. Даже в отсутствие примесей или дефектов ионы не остаются жестко закрепленными в узлах идеальной периодической решетки, поскольку они имеюг определенную кинетическую энергию, которая возрастает с повышением температуры (гл. 21—26). Ниже температуры плавления этой энергии обычно не достаточно, чтобы вызвать большие отклонения иона от идеального положения равновесия. Наличие тепловой энергии проявляется главным образом в малых колебаниях ионов относительно положений равновесия. Нарушение идеальной периодичности ионной рэшетки, обусловленное такими колебаниями, служит наиболее важной причиной температурной зависимости статического электросопротивления (гл. 26) при комнатной температуре этот механизм рассеяния обычно играет основную роль. При понижении температуры амплитуда колебаний ионов резко уменьшается и в конечном счете првобладающ им становится рассеяние на примесях и дефектах. [c.315]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...