Элементарный фотографический процесс Г. Пик)

Элементарный фотографический процесс 133 [c.133]

ЭЛЕМЕНТАРНЫЙ ФОТОГРАФИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС [c.133]

Представляется полезным выбрать из огромного числа экспериментальных данных прежних лет наиболее важные для количественного описания элементарного фотографического процесса. [c.134]

Элементарный фотографический процесс [c.135]

НИЗКИХ температурах (см. 5), Рассмотрим эти работы, прежде чем перейти к элементарному фотографическому процессу (см. 7). [c.137]

Прежде чем перейти к элементарному фотографическому процессу, следует кратко рассмотреть центры окраски и агрегаты центров окраски в щелочногалоидных кристаллах (КС1, КВг). Весьма обширные исследования, проведенные школой Поля ), позволили с достаточной полнотой выяснить сущность фотохимических и фотоэлектрических явлений в этих кристаллах. Различные авторы неоднократно пытались перенести некоторые из этих [c.145]

Попытаемся теперь использовать данные последних лет ) для объяснения элементарного фотографического процесса. [c.147]

Элементарный фотографический процесс 151 [c.151]

Для голографии характерна возможность появления многих дополнительных изображений. Причина их возникновения, по существу, была выяснена в 58. Интерференционную картину можно рассматривать как наложение элементарных систем полос, обусловленных интерференцией опорной плоской волны и пространственных фурье-составляющих поля объекта (см. также 52). Соответствующая элементарная дифракционная рещетка будет периодической, но если фотографический процесс должным образом не отрегулирован, коэффициент ее пропускания не будет гармонически зависеть от координаты. При просвечивании такой решетки образуются волны не только с порядком т = 0, 1, но и с /п = 2 [c.261]

После довольно значительной миграции по кристаллу электрон захватывается. Ловушками электронов являются вакантные бромные узлы. Пока неизвестно, имеем ли мы дело с изолированными вакантными бромными узлами или с узлами, ассоциированными с ионами З- . Таким образом, первая стадия фотографического элементарного процесса заканчивается образованием центра окраски (фиг. 19). [c.148]

Зная энергию активации прогресса проявления, можно судить о характере (области) протекания процесса. Фотографическое проявление состоит из последовательного течения таких превращений, как ионизация проявляющего вещества, диффузия молекул и ионов в растворе и фотослое, адсорбционно-конкурентная борьба ионов за место на поверхности центров скрытого изображения, химическая реакция, и, наконец, десорбция и удаление продуктов реакции из фотослоя. Указанные элементарные акты обладают собственной энергией активации и регулирующим является тот процесс, который имеет наименьшую скорость и наибольшую энергию активации. [c.553]

Со времени изобретения фотографии были сделаны крупные технические и научные открытия, которые обеспечили этому методу выдающуюся роль. Однако несмотря на все эти успехи следует признать, что вплоть до настоящего времени не удалось полностью и без противоречий выяснить сущность элементарного фотографического процесса. Было сделано много попыток охватить единой законченной теорией различные физические и химические процессы, протекающие от момента поглощения света сенсибилизированным фотослоем до момента фиксирования проявленного изображения. Одной из наиболее поздних теорий является теория Герни и Мотта [1]. Однако и она не может объяснить ряда весьма важных и экспериментально безупречных наблюдений. Например, она не может объяснить выделения частичек серебра внутри микрокристаллов бромистого серебра после сильного освещения. [c.134]

Рассмотртм с зтих позиций элементарную теорию процесса фотографической регистрации изображения с высоким разрешением в диффузно рассеянном когерентном излучении. Пусть сфокусированное изображение плоского объекта (транспаранта), характертзуемого функцией амплитудного пропускания Т(хо), формируется линзой в плоскости х с единичным увеличением (рис. 40). Диффузную подсветку объекта сведем к его осве- [c.75]

При освещении в полосе при 560 т,ч образуется электрон и положительно заряженный остаток. Этот остаток может вернуть электрон путем обмена со свободным ионом 5 или (что более вероятно) с комплексом [AgQSy. В конечном счете, освещение в полосе поглощения агрегатов А 0[8 е,ВГд] тождественно освещению в примесной полосе поглощения и также может приводить к образованию коллоида. При нагревании до комнатной температуры максимум полосы поглощения агрегатов AgQ [8 Вг ] смещается и совпадает с максимумом поглощения коллоида. Сенсибилизатором является не коллоид, а комплексы AgQ[8 Вг ], обусловливающие слабую полосу поглощения, совпадающую с полосой коллоида. Интересно было бы провести измерения при еще более низких температурах на кристаллах, спрессованных при комнатной температуре. Лишь при более низких температурах можно реализовать эффекты, которые наблюдались на других кристаллах (спрессованных при 380°). Термодинамическую обработку результатов можно провести только после получения точных количественных данных, прежде всего по зависимости образования новых полос поглощения от интенсивности излучения. Такие измерения находятся в стадии подготовки. Можно надеяться, что эти новые опыты позволят глубже понять механизм элементарного процесса, протекающего в фотографической пластинке. Исходя из чисто экспериментальных соображений, нами была исследована область до 700 т,ч. Возможно, что в длинноволновой области будут обнаружены новые полосы, обусловленные связыванием электронов более сложными агрегатами. [c.72]

Автор данной работы, как и многие другие зарубежные исследователи, как правило, к сожалению, умалчивает о работах советских ученых или игнорирует их. В частности, по вопросу, рассматриваемому в настоящей статье, в СССР имеются крупные достижения, которые ставят под сомнение отдельные выводы зарубежных исследователей, выдвигая вместе с тем новые гипотезы о природе светочувствительности и элементарном процессе образования скрытого фотографического изображения. К числу таких работ следует прежде всего отнести исследования Е. А. Кириллова и его школы, посвященные изучению тонкой структуры спектров поглощения фотохимически окрашенных галогенидов серебра. — Прим. ред. [c.134]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...