Междоузлия

Как указывалось ранее (гл. I), в любом веществе происходит флуктуация тепловых колебаний, в результате которой отдельные атомы приобретают значительно большую энергию, чем средний уровень энергии атомов, характеризуемый температурой данного тела. Эти атомы могут покидать равновесные положения в узлах решетки и перемещаться в междоузлиях, оставляя места в узлах решетки незанятыми. [c.320]

Атом, расположенный в междоузлии решетки, называется дислоцированным атомом (рис. 258), а узел в кристаллической решетке, не занятый атомом, называется, как уже говорилось в гл, I, вакансией. Для атомов вокруг вакансии или дислоцированного атома нарушается равномерность окружения атома- [c.320]

Для того чтобы атом А перешел из своего исходного положения в соседнюю дырку , он , должен предварительно занять промежуточное положение в междоузлии. Работа, которая требуется для того, чтобы вырвать атом из регулярного положения, называется энергией активации (или теплотой разрыхления) и является важнейшей характеристикой способности атомов к перемещению. Величина эта не зависит от температуры, а определяется природой вещества. [c.321]

В кристаллах с занятыми междоузлиями следует ожидать более высоких, а в кристаллах с вакансиями — более низких средних значений постоянной решетки, чем в кристаллах с идеально заполненной решеткой, [c.38]

Пз (0) = Ыз exp (—Ф/ЛГ), где Nn — количество позиций в междоузлиях на единицу объема окисла [c.50]

На расстоянии fi, достаточно удаленном от поверхности для довольно толстой пленки, концентрация ионов в междоузлиях должна быть равна концентрации электронов [c.51]

Рис. 28. Схема изменения потенциальной энергии металлического иона при пере ходе от энергетически более выгодного места Р на поверхности металла в междоузлия решетки окисла Qi, Q2 и т. д. (а — расстояние первой кристаллической плоскости окисла от поверхности металла можно считать, что а а)

Ион, перемещающийся через решетку, должен преодолеть потенциальный барьер V, существующий между двумя соседними междоузлиями (рис, 28). При отсутствии поля вероятность того, что ион пройдет за единицу времени из одного междоузлия в соседнее, равна [c.52]

Если для тонкой пленки из полупроводника я-типа — число ионов в междоузлиях на единицу объема окисла, находящегося в равновесии с металлом, а v — их подвижность, то из равенства [c.52]

Когда металл образует ряд окислов, то наивысший окисел обычно является проводником м-типа, а наи-низший — проводником р-типа. Если диффузия осуществляется через вакансии, а не через междоузлия, то катионы диффундируют во внутреннем, а анионы в наружном слое по направлению к поверхности раздела между двумя слоями, где происходит во многих случаях образование нового окисла. [c.69]

Диффузия ионов, обусловливающая рост окалины при окислении сплава, осуществляется по вакантным окта- и тетраэдрическим междоузлиям. [c.102]

Атомы С в кристаллической решетке мартенсита (как и в решетке аустенита) находятся в междоузлиях размещаются в порах между атомами Ре, расположенными в направлении тетрагональной оси. [c.102]

Этот распад начинается при более высоких температурах, чем распад мартенсита, поскольку переходы атомов С в междоузлиях у-ре-шетки (аустенита) осуществляются легче, чем в а-решетке (мартенсита). При увеличении продолжительности отпуска температура начала распада остаточного аустенита снижается. [c.109]

Во всех этих случаях растрескивание вызывают атомы водорода, проникающие внутрь металла либо в результате коррозионной реакции, либо при катодной поляризации (521. Сталь, содержащая водород в междоузлиях кристаллической решетки, не всегда разрушается. Она почти всегда теряет пластичность (водородное охрупчивание), но растрескивание обычно происходит только при одновременном воздействии высокого приложенного извне или остаточного растягивающего напряжения. Разрушения такого типа называют водородным растрескиванием под напряжением (или просто водородным растрескиванием). Трещины в основном транскристаллитные. В мартенситной структуре они могут проходить по бывшим границам зерен аустенита [52]. [c.149]

Скорость окисления цинка почти не зависит от давления О , так как концентрация промежуточных ионов цинка на границе раздела кислород — оксид очень мала и дальнейшее ее снижение вследствие повышения давления Ог лишь незначительно влияет на градиент концентрации между границей раздела и поверхностью металла, где концентрация Zn + в междоузлиях наибольшая. [c.198]

Точечные несовершенства (рис. 12.34) — это пропуски отдельных атомов в решетке (незаполненные узлы — вакансии), внедрения атомов в междоузлия, замещения атомов данного элемента атомами другого элемента. [c.468]

При образовании точечного дефекта заметные смещения претерпевают лишь те атомы, которые близко расположены к вакантному узлу, замещенному атому или междоузлию, занятому атомом внедрения. По мере удаления от центра возмущения искажения решетки быстро уменьшаются. [c.468]

Совсем иной характер имеет движение частиц в жидкости или в твердом теле. Мы уже говорили в 9.1, что здесь у них вообще не бывает свободного пробега. В твердом теле атомы в основном совершают колебания около положений равновесия. А дальние прыжки происходят лишь изредка. При этом атом может либо сесть в междоузлие, потеснив соседние атомы (рис.9.8д), либо, оторвавшись от своих соседей, прыгнуть на один из пустых узлов, которые всегда существуют в реальной решетке (рис.9.8б). В обоих случаях достаточно буквально одного колебания на новом месте, чтобы забыть о [c.204]

Другими точечными дефектами являются дислоцированные атомы (дефект Френкеля), т.е. атомы собственного металла, вышедшие из узла решетки и занявшие место где-то в междоузлии. При этом на месте переместившегося атома образуется вакансия. Концентрация таких дефектов невелика, т.к. для их образования требуется существенная затрата энергии. [c.47]

Кроме дырочного механизма возможны и другие диффузионные про-неееы перемещение дислоцированного атома из одного междоузлия в другие (пока он не попадет в дырку и успокоится ) или обмен местами двух соседних атомов. Дырочный механизм осуществим наи(5олее легко. Расчеты относительно самодиффузии меди дают следующие значения энергии активации процессов для дырочного механизма — 64 ккал/г-атом, перемещение дислоцированного атома 230 ккал/г-атом и при обменном механизме 400 ккал/г-атом. Столь большая разница в энергии активации приводит к тому, что диффузия реально протекает лишь путем дырочного механизма удельное значение других способов перемещения ничтожно мало. [c.321]

Перемещение катионов и электронов осуществляется в междоузлиях, при этом к + э = 1- К этому типу относятся такие соединения, как ZnO, AI2O3 (при высоких температурах), dO, ВеО и др. [c.37]

Перемещение анионов осуществляется по анионным вакансиям, а электронов —в междоузлиях, при этом + Пд = 1. К этому типу относятся такие соединения, как а = FejOg, TiOj и др. [c.37]

Таким образом, примеси dBr. в AgBr уменьшают перемещение катионов через междоузлия и увеличивают через вакансии [c.38]

Рис. 26. Переход ионов металла па точки Я в междоузлия решетки окислов по теории Мотта и Кабреры I — металл 2 — окисел J —хемосорбированный кислород

Если принять для перехода ионов металла из точки Р (рис. 26) в междоузлия решетки окисла полупроводника п-типа, что W н — энергия, соответствующая этому переходу, Ф — энергия, необходимая для перехода электрона из металла в зону проводимости окисной пленки (рис. 27), а Е — энергия сиязи электрон—ион в междоузлии, то величина — Е будет энергией раство- [c.50]

Если Пн (h) — концентрация ионов в междоузлиях в точке /г, а пз (Н) — концентрация электронов в той же точке, то по закону действующих масс должно быть я (/г) X Пз (h) = onst для любой точки h. [c.50]

Наличие электрического поля F снижает потенциальный барьер U на l2qaF, если q — заряд иона, перемещающегося в направлении поля, и а — расстояние между соседними междоузлиями. Тогда вероятность прохождения иона в направлении поля из одного междоузлия в следующее равна [c.52]

Эти механизмы диффузии имеют место при росте защитных пленок первый — при образовании пленок ZnO, dO, BeO, AI2O3 и др. (рис. 35, а), второй — при образовании пленок с пустыми катионными или анионными узлами в кристаллической решетке, например Си О, FeO, NiO, СоО (рис. 35, б), a-FeaOg, Т1О2 (рис. 35, в) и др. Диффузия катионов в защитной пленке для соблюдения электронейтральности сопровождается одновременным перемещением в том же направлении эквивалентного числа электронов в междоузлиях при первом механизме и по электронным дыркам (катионам с более высокой валентностью) при втором механизме. [c.60]

Т о ч е ч и ы е дефект ы (рис 8) — малы во всех трех измерениях, и размеры их не иревы1нают нескольких атомных диаметров. К точ(. чиым дефектам относятся 1) вакансии (дефекты Шот-тки), т. е. узлы решетки, в которых атомы отсутствуют (рис. 8). Вакансии чаще образуются в результате перехода атома из узла рен1етки на поверхность или полного испарения с поверхности кристалла и реже в результате их перехода в междоузлие. [c.19]

М е ж у 3 е л ь и ы е атомы (дефекты Френкеля). Эти дефекты образуются в результате перехода атома из узла решетки в междоузлие (рис. 8). На месте атома, вышедшего из узла реи1етки в мсж.1 jy,i 1не, образует(. я вакансия. [c.19]

При образовании твердого раствора внедрения (рис. 50, б) атомы растворенного компонента располагаются в междоузлиях (пустотах) кристаллической решеткп растворителя. При этом атомы расиола- [c.77]

В оксидах п-типа в междоузлиях кристаллической решетки размещаются избыточные ионы металла, которые в процессе окисления мигрируют совместно с электродами (рис. 10.4, Ь) к наружной поверхности оксида. Примерами оксидов п-типа служат ZnO, dO, TiO и AI2O3. Вагнер показал, что закон действия масс может быть применим к концентрациям промежуточных ионов и электронов, а также катионных вакансий и положительных дырок. Следовательно, уравнения равновесия для Си О имеют вид [c.196]

При описании дефектов стали считать положения частиц в узлах кристаллической решетки правильными, а в междоузлиях - неправильными или дефектными. В связи с этим для описания кристаллических веществ пришлось ввести два фундал<ентальных понятия - понятие пространственной решетки - геометрического построения, помогающего выявить законы симметрии или наборы симметричных преобразований кристаллической структуры, и понятие структуры кристалла - конкретного расположения частиц в пространстве [88]. Таким образом узаконивался факт неидеальности кристаллической структуры вещества в целом. [c.193]

Дефекты кристаллической решетки (О-мсриые) - нарушения идеальной кристаллической решетки за счет различий в заполнении отдельных узлов решетки. Основными 0-мерными дефектами являются вакансии (дефекты по Шотгки), когда > зел регнетки остается не занятым частицей, и дефекты по Френкелю - совокупность вакансии и частицы, занимающей нехарактерное междоузлие в решетке. [c.362]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...