Пробой электронно-дырочного перехода

ПРОБОЙ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА [c.66]

Основные параметры полупроводниковых диодов (вентилей) специального назначения. Лавинные диоды. Вольт-амперные характеристики этих диодов примерно такие же, как и характеристики простых диодов. Лавинные диоды при превышении пробивного напряжения i/проб не теряют своих вентильных свойств. Объясняется это тем, что обратный ток распределяется равномерно по поверхности электронно-дырочного перехода. В результате возникаюш,его при этом равномерного лавинного пробоя напряжение на диоде не падает, а электронно-дырочный переход может выделять энергию, примерно равную энергии, рассеиваемой при прохождении прямого тока. Следовательно, лавинные диоды способны выдерживать кратковременно обратное напряжение большой величины. [c.10]

В основе принципа работы стабилитрона лежит пробой р-п электронно-дырочного перехода, происходящий под действием обратного напряжения (приложенного к переходу). Вольт-ампер-ная характеристика стабилитрона (рис. 93) показывает, что стабилитрон может проводить ток в обоих направлениях (прямом и обратном). Прямая ветвь характеристики стабилитрона обычно является нерабочей, но в ряде случаев может быть использована (например, в цепях температурной компенсации). [c.133]

Исследования повреждений кремниевых вентилей при воздействии обратных напряжений показали, что чаще всего слабые места появляются на участках электронно-дырочного перехода, прилегающих к боковой поверхности вентиля. Именно здесь в кристаллической решетке чаще всего возникают структурные дефекты, приводящие к тепловому пробою. [c.145]

ПРОБОЙ магнитный — туннельный переход электрона, движущегося в металле при наличии магнитного поля, с одной орбиты на другую световой — переход вещества в состояние плазмы в результате сильной ионизации под действием мощного светового излучения электрический — общее название процессов, приводящих к резкому возрастанию электрического тока в среде, исходно не электропроводной) ПРОВОДИМОСТЬ ионная обусловлена движением свободных ионов комплексная определяется отношением действующего значения силы переменного тока в электрической цепи к действующему значению напряжения на ее зажимах магнитная измеряется отношением магнитного потока в каком-либо участке магнитной цепи к магнитодвижущей силе, действующей на этом участке полупроводника [примесная дырочная (/)-типа) обеспечивается движением дырок в направлении, противоположном движению электронов, перебрасываемых из валентной зоны в зону проводимости полупроводника электронная (я-типа) осуществляется электронами, перебрасываемыми с донорных уровней в зону [c.266]

Опорные диоды (стабилитроны). Кремниевые вентили, для которых рабочим режимом является электрический пробой их электронно-дырочного перехода при обратном Напряжении i/крнт, могут выполнять функции опорных диодов или стабилитронов. В этом режиме прн изменении пропускаемого тока от / ин ДО /какс (рис. 3,а) напряжение на диоде практически не изменяется. Участок а—б вольт-амперной характеристики стабилитрона используется для стабилизации напряжения. Состояние пробоя не выводит диод из строя, если ток не превышает значения /ма-с. [c.10]

На рис. 29, а и б изображено конструктивное исполнение вентилей, их структура (рис. 29, в) и условное обозначение тиристора (рис. 29, г). Вентили состоят из следующих основных деталей 1 — шпилька, 2 — основание вентиля, 3 — фторопластовое уплотнительное кольцо, 4 — электронно-дырочный переход, 5 — крышка корпуса, 6 — стеклянное кольцо, 7 — управляющий электрод, 8 — гибкий вывод. Подробное рассмотрение физических свойств структуры, устройства и принципа действия тиристора дано в работе [31]. Отечественной промышленностью выпускаются три типа тиристоров вентиль кремниевый управляемый ВКУ, вентиль кремниевый диффузионный управляемый ВКДУ и управляемый полупроводниковый вентиль кремниевый лавинный УПВКЛ. Охлаждение тиристоров может быть воздушным или водяным. Воздушное принудительное охлаждение при скорости воздуха 15 м сек позволяет использовать тиристор на ток, указанный в паспорте, где приводится также и класс (напряжение), превышение которого ведет к пробою структуры. [c.74]

Как указали Коэн и Фаликов, впервые высказав идею о МП, пробой должен привести к значительным изменениям гальваномаг-нитных свойств, и это действительно было обнаружено. Так, из орбит, открытых в слабых полях, могут сформироваться замкнутые орбиты при возникновении МП, или из дырочных орбит образуются электронные , что приводит к нарушению компенсации. Вследствие эТого неограниченный вначале рост магнетосопротивления, соответствующий топологии ПФ, будет сменяться спадом и произойдет постепенный переход к насыщению. В режиме МП име- [c.398]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...