Синглетные экситоны

Исключая из уравнений (58.42) функции F ( o), получаем окончательное выражение для фурье-образа запаздывающей функции Грина, соответствующей /-й полосе синглетных экситонов при Qa 1 [c.514]

Энергия /-Г0 синглетного экситона Ео (/) близка к энергии пары триплетных экситонов 2Ет так, что выполняется неравенство [c.515]

Следовательно, функция (58.56) определяет в (58.31) поглощение, обусловленное синглетными экситонами полосы /. [c.516]

Коллективные свойства экситонов. Экситоны в полупроводниках представляют собой довольно рыхлые образования с малой энергией связи 10 эв) и большим радиусом 10 см). Тем не менее при очень низких температурах они могут проявлять себя как частицы. В синглетном состоянии экситоны имеют нулевой спин, поэтому они являются нейтральными бозе-частицами. В связи с этим Москаленко [253, 263] и ряд других авторов [264, 265] высказали предположение о возможности бозе-конден-сации экситонов. [c.327]

Возбуждение триплетных экситонов в кристаллах. Из-за малой вероятности перехода непосредственное возбуждение светом триплетных экситонов в чистых кристаллах при квантовом переход из основного синглетного состояния может быть осуществлено только при больших интенсивностях света. [c.508]

Поглощение, определяемое выражением (58.45), обусловлено рождением через виртуальные синглетные состояния / пары триплетных экситонов с противоположными спинами. Относительный вклад каждого -то виртуального синглетного состояния (это могут быть и вибронные молекулярные возбуждения) и вносимое им распределение интенсивности в полосе поглощения зависит от значений параметров й/, Ау, а, р и Мт. Рассмотрим некоторые предельные случаи. [c.514]

При частоте o = oq функция (58.47) имеет максимальное значение. Этот случай соответствует резонансному возбуждению пары триплетных экситонов через реальное синглетное состояние с энергией Ео [). В пределе р /ф( о)->0 такой максимум переходит в дельта-( )ункцию [c.515]

Частота света Попадает в область частот, соответствующих энергии пары триплетных экситонов, но энергия виртуального синглетного уровня е1 (/) значительно отличается от энергии пары триплетных экситонов так, что выполняются неравенства [c.515]

В области частот Л(л = Ег 0), соответствующих образованию в кристалле триплетных экситонов, вклад в поглощение от /-го виртуального синглетного состояния определяется согласно (59.15) выражением [c.520]

Обычно осн. состояние молекулы является синглет-ным, первое возбуждённое — триплетным, следующее — снова синглетным. Из синглетных и триплетных молекулярных возбуждений образуются соответственно синглетные и триплетные М. э. Ширина зон синглетных экситонов определяется электрич. мульти-польными взаимодействиями между, молекулами и обычно 0,01—0,1 эВ. Для триплетных М. э. она определяется обменным взаимодействием и обычно 10" — 10 эВ. Люминесценция в случае триплетных экситонов, как правило, связана с предварит, слиянием двух триплетных экситонов в один синглетный. В магн, поле и скорость этого процесса зависит от Н даже в области слабых полей [И 100 Гс 5]). Это явление связано С конкуренцией эеемановской энергии и энергии спиы-орбитального взаимодействия, последняя мала в молекулах, построенных из атомов лёгких элементов. Триплетные М. э. благодаря наличию электронного спина могут изучаться методами радиоспектроскопии. [c.205]

Уравнение (43.3) не учитывает спиновых состояний электрона и дырки. Поскольку электрон и дырка имеют спин, равный 2%, то полный спин экситона равен нулю, либо Й. В первом случае экситон называется синглетным или параэкси-тоном, во втором — триплетным или ортоэкситоном. Энергия триплетного экситона лежит ниже энергии синглетного экситона на величину, равную удвоенной энергии обменного взаимодействия между, электроном и дыркой. Эта энергия рассчитывалась в работах Москаленко и Толпыго [198] и Эллиотта [200]. Обменное взаимодействие по своей природе является контактным, поэтому оно пропорционально квадрату модуля волновой функции в точке г = 0. Следовательно, оно существенно только в s-состояниях экситона и приближенно пропорционально кубу отношения постоянной решетки к боровскому радиусу экситона. [c.314]

Доказательство существования безызлучательного переноса триплетного возбуждения в конденсированных системах впервые дано Терениным и Ермолаевым [410] в 1952 г. и затем подтверждено во многих работах. О подвижности триплетных состояний свидетельствуют многие явления. В частности, явление запаздывающей флуоресценции в органических кристаллах было объяснено Хохштрассером, Авакяном и др. [411—413] на основе представления о превращении при столкновении пары триплетных экситонов в синглетный экситон. Такая триплет-триплетная аннигиляция широко используется для изучения свойств трип летных экситонов [413]. [c.531]

Если триплетные экситоны создаются в кристалле каким-либо образом, то в течение своего большого времени жизни, превышаю-ш,его в миллионы раз время жизни синглетных экситонов, они могут, сталкиваясь друг с другом, превращаться в синглетные возбуждения. Происходит так тзытемая триплет-триплетная аннигиляция. После быстрой релаксации к нижайшему синглетному возбуждению происходит излучение. Такое излучение называют запаздывающей флуоресценцией, так как энергия долгое время хранилась в состояниях триплетного возбуждения. Спектральное распределение запаздывающей флуоресценции такое же, как и флуоресценции с синглетного состояния, если оно возбуждается светом непосредственно. [c.582]

Довольно интересная работа была сделана по исследованию экситонов в кристаллах антрацена (рис, 18.10). Нижние экситонные уровни антрацена показаны на рис. 18.11. Оптический переход между основным (синглетным) состоянием и состоянием с наименьшей энергией возбуждения электрона (триплетным состоянием) не является разрешенным электрическим дипольным переходом, однако вероятность перехода не равна нулю и значительная концентрация экситонов, находящихся в триилетном спиновом состоянии, образуется под действием облучения кристалла интенсивным лазерным пучком с энергией фотонов 1,79 эВ. Два триплетных экситона могут объединяться (см. р. -боты [35, 36]), образуя один синглетный экситон, нмеюпги энергию 3,15 эВ, причем избыток энергии уносится фононом. Переход с экситонного уровня с энергией 3,15 эВ на основной уровень является разрешенным, н излучаемый при этом переходе фотон может быть экспериментально зарегистрирован (рнс. 18.12). [c.640]

Промежуточные активные частицы. Радиационные изменения свойств полимеров протекают через стадию образования и реакции промежуточных активных частиц — заряженных частиц (избыточные и захваченные электроны, электрон-кагионные пары, катионы, анионы, катион- и анион-радикалы), комплексов с переносом заряда, возбужденных молекул (синглетные, триплет-ные, эксимеры, эксиплексы, экситоны) и свободных радикалов (низкомолекулярные радикалы и макрорадикалы). [c.292]

Другой метод возбуждения триплетных экситонов в кристаллах антрацена был использован Вайсцем с сотрудниками [399]. В этом эксперименте возбуждение триплетных экситонов осуществлялось косвенным путем через возбуждение светом синглетного состояния Вга- Энергия синглетного возбуждения переходит в энергию триплетных состояний безызлучательным путем. Образование триплетных экситонов обнаруживалось по появлению замедленной -40 флуоресценции с синглетных состояний Вга, образуемых при встрече триплетных экситонов. [c.509]

Гайдидей и Петров [400] исследовали теоретическую возможность возбуждения светом пар триплетных экситонов с участием виртуальных синглетных состояний. Ниже мы изложим основы этой теории. [c.509]

Согласно общему выражению (46.34) поперечный тензор комплексной диэлектричес1 ой проницаемости, описывающий в длинноволновом приближении (( а 1) отклик системы взаимодействующих синглетных пар и триплетных экситонов на внешнее электромагнитное возмущение частоты со, определяется выражением [c.512]

В экспериментах Эванса [401, 402] было показано, что наличие в молекулярных кристаллах парамагнитных примесей приводит к заметному усилению триплетных переходов. Один из механизмов такого усиления базировался на учете обменного взаимодействия между примесной молекулой и основными молекулами кристалла. Теория этого явления развивалась Гайдидеем [403]. Ниже мы рассмотрим основные черты теории усиления (за счет обменного взаимодействия с парамагнитной примесью) вероятности возбуждения светом (через виртуальные синглетные возбуждения молекул) триплетных экситонов. [c.517]

Из девяти столкновений двух триплетных экситонов только одно может привести к синглетному состоянию, так как сложение двух триплетных состояний приводит к образованию одного синглетного, трех триплетных и пяти квинтетных состояний. [c.532]

Существуют некоторые молекулярные кристаллы, напрпл ер, содержащие ионные радикалы солей тетрацианоквинометана, в которых энергии триплетных возбужденных состояний электронов достаточно близки к энергии синглетного основного состояния. По этой причине триплетные экситонные состояння [c.640]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...