Триплетные экситоны в кристаллах

ГЛАВА XII ТРИПЛЕТНЫЕ ЭКСИТОНЫ В КРИСТАЛЛАХ 58. Основные свойства триплетных возбуждений [c.503]

ТРИПЛЕТНЫЕ экситоны в КРИСТАЛЛАХ [ГЛ. XII [c.504]

Время жизни триплетных экситонов в кристалле антрацена порядка 10 с. [c.505]

Возбуждение триплетных экситонов в кристаллах. Из-за малой вероятности перехода непосредственное возбуждение светом триплетных экситонов в чистых кристаллах при квантовом переход из основного синглетного состояния может быть осуществлено только при больших интенсивностях света. [c.508]

Рис. 77. Структура энергетических полос триплетных экситонов в кристалле антрацена.

Температурная зависимость длины свободного пробега триплетных экситонов в кристалле антрацена [415] [c.537]

Подставив (58.8) в (58.5), находим оператор триплетных экситонных состояний кристалла [c.507]

Движение триплетных экситонов в молекулярных кристаллах [c.531]

В области частот Л(л = Ег 0), соответствующих образованию в кристалле триплетных экситонов, вклад в поглощение от /-го виртуального синглетного состояния определяется согласно (59.15) выражением [c.520]

Взаимодействие триплетных экситонов с колебаниями решетки существенно сказывается на их свойствах. В частности, оно определяет характер их движения в кристалле. Теория этого явления рассматривалась рядом авторов [404—406]. В этом параграфе мы изложим основные элементы теории на примере кристаллов с одной молекулой в элементарной ячейке, уделяя основное внимание рассмотрению взаимодействия с колебаниями решетки электронных состояний с узкой экситонной зоной. Экситонную зону будем называть узкой, если ее энергетическая ширина меньше средней энергии теплового движения. [c.521]

В табл. 20 приведены измеренные в работе [415] значения коэффициентов диффузии Ваа триплетных экситонов вдоль оси а кристалла антрацена и значения давыдовских расщеплений Д экситонной полосы при четырех температурах. Там же указаны значения параметра Г и Л = 2Ма/Г, вычисленные по формулам [c.537]

Другой метод возбуждения триплетных экситонов в кристаллах антрацена был использован Вайсцем с сотрудниками [399]. В этом эксперименте возбуждение триплетных экситонов осуществлялось косвенным путем через возбуждение светом синглетного состояния Вга- Энергия синглетного возбуждения переходит в энергию триплетных состояний безызлучательным путем. Образование триплетных экситонов обнаруживалось по появлению замедленной -40 флуоресценции с синглетных состояний Вга, образуемых при встрече триплетных экситонов. [c.509]

Теория влияния фононов на движение триплетных экситонов. Теория движения триплетных экситонов в кристаллах с узкими энергетическими зонами развивалась во многих работах Трлифай [404], Такено [405], Хакен и Рейнекер [406], Авакян с сотрудниками [398, 412]. [c.533]

Доказательство существования безызлучательного переноса триплетного возбуждения в конденсированных системах впервые дано Терениным и Ермолаевым [410] в 1952 г. и затем подтверждено во многих работах. О подвижности триплетных состояний свидетельствуют многие явления. В частности, явление запаздывающей флуоресценции в органических кристаллах было объяснено Хохштрассером, Авакяном и др. [411—413] на основе представления о превращении при столкновении пары триплетных экситонов в синглетный экситон. Такая триплет-триплетная аннигиляция широко используется для изучения свойств трип летных экситонов [413]. [c.531]

Ю. Б. Гайдидей, Влияние парамагнитных примесей на образование триплетных экситонов в молекулярных кристаллах, УФЖ 16, 1275 (1971). [c.632]

Довольно интересная работа была сделана по исследованию экситонов в кристаллах антрацена (рис, 18.10). Нижние экситонные уровни антрацена показаны на рис. 18.11. Оптический переход между основным (синглетным) состоянием и состоянием с наименьшей энергией возбуждения электрона (триплетным состоянием) не является разрешенным электрическим дипольным переходом, однако вероятность перехода не равна нулю и значительная концентрация экситонов, находящихся в триилетном спиновом состоянии, образуется под действием облучения кристалла интенсивным лазерным пучком с энергией фотонов 1,79 эВ. Два триплетных экситона могут объединяться (см. р. -боты [35, 36]), образуя один синглетный экситон, нмеюпги энергию 3,15 эВ, причем избыток энергии уносится фононом. Переход с экситонного уровня с энергией 3,15 эВ на основной уровень является разрешенным, н излучаемый при этом переходе фотон может быть экспериментально зарегистрирован (рнс. 18.12). [c.640]

В экспериментах Эванса [401, 402] было показано, что наличие в молекулярных кристаллах парамагнитных примесей приводит к заметному усилению триплетных переходов. Один из механизмов такого усиления базировался на учете обменного взаимодействия между примесной молекулой и основными молекулами кристалла. Теория этого явления развивалась Гайдидеем [403]. Ниже мы рассмотрим основные черты теории усиления (за счет обменного взаимодействия с парамагнитной примесью) вероятности возбуждения светом (через виртуальные синглетные возбуждения молекул) триплетных экситонов. [c.517]

Если триплетные экситоны создаются в кристалле каким-либо образом, то в течение своего большого времени жизни, превышаю-ш,его в миллионы раз время жизни синглетных экситонов, они могут, сталкиваясь друг с другом, превращаться в синглетные возбуждения. Происходит так тзытемая триплет-триплетная аннигиляция. После быстрой релаксации к нижайшему синглетному возбуждению происходит излучение. Такое излучение называют запаздывающей флуоресценцией, так как энергия долгое время хранилась в состояниях триплетного возбуждения. Спектральное распределение запаздывающей флуоресценции такое же, как и флуоресценции с синглетного состояния, если оно возбуждается светом непосредственно. [c.582]

Существуют некоторые молекулярные кристаллы, напрпл ер, содержащие ионные радикалы солей тетрацианоквинометана, в которых энергии триплетных возбужденных состояний электронов достаточно близки к энергии синглетного основного состояния. По этой причине триплетные экситонные состояння [c.640]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...