Двойникование кристаллов

Деформация двойникования кристалла металла аналогична процессу скольжения. Плоскости двойникования в кристаллах различного типа показаны в табл. 4.5. [c.250]

Пластическое деформирование изменяет структуру материала поверхностного слоя. Пластическое деформирование твердых тел складывается из четырех наиболее важных элементарных процессов скольжения по кристаллографическим плоскостям (скольжение в отдельных зернах поликристаллического тела происходит обычно по нескольким плоскостям, число которых возрастает с повышением напряжения) двойникования кристаллов отклонения атомов от правильного расположения в решетке и их тепловое движение разрушения структуры. [c.97]

Наряду с вышеуказанными механизмами пластическая деформация может быть вызвана механическим двойникованием кристалла. [c.837]

Такая замена при некотором значении х устраняет двойникование кристаллов и снижает темпе-J- ратуру фазового синхронизма [c.232]

Двойникование кристаллов 62, 75 Девиатор напряжений 124 Деформации главные 143, 169 Деформация бесконечно малая 133 —, главные оси 169 [c.637]

Пластическое состояние упругих тел.. Деформации упругих тел в общем состоят из упругой и остающейся частей. То состояние тела, в котором оно под действием нагрузки и без заметного ослабления связей между частицами претерпевает остаточные деформации и притом значительные, называется пластическим состоянием. Пластическая деформация состоит или в изменении формы отдельных кристаллов, из которых образованы тела (трансляция, двойникование кристаллов, в случае металлов и сплавов) или в перемещении зерен относительно друг друга (мягкие массы, например влажная глина). Оба явления могут происходить одновременно. [c.192]

Было проведено изучение растяжения кристаллов хлористого натрия, ориентированных по направлению [110], при одновременном наблюдении в поляризованном свете. Пластическое формоизменение кристаллов наблюдается и в этом случае, однако за счет нового механизма пластического формообразования кристаллов, до сих пор неизвестного, внешне напоминающего двойникование. Кристалл в результате растяжения разбивается на ряд пластин , некоторые из которых могут иметь толщину до 2 мм и более. Эти пластины повернуты относительно друг друга на значительный угол. [c.77]

С момента начала пластической деформации реализуются два основных типа процесса деформации кристалла скольжение и двойникование. Для того чтобы происходила пластическая деформация, независимо от ее типа необходимо наличие касательных (сдвиговых) напряжений. [c.129]

В выражении для приведенного напряжения сдвига (63) подразумевается, что как в начале пластической деформации (напряжение то), так и на любой ее стадии (напряжение т) приложенное растягивающее напряжение Сти для кристаллов разной ориентировки изменяется в широких пределах при одинаковой деформации. Это означает, что для предельных значений углов (3i, чтобы достичь требуемого приведенного напряжения сдвига в неблагоприятно ориентированной базисной плоскости, необходимы значительные растягивающие напряжения. В этих условиях часто происходит скольжение по другим плоскостям — пирамидальным или призматическим, или двойникование поэтому поведение таких кристаллов нельзя просто связать с характерными особенностями кристаллов, деформируемых исключительно путем скольжения по базисной плоскости. В общем идеального поведения можно ожидать для кристаллов с величиной угла Ро в интервале 10—80°. [c.121]

Как уже отмечалось в гл. П, пластическая деформация кристаллических тел может осуществляться не только скольжением, но и двойникованием. Двойникование для кристаллов с о. ц. к., г. ц. к. и г. п. у. решетками можно наблюдать при особых условиях деформирования. При этом металлографическими способами выявляются области, иначе травящиеся, чем окружающий матричный кристалл. Отличительными признаками этих областей являются прямолинейность и строгая кристаллографическая направленность двух параллельных границ. Дифракционными (рентгеновскими и др.) методами установлено, что эти области закономерно отличаются своей ориентировкой и расположением атомов относительно матрицы. Расположение атомов внутри этой области представляет собой зеркальное отражение расположения атомов в матричном кристалле (см. рис. 77,а). Плоскости зеркального отражения, пересечение которых с плоскостью шлифа имеют вид прямолинейных границ, являются плоскостями двойникования. Так, на рис. 77,а п б плоскостью двойникования является плоскость (112). Переориентированные области называют двойниками, а процесс их образования двойникованием. Двойники в кристаллах делятся на двойники роста (рост кристалла из расплава, в процессе рекристаллизации и отжига) и деформационные двойники. Двойникование при деформации — один из механизмов сдвиговой деформации. Для деформационного двойникования характерны высокие скорости и выделение энергии в форме звука с характерным потрескиванием в процессе деформации кристалла. Двойникование сопровождается скачкообразным изменением деформирующего усилия, [c.131]

КРИСТАЛЛОГРАФИЯ ДВОЙНИКОВАНИЯ. Плоскости двойникования в отличие от обычных границ являются когерентными, так как в плоскости двойникования атомы занимают позиции, общие для двойниковой области и матричного кристалла (см. рис. 77,а). Рентгеновское и иное излучение, рассеянное атомами общих частей кристалла, закономерно отличается по фазе, т. е. когерентно. [c.132]

Энергия когерентной границы двойников дв=0,5х Х д.у, поэтому склонность к двойникованию с уменьшением энергии дефекта упаковки увеличивается. Так, в г. ц. к. кристаллах алюминия деформационные двойники не наблюдаются, а в кристаллах меди, деформированных при 4 К и высоких напряжениях в серебре, золоте и никеле, они обнаружены для меди напряжения сдвига составляют 150, а для никеля 3 МПа. Указанные напряжения достигают при низких температурах или при больших скоростях деформации. [c.137]

ДИСЛОКАЦИОННЫЙ МЕХАНИЗМ ДВОЙНИКОВАНИЯ. Для начала двойникования требуется более высокое напряжение, чем для скольжения, однако эти напряжения значительно ниже теоретической прочности кристалла. Поэтому механизм одновременного движения всех атомов в двойнике представляется нереальным [c.140]

Для пластической деформации скольжением и двойникованием общим являются их дислокационный механизм и однородность деформации. Геометрия и дислокационная модель скольжения объясняют поворот осей кристалла в процессе деформации. Теория пересечения двойника скользящей дислокацией — перегибы на двойниковой границе и ее искажение, при этом общим здесь является однородность деформации по всему кристаллу во время скольжения или в двойниковой прослойке при двойниковании. Однако в деформированных кристаллах распределение дислокаций неравномерное, а возникающие дислокационные сетки и субграницы при избытке дислокаций одного знака приводят к микроскопической неоднородности, создавая локальную разориентировку, достигающую нескольких градусов. При простейших видах деформации (растяжение, сжатие) возникают значительные разориентировки. Для неоднородных и неравномерных полей напряжений и деформаций в макромасштабе (прокатка, кручение, изгиб, прессование и т. п.) появление существенной разориентировки неизбежно. [c.148]

Наряду со скольжением пластическая деформация гексагональных металлов может осуществляться также двойникованием, которое происходит (см. гл. III) в том случае, если ось деформации образует малые углы с гексагональной осью и базисной плоскостью. Если ось кристалла близка к базисной плоскости, то касательное напряжение в базисной плоскости очень мало, тогда как в призматических и пирамидальных плоскостях оно может иметь довольно большую величину в зависимости [c.202]

Вторую группу образуют все ориентации, близкие к оси с. Для этой группы характерны ориентационное (геометрическое) разупрочнение (см. рис. 67), двойникование для кристаллов с отношением осей с/а < и хрупкое разрушение для с/а > КЗ (рис. 123,2). [c.203]

Петерлин [771 разделил холодную вытяжку пластичных кристаллических полимеров на три стадии 1) пластическое деформирование сферолитов в результахе разворачивания агрегатов ламелей, двойникования кристаллов и проскальзывания цепей 2) ступенчатое превращение сферолитной структуры в фибриллярную в результате микропроцессов образования шеек 3) пластическое деформирование фибриллярной структуры в результате проскальзывания цепей и их разрывов. [c.178]

Рассмотрим более подробно двойникование в кристаллах НБН, поскольку без его устранения практическое применение этих кристаллов весьма ограничено. Как уже говорилось (см. 1), микродвойникование происходит при охлаждении во время фазового перехода из тетрагональной (4тт) в орторомбическую (тт2) модификацию при температуре 260 °С. Процесс двойникования действует в этом случае как механизм, ослабляющий внутренние напряжения в кристалле, вызванные этим переходом. Размер элементарной ячейки вдоль оси с при переходе остается почти постоянным, по еслп параметры а и Ь тетрагональной ячейки одинаковы, то в орторомбической они несколько различаются. Вследствие этого переход с простым изменением ориентации кристаллографических осей повлек бы за собой большие внутренние напряжения. Эти напряжения снимаются двойникованием кристалла. [c.213]

Нагрузка, необходимая для раздвойникования, подбирается для каждого образца индивидуально, причем прикладывать сразу большую нагрузку не рекомендуется, поскольку превышение оптимальной величины давления приводит к увеличению плотности двойников. Диапазон нагрузок, позволяющих подавлять микро-двойникование кристаллов НБН, лежит обычно в пределах 70 170 кгс/см . После того как нужная величина давления подобрана, кристалл охлаждают до комнатной температуры, не снимая нагрузки. Проведенное таким образом раздвойникование является стабильным, что дает возможность обрабатывать механически кристалл, не опасаясь повторного возникновения двойников. Однако следует помнить, что нагрев кристалла выше температуры фазового перехода вновь вызывает дво1Шикование. [c.217]

Двойникование кристаллов графита. В этом случае вдоль линии двойникования образуются четырех- и восьмиатомные кольца, при двойниковании наблюдается изгиб плоскостей под углом 20°36 в кристаллографической плоскости (111). [c.10]

Другое явление, встречающееся при пластической деформации, известное под названием двойникования кристалла , представляет собой смещение решетки части кристалла в новое положение, в результате чего обе части кристалла ориентируются симметрично относительно некоторой плоскости симметрии. Примером может служить деформация кристаллов кальцита. При нагружении, выполненном определенным образом ), эти кристаллы расщепляются так, как показано на фиг. 49. Этот род деформации, определяемый Мюгге ) тоже как сдвиг , наблюдается в кристаллических зернах [c.75]

Средние скорости растяжения составляли от 0,03 до 1,5 мк1сек, т. е. от 0,01 до 1,0% в минуту. Растяжения на 0,2 мм следовали с интервалами от нескольких гинут до нескольких часов окончательнан деформация не превышала, как правило, 5—7%. В ряде случаев выпаянные из установки образцы снова тщательно промерялись по всей длине на компараторе для определения локальных деформаций, т. е. макроскопической неоднородности растяжения. Дополнительное исследование показало, что двойникование кристаллов не имело места в описываемых опытах. [c.72]

В связи с вопросом о сверхпроводимости двумерных систем следует отметить полученное недавно увеличение 7, на границах двойникования кристаллов (Хайкин, Хлюстиков, 1981) [186]. При выращивании монокристаллов навстречу друг другу появляется плоскость их соприкосновения. В общем случае при произвольной ориентации встречающихся кристаллов граница их соприкосновения ничем не замечательна. При специальном подборе взаимной ориентации монокристаллов, таком, что плоскость границы является кристаллической плоскостью (плоскостью, заполненной атомами) для обоих кристаллов, эти кристаллы называются двойниками . [c.330]

Двойникование наблюдается в ряде кристаллов, особенно имеющих плотноупакованную гексагональную или объемно-центрированную кубическую решетку. При двойниковании происходит сдвиг определенных областей кристалла в положение, отвечающее зеркальному отображению несдвинутых областей. Такой симметричный сдвиг происходит относительно какой-то благоприятным образом ориентированной по отношению к приложенному напряжению т кристаллографической плоскости, называемой плоскостью двойникования (рис. 4.12), которая до деформации не обязательно была плоскостью симметрии. Областью сдвига является вся сдвинутая часть кристалла. При двойниковании, как видно из рис. 4.12, в области сдвига перемещение большинства атомов происходит на расстояния, меньшие межатомных, при этом в каждом атомном слое атомы сдвигаются на одно и то же расстояние по отношению к атомам нижележащего слоя. [c.129]

Основным механизмом пластической деформации металлов и сплавов является внутризеренное сдвиговое перемещение одних частей кристалла (кристаллита) относительно других, осуществляемое с помощью многочисленных видов движения дислокаций. В этом случае говорят о внутризеренной пластической деформации. Сдвиговые механизмы пластической деформации разнообразны. Основными из них являются скольжение, двойникование, сбросообразование. [c.105]

Вид деформации (растяжение или сжатие) сильно влияет на образование двойников в металле с г. п. у. решеткой. Так, в кристалле цинка (с/а= 1,856) с базисной плоскостью, параллельной оси образца, можно добиться двойникования при растяжении, так как плоскость Ki (1012) (рис. 80,6) после деформации относительно плоскости двойникования (10Г2) поворотом по часовой стрелке занимает положение К . Представив левую половину кристалла (рис. 80,6), помещенную в пассивный захват испытательной машины, убеждаемся, что сдвиг [c.140]

S возможен только при растяжении. При сжатии кристалл цинка будет деформироваться путем сбросообра-зования. Наоборот, для кристалла Mg (с/а= 1,624) угол между базисной плоскостью и плоскостью двойни-кования уменьшается от 47 для Zn до 43° для Mg. Рассуждая аналогично, т. е. помещая левую часть монокристалла с базисной плоскостью параллельно действующему -усилию, убеждаемся, что по принципу Ле-Шателье можно получить двойникование только при сжатии, когда вектор 5 перехода плоскости Ki в Кч направлен против часовой стрелки в направлении пассивного захвата. Таким образом, для магния образование двойников следует ожидать при сжатии, а для цинка — при растяжении. Для металлов с еще меньшим соотношением осей, чем для магния (титан, цирконий), двойникование более сложное и наблюдается не только по плоскостям 10Г2 , но и по плоскостям 1122 и другим пирамидальным плоскостям (см. рис. 80, а). [c.140]

Для г. п. у. кристаллов расчет по схеме Тейлора невозможен, так как монокристаллы и кристаллиты поликристалла деформируются по разным схемам, причем для поликристалла двойникование, сбросообразование и небазисное скольжение играют основную роль, а легкое скольжение по базисным плоскостям затруднено. [c.238]

Относительное удлинение ед при полном двойникова-нии монокристалла определяется выражением (85). Для двойникования по плоскости 112 в о. ц. к. кристалле максимальная величина едтах=41,4% достигается при а=Р=54,7°. Однако в двойниковую ориентацию переходит только часть всего объема /дС 1, поэтому [c.244]

Смотреть страницы где упоминается термин Двойникование кристаллов : [c.89] [c.251] [c.252] [c.239] [c.213] [c.42] [c.245] [c.47] [c.171] [c.172] [c.193] [c.135] [c.138] [c.138] [c.139] [c.140] [c.202] [c.225] [c.166] [c.468]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...