Дефекты кристаллов классификация

Изучение механических свойств кристаллических веществ привело к необъяснимому результату их фактическая прочность была на несколько порядков ниже, чем рассчитанная теоретически. Исследования показали, что в природе практически не существует идеальных кристаллов, и любая кристаллическая решетка имеет н своей структуре так называемые дефекты упаковки различного рода. При классификации дефектов были выделены [29] [c.48]

Классификацию дефектов обычно осуществляют по чисто геометрическим признакам, а именно jio числу измерений, в которых нарушения структуры кристалла простираются на расстояния, превышающие характерный параметр решетки. Выделяют четыре класса дефектов. [c.85]

Несовершенства (дефекты) строения реальных кристаллов металла. Описанная в предыдущем разделе кристаллическая решетка является идеальной. На основе физики твердого тела теоретически найдены механические характеристики, которые должны быть у кристаллов строго идеальной структуры. Сопоставление этих характеристик с обнаруживаемыми в опыте показывает значительное (в десятки и даже в сотни раз) превышение теоретическими значениями опытных. Последнее расхождение объясняется тем, что в реальных кристаллах всегда имеются отклонения от идеального характера атомной решетки, называемые несовершенствами или дефектами строения кристаллов ). Известны различные типы дефектов классификация их дана в табл. 4.3. [c.233]

Таким образом, в облученном кристалле движущимся дислокациям необходимо преодолевать кроме обычного рельефа Пайерлса и сил взаимодействия с другими несовершенствами исходной структуры еще целый спектр барьеров радиационного происхождения изолированные точечные дефекты и их скопления, кластеры и дислокационные петли вакансионного и межузельного типов, поры, выделения, возникающие в результате ядерных превращений. В табл. 6 приведена примерная классификация барьеров по степени взаимодействия с дислокациями. Видно, что скопления вакансий и атомы растворенного вещества с симметричными полями напряжений ведут себя, как сравнительно слабые барьеры для движения дислокаций. Дефекты с тетрагональными полями (атомы внедрения в ОЦК-ме-таллах, малые призматические петли, комплексы кластер — атом примеси) являются промежуточными барьерами по сопротивлению [c.62]

Тепловые прыжки полярных структурных единиц кристалла (см. рис. 3.3) представлены по этой классификации моделями не взаимодействующих полярных дефектов (рассмотренных ранее в 3.1 как Оз.т, а .т и Од.т), слабо взаимодействующих дефектов структуры (приводящих при низких температурах [c.82]

Различают два основных класса кристаллических дефектов дефекты, для которых можно определить усредненную периодическую решетку, и дефекты, для которых это сделать невозможно. Такая классификация искусственна и несовершенна, но она дает удобную отправную точку для дальнейшего рассмотрения. Первый класс дефектов включает в себя в основном локализованные дефекты, включая точечные, такие, как вакансии, атомы внедрения и замещения сюда также относятся небольшие группы точечных дефектов и локализованные поля напряжений, связанные с точечными дефектами или их группами. В этих случаях дефект окружен трехмерным объемом кристалла, который характеризуется усредненной периодичностью и является системой отсчета или основой, относительно которой измеряются отклонения. Наиболее часто встречающийся пример отклонения от идеальной периодической кристаллической решетки получается в результате тепловых колебаний атомов вокруг своих средних положений в решетке. [c.149]

По аналогии с точечными, линейными и поверхностными дефектами можно наметить группу объемных дефектов. Объемные дефекты согласно классификации не являются малыми во всех трех измерениях. К ним можно отнести скопления точечных дефектов типа пор, а также системы дислокаций, распределенных в объеме кристалла. Другими словами, благодаря наличию в кристалле точечных, линейных и плоских дефектов кристаллическая решетка может отклоняться от идеальной структуры в больших объемах кристалла. Кроме того, к объемным дефектам, например в монокристалле, можно отнести кристаллики с иной структурой или ориентацией решетки. В структуре кристалла будут значительные различия между центром дефекта и матрицей, а в матрице возникнут смещения атомов, убывающие с удалением от ядра дефекта. Таким образом, наличие фаз, дисперсных выделений, различных включений, в том числе неметаллических, неравномерность распределения напряжений и деформаций в макрообъемах также относятся к объемным дефектам. [c.42]

Необходимо подчеркнуть, что приведенная в табл, 1 классификация дефектов не единственно возможная могут быть и другие варианты. Однако предлагаемый вариант удобен тем, что на его основе проще проводить анализ дефектообразования, так как закономерности дефектообразования при росте отдельных кристаллов изучены достаточно подробно. [c.36]

Хотя о дефектах в нематиках мы многое знаем из оптическнх экспериментов, из решения уравнений теории упругости, а также из простых модельных ри сунков, только в последнее время в качестве общей схемы для классификации дефектов в физику конденсированного состояния вещества начали вводить идеи топологии [6, 7]. Классификация дефектов в нематических жидких кристаллах являет собой пример пря мюго использования теории гомотопических групп. Применение этой же теории к жидким кристаллам. с более сложными параметрами порядка является менее очевидным. Мы обсудим некоторые из этих фаз в следующих разделах. [c.91]

Классификация возможных структурных дефектов в рещетке кристалла возможна на основе их пространственной протяженности. Мы различаем поэтому точечные, линейные и поверхностные дефекты или соответственно нуль — мерные, одномерные и двухмерные дефекты. Важнейщие типы дефектов строения кристалла приведены ниже. [c.216]

Важными элементами ограниченных дислокационных структур являются дислокационные петли. В работе [7] показано, что наличие хаотически распределенных петель в кристалле приводит к характерным закономерностям в распределении интенсивности рассеяния рентгеновских лучей, качественно разном для слабо- и сильноискаженных кристаллов. Это вызывается тем, что смещение, создаваемое дислокационными петлями на больших расстояниях при R (R — расстояние от центра дислокационной петли до рассматриваемой точки Ro — радиус петли), пропорционально RTt. Таким образом, дислокационные петли, согласно классификации М. А. Кривоглаза, принадлежат дефектам первого класса. Мерой искаженности кристалла служит показатель экспоненциала 2L в факторе ослабления интенсивности правильных отражений связанном со статическими искажениями. В слабоискаженных кристаллах возникновение дислокационных петель не уширяет б-образные распределения интенсивности правильных искажений (линии на рентгенограмме), но ослабляет их интенсивности и вызывает появление диффузного рассеяния. Величина [c.259]

Дефекты могут быть разделены на две основные группы собственные дефекты и примеси (рис. 3.1). Если за основу классификации принять размеры и протяженность областей рещетки кристалла, на которые распространяется действие дефектов, то все дефекты могут быть разделены на [c.87]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...