Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Затвор Концентрация напряжений

Для работы МДП-транзистора принципиально важно, чтобы поверхность раздела диэлектрик — полупроводник под затвором имела низкую плотность электронных поверхностных состояний. В противном случае изменение напряжения на затворе может приводить не к изменению концентрации носителей в канале, а лишь к перезарядке поверхностных состояний.  [c.8]

При пуске вновь установленного электрофильтра или при пуске электрофильтра после длительной остановки необходимо еще до подачи газа прогреть аппарат с помощью жаровен с коксом, устанавливаемых над отверстиями бункеров. Нарушение этого правила приводит к температурным деформациям и трещинам в кладке камер, что создает дополнительный подсос воздуха и влаги. Наблюдаются случаи, когда концентрация газа понижается с 10—12% ЗОа перед электрофильтром до 6—8% ЗОз после аппарата. Вследствие этого увеличивается объем газа, проходящего через электрофильтр, ухудшается эффективность улавливания пыли и снижается температура газа. Последнее может вызвать конденсацию серной кислоты и усиление коррозии металлических частей аппарата. Для уменьшения подсоса воздуха необходимо также следить за тем, чтобы верх электрофильтра, а также песочницы и седла колоколов были засыпаны песком. Наблюдаются случаи, когда на электрофильтр подается высокое напряжение через 10—15 мин. после пуска печи. За такой короткий срок электрофильтр не успевает прогреться, температура входящего газа снижается ниже точки росы, что приводит к коррозии металлических частей и образованию наростов пыли на коронирующих электродах. Высокое напряжение на электрофильтр можно давать только тогда, когда температура газа на входе будет не ниже 275—300°. Этим предупреждается осаждение тумана серной кислоты на электродах. Если после разгрузки огарка затвор бункеров закрыт неплотно, происходит также подсос воздуха и влаги со всеми вытекающими отсюда последствиями.  [c.27]


При проведении визуального и измерительного контроля осматриваются как наружные, так и внутренние поверхности корпусных деталей, а также те детали, сборочные единицы и места, где вероятнее всего максимальный износ и возможны механические повреждения или усталостные явления, в том числе застойные зоны, места скопления влаги и коррозийных продуктов, места изменения направления потоков, сварные швы и околошовные зоны (наличие подрезов, непроваров, свищей), зоны входных и выходных патрубков, резьбы втулок, штоков и маховиков (износ витков, сколы резьбы), хвостовики штоков и проушины дисков (клиньев) у задвижек, зоны уплотнения штоков (коробки сальников), уплотнительные поверхности узла затвора (седел, дисков, клиньев, золотников, плунжеров и т.д.) на наличие раковин, трещин, следов эрозии, коррозии, кавитационного износа крепежные и соединительные детали арматуры (шпильки, болты, гайки), прокладки и поверхности уплотнения в местах сочленения сборочных единиц арматуры, внутренние поверхности корпусных деталей, подверженные кавитации, коррозии или эрозии места возможной концентрации механических напряжений. Проверяются размеры изнашиваемых деталей и зазоры между подвижными сопрягаемыми деталями. Измеряются также толщины стенок патрубков, корпусов, размеры резьбы. Замер производится в местах, где возможно утонение вследствие коррозийного, эрозионного или кавитационного разрушений.  [c.248]

Если приложить к затвору напряжение Ug в такой полярности, как показано на рнс. 4, то поле под, затвором будет оттеснять дырки я притягивать в подзатворную область электроны. При достаточно большом напряжении Ug, называемом напряжением отпирания, под затвором происходит инверсия типа проводимости вблизи затвора образуется тонкий слой -типа. Между истоком и стоком возникает проводящий канал. При дальнейшем увеличении Ug возрастает концентрация электронов в канапе и сопротивление его уменьшается.  [c.8]

Ясно, что при больших скоростях работы носители в канале ПЗС-структур должны испытывать влияние значительной компоненты поля Е, параллельной направлению переноса. Численные расчеты показывают, что максимум поля, переносящего заряд, возникает на расстоянии около 0,4 L в глубь канала, где L — длина затвора [25]. Наоборот, это поле стремится иметь низкие значения под центром затвора вблизи поверхности полупроводника из-за закорачивающего действия металла. Это предполагает, что при работе с большими скоростями канальный слой должен быть довольно толстым, обычно микрон или более. Однако использование толстого слоя вступает в противоречие с двумя другими аспектами конструкции устройства. Во-первых, толстый слой будет иметь в соответствии с уравнением (3.2) высокое напряжение отсечки, и это сделает необходимым соответственно высокий размах тактовых напр5Гжений. Напряжение отсечки может быть уменьшено при снижении N, но за счет приносимой в жертву емкости, определяемой зарядом (пропорциональной NT) и, следовательно, динамического диапазона. Вторая проблема состоит в том, что для работы с большой скоростью размещенные на чипе вспомогательные цепи, такие как выходные полевые транзисторы или формирователи тактовых импульсов, требуют применения тонких канальных слоев. На рис. 3.11 изображены эти противоречивые требования к п-слою с концентрацией доноров N на полубесконечной подложке. Кривая В — это линия постоянного напряжения отсечки, составляющего 3,5 В. Это значение выбрано потому, что для применений при гигагерцевых тактовых частотах максимальный размах тактового напряжения не должен выходить за пределы от 5 до 7 В. Кривые постоянной, определяемой зарядом емкости NT, показаны пунктирными линиями, и ясно, что динамический диапазон быстро уменьшается для толстых слоев. Участок, обозначенный Л, однако, является типичной областью параметров для конструкций полевых транзисторов на широкозонном GaAs и, следовательно, является желательной областью режимов для вспомогательных электронных цепей- на полевых транзисторах. Таким образом, требования к ПЗС-струк-  [c.90]


В приповерхностных инверсионных каналах эффект Шубникова-де Хааза обычно наблюдают при постоянном магнитном поле, но изменяющейся концентрации свободных носителей заряда, которая регулируется напряжением на металлическом электроде K , Типичный пример осцилляций проводимости инверсионного канала на кремнии в магнитном поле показан на Рис.2.13. Зависимость проводимости рис.2.13. Видно, что период ос- инверсионного -канала на кремнии цилляций по оси напряжений по- °т напряжения на затворе в магнит-стоянен. Это является следствием В = 33 кГс. Температура  [c.69]

В очень сильных электрических полях (> 5 МВ/см) хлорсодержащие окислы становятся неустойчивыми. При отрицательных напряжениях на затворе как правило наблюдается отрицательный сдвиг напряжения плоских зон. Эти нестабильности, детально исследованные в [3.17], показаны на рис. 3.8 для НС1- и СЬ-окислов. Значения приложенного поля и концентрации хлора оказывают сильное влияние на эффект нестабильности. Зависимость отрицательных сдвигов напряжений плоских зон для НС1- и СЬ-окис-лов от условий окисления и параметров подложки изучалась в [3.30]. Аналогичные, хотя и менее заметные нестабильности были обнаружены и в окислах, выращенных при добавках Сг НС1з [3.31] и 2H3 I3 [3.32].  [c.87]

На рис. 14.21 представлены результаты расчетов по методу монополярного анализа и по программам GEMINI и ADDET. Напряжение на стоке менялось с шагом 1 В до 10 В при постоянном напряжении на затворе, равном -0,5 В. Анализ эквипотенциальных линий показывает, что траектория тока в окрестности отсечки канала лежит вдоль поверхности для < 7 В и проходит через объем при Kpj > 7 В. Потоковая и стоковая области моделируются гауссовским распределением примесей с пиком концентрации на поверхности полупроводника. При глубине залегания перехода 0,45 мкм используется то же гауссовское распределение, но со сдвигом положения пика на 0,05 мкм от поверхности. Для этого прибора ток в момент отсечки канала почти в 50 раз превышает ток прибора с глубиной перехода 0,4 мкм. Такое 50-кратное увеличение тока в режиме отсечки канала при увеличении глубины залегания перехода всего на 12 % является поразительным результатом. Кстати, этот пример наглядно убеждает в необходимости численного моделирования при проектировании ИС. Эта крайняя чувствительность характеристик прибора к параметру Xj, так же, как и к траектории тока и градиентам распределения примесей, чрезвычайно затрудняет аналитическое исследование данных эффектов.  [c.386]


Смотреть страницы где упоминается термин Затвор Концентрация напряжений : [c.367]    [c.76]    [c.249]    [c.79]    [c.178]   
Разрушение Том5 Расчет конструкций на хрупкую прочность (1977) -- [ c.31 , c.311 , c.312 ]



ПОИСК



Затвор

Затворы Затворы

Концентрация напряжений

Напряжения Концентрация — си. Концентрация напряжений



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте