Фототранзистор

Дело в том, что технические средства не в состоянии прямым путем измерить фазу столь высокочастотных колебаний, какими являются световые сигналы, поскольку реакция любого приемника света (фотоумножителя, фотодиода, фототранзистора и даже человеческого глаза) определяется значением средней интенсивности света. Однако решение этой задачи оказалось неожиданно очень простым. Д. Габор предложил использовать для получения голограммы интерференцию двух когерентных пучков света, называемых обычно объектным и опорным, а для восстановления изображения с голограммы — явление дифракции света. [c.10]

Наиболее широкое распространение из бесконтактных способов в устройствах отечественного и зарубежного производства получило фотоэлектрическое считывание с использованием фотодиодов и фототранзисторов. [c.173]

В последнее время ведущие фирмы США, Англии, Японии стали применять в считывателях перфолент и перфокарт кремниевые фотопреобразователи вместо фотодиодов и фототранзисторов. [c.173]

Полупроводниковые узлы (фотосопротивления, фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы) [c.95]

Основные параметры и характеристики фототранзистора [c.363]

В фотоэлектрических приемниках поглощенная фотоэлементом энергия излучения вследствие внешнего фотоэлектрического эффекта выбивает электроны в окружающее пространство. У фоторезисторов, фотодиодов и фототранзисторов, благодаря внутреннему фотоэффекту, связанные в кристаллической решетке электроны переходят на более высокий энергетический уровень. При этом изменяется проводи.мость [c.352]

Матрица фотодетекторов необходима для преобразования восстановленной с голограммы информации в электрический сигнал. Эта фоточувствительная матрица считывания должна включать в себя один чувствительный фотодиод или фототранзистор и один или два переключающих (адресующих) прибора на каждый бит информации восстановленной страницы (см., например, [4]). Каждый чувствительный элемент матрицы должен играть роль порогового детектора, указывающего на наличие или отсутствие света (двоичные 1 или 0). Одна и та же матрица фотодетекторов должна считывать все записанные голограммы. [c.436]

Мощность оптического излучения, дифрагированного на один из фотодиодов или фототранзисторов матрицы фотодетекторов, дается выражением [c.440]

Устройство (рис. 6-3) содержит электронно-лучевую трубку 4 с большим плоским экраном и световое перо 8, выполненное в виде авторучки, внутри которой расположена несложная оптическая Система м фотоэлемент (фотодиод или фототранзистор). [c.81]

Германий является одним из первых полупроводниковых материалов, получивших широкое практическое применение в серийном производстве различных полупроводниковых приборов. Его используют для изготовления выпрямительных и импульсных диодов, самых различных видов транзисторов, фотодиодов, фоторезисторов, фототранзисторов, детекторов инфракрасного излучения, тиристоров, счетчиков ядерных частиц, тензометров и т. д. Диапазон рабочих температур этих приборов от —60 до +80° С. [c.94]

Следующим заслуживающим внимания параметром является быстродействие систем оптической связи. Скорость передачи информации здесь зависит от нагрузки. В настоящее время быстродействие большинства СИД, работающих с фототранзистором, характеризуется частотами от 2,5 до 500 кГц. Для передачи более высокочастотной информации на приемной стороне используют фотодиод или ФЭУ, в этих условиях быстродействие может достигать 10 МГц. Необходимо отметить, что параметры СИД интенсивно улучшаются. Поэтому исследования по изысканию новых областей их применения весьма перспективны. [c.246]

В отличие от кремния германий обладает меньшей шириной запрещенной зоны (0,72 эв) и большей подвижностью электронов и дырок. Применяется главным образом для изготовления диодов и триодов, используемых в радиоэлектронной аппаратуре, а также датчиков Холла, для измерения напряженности магнитного поля, токов и мощности в электронной технике используется для изготовления фототранзисторов и фоторезисторов, оптических фильтров, модуляторов света, изготовления счетчиков ядерных частиц. [c.243]

Оптоэлектронный прибор с фототранзистором и выводом от базы [c.475]

Фототранзистор типа PNP без вывода базы [c.477]

Для преобразования оптического излучения в электрический сигнал нашли применение несколько эффектов. Основными из них являются внешний фотоэффект, при котором электроны вырываются с поверхности чувствительного слоя при его освещении (используется в фото-эмиссионных элементах), и внутренний фотоэффект, связанный с образованием свободных электронов в твердом теле при поглощении кванта излучения. Внутренний фотоэффект может проявляться в увеличении электропроводности твердого тела (фотопроводимость), что используется в фоторезисторах, в возникновении фото-ЭДС в области р — л-перехода, образованного определенными веществами, что используется в работе фотодиодов и фототранзисторов. [c.198]

Оптические свойства германия позволяют использовать его для фототранзисторов и фоторезисторов, оптических линз с боль- [c.344]

Фотоэлектрические приборы широко используют в сочетании с оптическими элементами, растрами, дифракционными решетками и интерферометрами (см. гл. 5). В качестве источника света может служить само раскаленное изделие, лампы накаливания, телевизионные трубки или лазеры. В качестве светоприемников применяют фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры, фотоэлектронные умножители, телевизионные трубки. Преимуш,е-ства фотоэлектрических приборов —высокая точность, ишрокие пределы измерений, дискретная (цифровая) форма выходного сигнала, возможность осуществления бесконтактного метода контроля н др. Однако эти приборы, как правило, сложны, дороги и требуют тш,ательной защиты от воздействия окружающей среды (пыли, конденсата и т. п.). [c.159]

Фотоэлемент полупроводниковый — полупроводниковый прибор, генерирующий электрическую энергию или изменяющий один из своих электрических параметров (обычно сопротивление, реже — емкость) под действием падающего на него излучения к этому виду фотоэлементов относятся торезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры и др. [4]. [c.164]

Германий применяется для и,чгоговления диодов различных типов, транзисторов, датчиков ЭДС Холла, тензодатчиков, Оптиче-ческие свойства германия позволяют его использовать для изготовления фотодиодов и фототранзисторов, модуляторов света, оптических фильтров, а также счетчиков ядерных частиц. Рабочий диапазон температур германиевых приборов от - 60 до 4-70 °С, [c.285]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений. [c.288]

Среди использующихся материалов — жидкие холестерические кристаллы, которым свойственно изменение отражательной способности при определенной длине волн. Кристалл устанавливается между двумя стеклянными зажимами. Излучение (с длинами волн красного спектра) передается по оптическому волоконному световоду на жидкий кристалл и, отразившись, возвращается по второму выходному световоду на фототранзистор, преобразующий сигнал в ин-( к рмапию о температуре. Рабочий диапазон температур для жидких кристаллов очень узок, однако для сочетания трех различных кристаллов равен 35...50°С при чунстпительно-сти 0,1. ..0,5°С, Минимальный диаметр зондов обычно равен 1 мм. [c.127]

Германий применяется для изготовления выпрямителей переменного тока различной мощности, транзисторов разных типов. Из него изготовляются преобразователи Холла и другие, применяемые для измерения напряженности магнитного поля, токов и мощи сти, умножения двух величин в приборах вычислительной техники и т. д. Оптические свойства германия позволяют использовать его для фототранзисторов и фоторезисторов, оптических линз б большоГ светосилой (для инфракрасных лучей), оптических фильтров, модуляторов света и коротких радиоволн. Внутренний фотоэффект в германии наблюдается и при поглощении средних и быстрых электронов, а также при торможении элементарных частиц больших масс. Так, при поглощении а-частицы отмечается импульс тока продолжительностью около 0,5 МКС, соответствующий прохождению 10 электронов. Поэтому германий может быть использован и для изготовления счетчиков ядерных частиц. На рис. 8-18 приведена вольт-амперная характеристика мощного германиевого выпрямителя б воздушным охлаждением. Рабочий диапазон температур германиевых приборов от —60 до -f70 °С при повышении температуры до верхнего предела прямой ток, например у диодов, увеличивается почти в два раза, а обратный — в три раза. При охлаждении до —(50—60) °С прямой ток падает на 70—75 %. [c.255]

Инфракрасные излучающие диоды, фотодиоды и фототранзисторы, фотоприемные устройства для дистанционного управления, оптопары щелевого и отражательного типа [c.222]

На основе германия выпускаются выпрямительные плоскостные диоды на прямые токи от 0,3 до 1000 А при падении напряжения не более 0,5 В лавинно-пролетные и туннельные диоды, варикапы, точечные высокочастотные, импульсные и СВЧ-диоды и сплавные биполярные транзисторы. Германий применяют для изготовления датчиков Холла и других магниточувствительных приборов, фототранзисторов и фотодиодов, оптических линз с большой светосилой (для инфракрасных лучей), оптических фильтров, модуляторов света и корютких радиоволн, а также счетчиков ядерных частиц. [c.336]

Фотолампа бегущей волны 1.163 Фоторезистор 1.163 Фотосопротивление — см. Фоторезистор Фототиристор 1.163 Фототранзистор 1.163 Фототриод — см. Фототранзистор Фотоэлемент 1.163, 5.148, 149 Фотоэлемент вакуумный, — см. Фотоэлемент электронный [c.661]

Электрич. св-ва П. позволяют производить приборы, применяемые для генерации и усиления электрич. сигналов (транзисторы), детектирования и выпрямления порем, тока (диоды). Используя оптич. св-ва П., изготовляют фотосопротивлепия, фотодиоды и фототранзисторы. П. служит активной средой генераторов (усилителей) колебаний оптич. диапазона волн — полупроводниковых лазеров, к-рые сравнительно с другими (иапр.,рубиновыми) обладают более высоким кпд (см. Лазерные материалы). На основе термоэлектрич. св-в разрабатывают и выпускают термосопротивления, термоэлементы и батареи, термоэлектрич. генераторы и холодильники, термостабилизаторы. Перспективно изготовление [c.35]

Второе основное требование к матрице фотодетекторов заключается в том, чтобы такую бездефектную матрицу можно было реализовать конструктивно при существующем уровне технологии. Современная полупроводниковая технология предоставляет нам такие возможности. В фирме Bell Laboratories разработана передающая трубка с матрицей, которая состоит из ООО отдельных дискретных кремниевых фотодиодов, укрепленных на одной пластине. Фирма LSI разработала матрицу, состоящую из 51 200 кремниевых фототранзисторов 125], используя метод многослойных соединений, в результате чего любой бит может быть считан примерно за микросекунду. [c.436]

Принцип действия вентильных (фотогальванических) фотоэлементов основан на эффекте р—п-перехода. Фотоэлементы с одним р—п-переходом называются полупро водниковыми диодами (фотодиодами), а с двумя и тремя р—п-переходами — фототранзисторами. [c.345]

В практике создания фотоэлектрических контрольных и измерительных устройств широко используются высокоомные германиевые и кремниевые фотоэлементы (фотодиоды и фототриоды). Недостатком фотодиодов является их невысокая чувствительность. Большую чувствительность имеют светочувствительные плоскостные полупроводниковые триоды (фототранзисторы). Основные характеристики фотодиодов и фототриодов представлены в табл. 38 и 39. [c.348]

Эта группа включает фоторезисторы, а также различные типы тодиодов и фототранзисторов. [c.205]

Не нашли еще широкого применения такие фотоэлектрические преобразователи, как фототранзисторы. Этот тип преобразователя имеет два или несколько р—л-пере-ходов и обладает свойством усиления фототока при облучении чувствительного слоя. Интегральная чувствительность фототранзисторов достигает 170—500 мА/лм, постоянная времени 150—250 мкс, темповой ток порядка 300 мкА. Высокая чувствительность и быстродействие, малые габариты и низкое напряжение питания (до 3—5В) делают фототранзисторы весьма перспективными для использования в ОЭИП. [c.206]

В последнее время удалось сочетать явление усиления тока германиевым триодом с внутренним фотоэффектом и создать фотополу-проводниковый усилитель. В фототранзисторе дырки в германии [c.309]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...