Разработка ТКМ микросхем

Рис. 3.2. Пример разработки топологии микросхемы

Уменьшение стоимости ЭВМ возможно и за счет других конструктивных решений (рациональной компоновки, разработки логических, принципиальных, адресно-монтажных и других схем, обеспечения минимального веса, габаритов и т. п.), а также механизации, автоматизации конструирования и производства. Резкое снижение стоимости предполагается получить в связи с широким применением интегральных схем по сравнению с применяемыми сейчас твердыми и гибридными микросхемами. [c.16]

Развитие микроэлектроники требует решения задач, связанных с разработкой новых материалов, например, для изготовления пассивных элементов интегральных схем. Одним из элементов гибридно-пленочных интегральных схем является резистивная пленочная нагрузка, к которой предъявляются определенные требования в зависимости от функционального назначения микросхемы и условий эксплуатации. [c.170]

К числу уже разработанных опережающих стандартов, содержащих на период их разработки перспективные показатели , относится упомянутый ранее комплекс стандартов на ЭВМ 3-го поколения, комплекс стандартов на узлы и блоки радиоэлектронной аппаратуры ня микросхемах и др. [c.17]

Создание большой библиотеки шаблонов элементов микросхем дает возможность в полной мере оценить преимущества этого метода и значительно ускорить разработку микросхем. Если в библиотеке отсутствует шаблон пленочного элемента необходимой конфигурации и размера, то проектировщик может легко изготовить его с помощью ножниц из тонкой (0,1. .. 0,15 мм) металлической ленты с последующим индексированием и занесением в каталог библиотеки. Шаблоны элементов удобно окрашивать в различные цвета, что позволяет легко ориентироваться в слоях проектируемой микросхемы. [c.32]

Микросхемы частного применения, кроме микросхем цифрового фис. 129) и аналогового видов, разрабатываемых для конкретных радиоустройств и выполняемых по тем же правилам разработки, что и микросхемы широкого применения, включают микросхемы СВЧ и частотно-избирательные микросхемы (ЧИМ). [c.223]

Отсюда, естественно,. возникает стремление к сведению в единый узел запоминающего регистра, управляющего декодирующим набором резисторов и ключей на входе операционного усилителя, и этого последнего элемента. Микроэлектронное воплощение такого узла в виде гибридной микросхемы стоит на повестке дня, и ряд фирм в США уже объявил о соответствующих разработках. [c.161]

Заголовок содержит справочную информацию о проекте. В нее входят имя файла, тип устройства, дата начала разработки, номер версии проекта, название компании, имя разработчика, информация о блоке, где данное устройство используется, позиционное обозначение устройства в этом блоке. В заголовке также можно задать тип целевой микросхемы и тип выходного файла, формируемого компилятором. Все перечисленные поля заголовка, за исключением поля имени файла, являются необязательными и могут располагаться в произвольном порядке. Во время компиляции при отсутствии заголовка появится соответствующее предупреждение, но сам процесс прерываться не будет. [c.331]

Разработка посадочного места микросхемы [c.111]

Разработка символа микросхемы [c.118]

Ниже на примере электрической схемы источника питания будут показаны приемы разработки таких устройств. В качестве примера взята схема, опубликованная в книге С. Бирюкова Устройства на микросхемах (см. рис. 4.14). [c.168]

Базовый конструкторский документ содержит постоянные данные исполнений двух и более изделий. Базовые документы применяют при большом количестве исполнений, на которые целесообразно составлять отдельные чертежи. Например, разработка базового сборочного чертежа и чертежей исполнения на микросхемы, которые помещают в типовой корпус. [c.127]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в следующем. Элементы микросхемы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы) и их соединения создаются в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). На рис. 9.1 показана последовательность основных технологических операций изготовления полупроводниковой интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии. Они включают [c.302]

Несмотря на то, что предлагаемые пользователю заказные микросхемы отличаются высокой степенью интеграции, уровнем сложности решаемых задач и производительностью, их разработка и производство довольно длительный и дорогостоящий процесс. К тому же, окончательный вариант схемы замораживается в кремнии , и для ее модификации требуется создание новой версии. [c.19]

Трудно назвать эти цифры достоверными, потому что пока нет четкого представления о том, что следует называть началом разработки. В случаях с заказными микросхемами, например, не ясно, какие разработки надо учитывать только те, которые были доведены до [c.19]

Два первых элемента обозначают серию микросхемы. Пример условного обозначения полупроводниковой микросхемы — логическо1-о -злемента И — НЕ с порядковым номером разработки серии 33, порядковым номером разработки микросхемы в данной серии по функциональному признаку 1 133ЛА1. [c.266]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в создании элементов микросхемы и их соединений в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). Технология изготовления ПИМС строится на сочетании двух основных методов диффузии и фотолитографии. С помощью диффузии (введение примесей) создаются объемные структуры элементов ПИМС, фотолитография позволяет получать необходимые конфигурацию и размеры этих структур [c.538]

При разработке сборочного чертежа микросхемы загружается Auto AD с объектно-ориентированно надстройкой SB MIKRO.mns (Приложение 12 на компакт-диске). [c.584]

Микроэлектроиика занимается разработкой интегральных микросхем и принципов их применения. Интегральной микросхемой называют совокупность большого числа впаимосвязан-пых компонентов — TfiaHun To-ров, диодов, резисторов, конденсаторов, соединительных проводов, изготовленных в едином технологическом процессе. [c.162]

Пиганов М. Н. Разработка и оформление конструкторской и технологической документации на тонкопленочные гибридные микросхемы. — Куйбышев КуАИ, 1983.-36 с. [c.88]

Комплект КД рассмотрим яа примере ИС лопичеокого элемента транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) со сложным инвертором Ч С разработки ЭЗ (рис. 3.12), являющейся обязательным документом оановного комплекта КД, начинается процесс кои-струироваиня микросхемы. [c.96]

По изделиям радиопромышленности намечена разработка комплекса стандартов на микроблоки и микросхемы, устанавливающие единые требования к конструкции, сопряжению устройств, основным параметрам, технико-экономическим показателям, методам испытаний, правилам хранения, транспортирования и приемки, технологии изготовления для создания на их основе средств вычислительной техники и автоматизированных систем управления. Стандартизуются системы цветного телевидения, стереофонического вещания и двухречевого сопровождения телевизионных программ, а также приемной аппаратуры цветных телевизоров и радиовещательных приемников со сквозным стереофоническим трактом с целью повышения качества изображения и звучания. Создаются комплексы стандартов на основное оборудование, входящее в систему автоматизированной связи страны, обеспечивающее высококачественную передачу потока всех видов информаций телефонной, телеграфной, фототелеграфной, телевизионной, цифровой по стандартным коммутируемым и некоммутируемым каналам и групповым трактам частотного уплотнения. [c.100]

В коммутаторе используются микросхема L497B и выходной транзистор BU931Z, изготовляемые фирмой СЖС — Томсон . Ведутся разработки аналогичных изделий и отечественной электронной промышленностью. Расширение технологических возможностей электроники. [c.236]

Обозначения микросхем включают в себя четыре элемента. Первый элемент — первая цифра обозначения характеризует конструктивнотехнологическое исполнение, где I, 5, 6, 7 — полупроводниковые, 2, 4, 8 — гибридные, 3 — прочие микросхемы. Второй элемент — две или три цифры, характеризующие данную серию. Третий элемент — две буквы, характеризующие выполняемые микросхемы функции. Четвертый элемент — порядковый номер разработки. [c.529]

Чтобы определить экономическую эффективность метода, можно исходить из укрупненных нормативов трудоемкости чертежно-графических работ на разработку конструкторской документации на двухслойные и многослойные печатные платы при ручном методе проектирования, действующих в проектных организациях. В основу построения укрупненных нормативов положен корреляционный метод определения норм времени на выполнение конструкторской документации печатной платы в зависимости от числа радиоэлементов и микросхем на ней. Как видно из графика (рис. 4.6), среднее плановое время проектирования по укрупненным нормативам составляет 36 человеко-дней для плат с 46 микросхемами. Метод моделирования на магнитных матри- [c.51]

Область применения функциональных узлов в радиоаппаратуре практически не ограничена. Модульные, микромодульные и микроэлектронные узлы используют сейчас почти во всех видах аппаратуры. Некоторое отставание наблюдается лишь в мощных передающих трактах (блоках передатчиков, антенно-фидерных каналах, блоках питания передатчиков). Однако разработанные на основе новых принципов построения передающих трактов радиоустройства уже сейчас чаще всего используют интегральные микросхемы. Примером могут служить приемопередающие модули антенных фазированных активных решеток (АФАР). В этом немалую роль играют разработки более мощных транзисторов в гигагерцевом диапазоне и новые виды генераторов на основе лавинно-пролетных диодов (ЛПД) и диодов Ганна. [c.213]

Немалому успеху в разработке БИС способствует так называемая танталовая технология получения пленочных схем и новые способы контактирования микросхем ( зеркальная технология монтажа с балочными и шариковыми выводами). При танталовой технологии на подложке пассивные элементы получаются нанесением слоя тантала с последующим вытравливанием. При этом получается очень высокая разрешающая способность между элементами (до 25—50 мкм) по сравнению с существующими методами напыления (100—200 мкм). При получении балочных и шариковых выводов непосредственно на полупроводниковом кристалле не только не нужны дополнительные золотые перемычки — проводники, но и уменьшается потребная площадь под установку микросхем. Например, при контактировании с помощью гибких проволочных выводов минимальное расстояние от края микросхемы до края контактной площадки на базовой подложке должно составлять не менее 0,3—0,4 мм при размере микросхемы 1,5 х X 1,5 мм. При методе зеркального монтажа выводы — шарики — микросхемы перпендикулярно (зеркально) контактируют с контактными площадками, находящимися под плоищдью кристалла. [c.226]

При разработке блоков приборов применен комплекс агрегатируемых узлов на интегральных микросхемах Операнд — экспонат ВДНХ СССР (золотая медаль выставки), разработанный в НИЛ АУКОМС ТПИ. [c.43]

В работе проанализирована актуальность разработки многоцелевых измерителей и дозиметров УФ-излучения. Приведены технические характеристики созданных приборов серии Гелиос , решающих указанные выше задачи. Рассмотрены некоторые схем1 ые решения отдельных блоков и узлов аппаратуры па интегральных микросхемах. Библ. 4 назв. Илл. 8. [c.513]

Стабилизатор напряжения 5 В 2 А повышенной надежности (рис. 22). В аппаратуре, содержащей микросхе-мы, даже кратковременное повышение напряжения питания больше чем иа 20% от номинального значения приводит к необратимому электрическому пробоюмикро-схем. Поэтому при разработке источников вторичного электропитания аппаратуры иа микросхемах необходимо особое внимание уделять защите от перенапряжений на выходе источника. [c.103]

Допуски на элементы н. компоненты микросхем определяются выбираемыми Методами (конструирования и технологическими процессами производства микросхем. которые, в свою очередь, за(внсят от требований, предъявляемых к РЭА, и экономической целесообразности разработки. В настоящей главе основное вни- анне. будет уделено допускам на разработку микросхем специального назна- ния, наиболее широко применяемым в современной РЭА и представляющим функциональные узлы и устройства РЭА. При этом специализированные микросхемы выполняются по гибридной пленочной технологии, которая исполь- [c.73]

Это особая модель иерархии, в которой компонент ведет себя как символ листа, указывающий на содержащиеся в нем цепи. В реальной жизни необходимость в использовании такой модели иерархии встречается довольно часто. Предположим, что в пользовательском проекте есть небольшая подчиненная схема, разработку и моделирование которой полезно провести в рамках единого проекта, или же в проекте используется программируемая логическая микросхема, которая должна быть включена с учетом внутренней схемотехники, или разработчик хочет представить схему подчиненного листа не прямоугольником, а любым другим символом (рис. 3.36). [c.130]

В микросхеме ЗУПВ линии, несущие информацию о данных и адресе, расположены очень близко друг к другу, а внутренняя топология может вызвать эффект чувствительности к наборам . Этот эффект, в котором конкретный двоичный код вызывает наводку на другие линии адреса и данных, часто не обнаруживается шахматными кодами. К счастью для большинства пользователей, чувствительные к наборам микросхемы обычно обнаруживаются при разработке или при выборочном контроле в процессе производства. [c.49]

В ходе разработки системы коды прикладной программы записываются в микросхемы ПЗУ, которые вставляются в целевую систему, и только после этого прикладная программа выполняется в ее окончательной рабочей среде. При массовом выпуске изделия применяются ПЗУ, программируемые маскированием, но на этапе разработки обычно пользуются микросхемами ЭИПЗУ, которые позволяют вносить изменения в программы. В системе проектирования имеются средства программирования ЭИПЗУ, которые могут быть представлены или отдельной программой в операционной системе, или специальной программой в составе отладчика. [c.207]

В табл. 8.2 даны основные конструкторские и технологические ограничения, которые следует учитывать при разработке и оформлении топологических чертежей толстопленочных. микросхем, изготовленных методом сеткографии (последовательным нанесением на подложку различных по составу паст с нх последующей термической обработкой). Пример топологического чертежа толстопленочной микросхемы пока- a на рис. 8.2. [c.278]

В табл. 8,3 даны основные конструкторские требования и технологические ограничения, которые должны быть учтены лри разработке и оформлении топологических чертежей тонкопленочных микросхем, изготовленных следуюи имп методами вакуумного напыления масочным (М), фотолитографическим (Ф), совмещенным масочным и фотолн-тографическим (МФ), основанным на тантале, и электронно-ионным (ЭР1), Пример топологического чертежа тонкопленочной микросхемы приведен на рис, 8.7. [c.279]

Поразительные возможности современной полупроводниковой электроники и особенно микроэлектроники реализуются только по мере разработки и освоения выпуска полупроводниковых материалов с разнообразными физическими свойствами. Эти материалы позволили создать на их основе миниатюрные усилители и генераторы электрических сигналов, работающие в широком диапазоне частот интегральные микросхемы для современных компьютеров преобразователи одного вида энергии в другой полупроводниковые светодиоды, лазеры и фотоприемники, работающие в ИК- и видимом диапазонах (полупроводниковые лазеры и фотоприемники — составляющие элементной базы волоконно-оптических линий связи) детекторы излучений и частиц магнитные, пьезо-, сегне-тоэлектрические и многие другие устройства. В то же время открытие новых явлений и потребность создания более совершенных приборов для научных исследований стимулируют поиск, разработку и освоение производства новых материалов с требуемыми свойствами. Между физикой и технологией полупроводников существует тесная взаимосвязь, и часто оказывается, что получение новых физических результатов становится невозможным без постоянного прогресса в технологии. [c.3]

Что касается стоимости ПЛИС, то она намного ниже стоимости заказных интефальных схем (хотя окончательная версия заказной микросхемы при массовом производстве оказывается более дешевой). К тому же, в случае использования ПЛИС внесение изменений в устройство не вызывает особых затруднений и существенно сокращаются сроки выхода таких устройств на рынок. Все это делает ПЛИС привлекательными не только для крупных разработчиков, но и для небольших новаторских конструкторских бюро, которые благодаря способности ПЛИС создать рай в шалаше остаются жизнеспособными. Другими словами, аппаратные или программные идеи отдельных инженеров или небольших фупп инженеров могут быть реализованы в виде испытательных стендов на основе ПЛИС без больших единовременных затрат на проектирование или закупку дорогостоящей оснастки, необходимой для разработки заказных микросхем. Именно этим объясняется тот факт, что в 2003 году, было начато почти 450000 разработок, предусматривающих использование ПЛИС, всего 5000 разработок с использованием заказных микросхем ASSP и только от 1500 до 4000 разработок с использованием заказных микросхем ASI , причем эти цифры стремительно падают из года в год. [c.19]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...