Вычисления для постоянного числа электронов

Вычисления для постоянного числа электронов [c.71]

Проверка, к которой прибегают, чтобы определить, достаточное ли количество пучков включено в рассмотрение, состоит в суммировании интенсивностей всех дифракционных пучков, рассматриваемых на каждом этапе вычислений. В отсутствие поглощения эта сумма должна быть постоянной и равной интенсивности падающего пучка с точностью лучше чем 1 10 . Как и в вычислениях матричным методом, найдено, что для двумерной дифракционной картины, например от простого металла с г. ц. к. решеткой, должно быть учтено по крайней мере 50 и даже более пучков, и это число должно увеличиваться для веществ с большими элементарными ячейками или для более высоких ускоряющих напряжений электронов. [c.250]

Во-первых, ясно, что полуэмпирический подход (определение спектра электронов в идеальной решетке из опыта) может быть успешен лишь, если фактически из опыта потребуется определить только небольшое число параметров. (Именно так ставится задача, например, в методе эффективной массы [5] — [9].) Заранее очевидно, что такую программу можно эффективно провести лишь для состояний, описываемых достаточно гладкими волновыми функциями (длинноволновая часть спектра бозевских возбуждений, неглубокие локальные уровни) только в этих условиях периодический потенциал смазывается , и тонкие детали его не играют роли. С другой стороны, в задачах, где существенную роль играют волновые числа, сравнимые с постоянной обратной решетки, использование полуэмпирического метода может дать результаты, представляющие лишь умозрительный интерес. В частности, такой подход вряд ли имеет смысл при вычислении энергии основного состояния многоэлектронной системы в металле (если не говорить [c.159]

Численные значения поступательных, вращательных, колебательных и электронных энергетических уровней, определенных по спектроскопическим данным или вычисленных с помощью квантовой механики, обычно выражают относительно самого низкого или основного уровня молекулы. Если такие значения используют для вычисления внутренней энергии, полученная внутренняя энергия представляет собой избыточную энергию относительно основного состояния системы, когда все частицы находятся на самом низком энергетическом уровне при температуое абсолютного нуля. Для процессов, в которых общее число частиц данных молекулярных объектов остается постоянным, изменения внутренней энергии могут быть вычислены без сведений об основном состоянии. Однако если число частиц данных молекулярных объектов изменяется, как в химической реакции, то для вычисления изменения внутренней энергии процесса должна быть известна разность между основными состояниями различных соединений. [c.115]

Изменение энтальпии (или энергии) кристалла вследствие возникновения вакансии является результатом локального изменения в положении атомов и изменения в локальном распределении электронов. Действительная причина этого явления и вычисление изменения энтальпии не представляют для нас первоочередного интереса. Вместе с тем чрезвычайно важно то обстоятельство, что изменение энтальпии есть результат локальной перестройки. Отсюда следует, что в очень разбавленных растворах ти перестроенные области вокруг каждой вакансии не перекрываются и величина изменения энтальпии на появившуюся вакансию не зависит от числа вакансий. Таким образом, если iV , = 1, то (dHldNj,) может быть положено равным постоянной АН- . Выразим ДЯг, в единицах энергии на моль, тогда первое слагаемое в правой части уравнения (32) может быть представлено в виде [c.26]

Энергетич. уровень, вычисленный в иренебренсении С. р., расщепляется при его учете на неск. компонент, число к-рых онределяется числом возможных взаимных ориентаций спина ядра 7 и момента электропов J, и равно 2/ + 1, если / > /, и 2/ + 1, если I > J. С. р., обусловленное наличием у ядра магнитного момента E 1 = (АЦ) F (F + 1) — J (J + 1) — —1(1 + 1) , где F = / + / — полный момент системы, А — константа, зависящая от структуры электронных оболочек атома. Для водородоподобных атомоа (Н, Не , I.i- п т. д.) А = [Ra Z n (I + i/ ) J (J + 1)]X X ("ig/ iip) Si, где Л — Ридберга постоянная, а — тонкой струнтуры постоянная, Z — заряд ядра, т и массы электрона и протона, ди / — главное п орбитальное квантовые числа, gj— ядерный Ланде лшожите.гъ. В общем случае вычисление А затруднительно. [c.486]

Таким образом, метод модельных потенциалов имеет в общем те же черты, что и метод псевдопотеициалов. Однако, как мы сейчас увидим, модельный потенциал можно найти прямо из эксперимента. Применим сначала этот метод к свободному атому. Величину постоянной составляющей модельного потенциала можно определить, приравняв собственные значения энергии соответствующим экспериментальным значениям энергии термов. Тогда для каждого азимутального квантового числа мы найдем величины констант, отвечающие энергиям соответствующих термов. Интерполируя между этими значениями, можно найти величины констант, соответствующие энергиям, характерным для расчета внутри металла. Такая процедура позволяет нам избежать тех сложностей, которые возникают в методе псевдопотеициалов из-за необходимости пользоваться вычисленными потенциалами и волновыми функциями сердцевины. С другой стороны, нам не удаегся избежать трудностей, связанных, например, с неэрмитовостью псевдопотеициала, хотя эта сторона вопроса при первоначальной формулировке метола модельного потенциала не принималась во внимание. Использование в расчетах экспериментальных значений энергии электронных термов существенно упрощает проблему, так что оказывается возможным определить этим методом OPW формфакторы для всех простых металлов. Такие расчеты были выполнены Анималу ). [c.123]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...