Слой двойниковый

Для образования двойникового кристалла указанную операцию сдвига слоя А относительно слоя F необходимо проделать для каждой последующей за А плоскостью (112) слой за слоем так, чтобы это приводило каждый раз к конфигурации (79) по схеме [c.136]

Двойникование часто встречается в металлах с гексагональной и гранецентрированной кубической решеткой. Области сдвигов при двойниковании включают множество атомных слоев. По сравнению с исходным состоянием (ДО пластической деформации, рис. 55, а) атомы в каждом слое при двойниковании сдвигаются на одно и то же расстояние относительно слоя, лежащего под ним (рис. 55, б). В результате двойникования возникают двойниковые полосы, внутри которых расположение атомов является зеркальным отражением структуры решетки соседних частей кристалла. Если при скольжении металлы упрочняются (наклепываются), то при двойниковании они обычно разупрочняются. [c.77]

В работах Ю. М. Полукарова с сотр. [82] установлено, что увеличение перенапряжения катода при электроосаждении меди вызывает переход от слоисто-спирального роста осадка к образованию и росту двумерных зародышей с появлением дефектов упаковки двойникового типа добавки к электролиту меднения поверхностно активных веществ резко повышают вероятность образования дефектов упаковки, увеличивают искажения кристаллической решетки и плотность дислокаций. Заряд двойного электрического слоя ускоряет процессы возврата в тонких осадках меди (эффект Ребиндера), приводящие к появлению внутренних напряжений растяжения. Влияние электрохимических условий осаждения на состояние кристаллической решетки осадков становится определяющим при достаточно большой толщине осажденного слоя на пластически деформированной монокристал-лической подложке дефектность слоев осадка постепенно уменьшалась при утолщении слоя, а при росте осадка на подложке из граней совершенного монокристалла, наоборот, увеличивалась до значений, соответствующих условиям электролиза. [c.93]

Рис. 1.8. Строение межзеренной границы а — двойниковая граница б — переходная структура в —аморфный слой

В г. ц. к. металлах дислокации, лежащие в плоскости (111), распадаются с уменьшением энергии на парные частичные дислокации Шокли, образуя два слоя атомов, упакованных по схеме гексагональной плотноупакованной решетки. Двойниковая граница содержит один слой атомов, упакованный в соответствии со структурой плоскости базиса в гексагонально плотноупакован-ных кристаллах. [c.300]

Кроме того, при низкой частоте полосы скольжения, возникая, расширяются заметно интенсивнее, чем в случае нагружения при большой частоте, и быстро приводят материал к разрушению. Природу следов скольжения в кадмии следует, по-видимому, связывать с поперечным скольжением, которое наблюдается в виде гребней и канавок в электронном микроскопе (рис. 163). Для отличия их от двойниковых образований был поставлен специальный опыт, который заключался в снятии очень тонкого слоя материала (меньше одного микрометра) с поверхности испытанного образца. В результате полосы исчезали. Поперечное скольжение у кадмия, как и у висмута, оказалось более развитым при более низких частотах. [c.256]

Распространенным видом структурных изменений при деформации металлов и сплавов, имеющих гранецентрированную кубическую решетку, является образование так называемых двойниковых дефектов ( дефекты упаковки , или нарушения упаковки ) [12]. Эти дефекты представляют собой очень малые области, толщиной в несколько атомных слоев, в которых решетка оказывается смещенной относительно матрицы и находится к ней в двойниковом отношении. Схема расположения атомов при наличии дефекта упаковки приведена на рис. 5, б. Дефекты упаковки легче возникают в одновалентных металлах (Си, Ац и др.) И труднее—в многовалентных (А1, РЬ, 2п и др.). Наличие дефектов упа- [c.714]

Можно, наоборот, в результате диффузии междоузельных атомов ввести лишний слой в промежуток между соседними слоями. Тогда при введении, например, слоя В сформируется упаковка. .. АВСВАВС. . . Этот дефект называют дефектом упаковки внедрения. Его можно рассматривать как две смежные двойниковые границы ВСВ и ВАВ. [c.113]

Дислокация аС (рис. 81, в) поворачивается вокруг точки конца дислокации АС. После одного оборота, встречаясь с Аа, образует один слой. Затем рекомбинированная дислокация Аа- -аС=АС скользит по следующей плоскости с последующим расщеплением по (82), расширением дефекта упаковки и после второго оборота последующей рекомбинацией. Таким образом, последовательно наращивается число слоев, образующих двойниковую прослойку. Аналогично разработан полюсный механизм двойникования для металлов с г. п. у. решеткой. [c.143]

Другая возможность может встретиться в ГЦК кристаллах с ошибкой наложения типа 1231213213 2. .. Здесь в шестом слое меняется порядок чередования слоев кубического типа 1 2 3 1 2 3 на обратный порядок тоже кубического типа 1 3 2 1 3 2. В результате возникает так называемый двойниковый кристалл или двойник в ГЦК решетке. Двойпикованпе встречается и в кристаллах с другими кристалличеоккми решетками. [c.27]

Вт/см при длительности импульса 10 —10 с. Такое значение длительности импульса заметно сказывается на процессах, происходящих в материале под воздействием излучения. В условиях воздействия лазерными импульсами миллисекундной длительности в материалах происходят структурные изменения, вызванные большими скоростями нагрева и охлаждения. Исследованиями установлены существенные отличия структур, образовавшихся при облучении стали 20 импульсными ОКГ длительностью 10 с и энергией 1—35 Дж, от структур, полученных в этой же стали при воздействии излучения миллисекундной длительности [41]. Зона воздействия гигантского импульса на сталь 20 состояла из трех слоев первый слой (толщина 10—20 мкм) — участок со структурой мелкоигольчатого мартенсита и микротвердостью 760 кгс/мм второй (толщина ss20 мкм) — ЗТВ, для структуры которой характерны превращенные зерна перлита с микротвердостью 650 кгс/мм третий (толщина 700—750 мкм) — зона механического влияния (ЗМВ), для структуры которой характерен феррит, причем ферритные зерна в этой зоне содержат двойниковые кристаллы. Микротвердость этой зоны составляет 230 кгс/мм . [c.23]

Деформированный кристалл содержит несколько параллельных двойниковых слоев. Иногда образование двойников механической деформацией сопровождается резкими шумами, указывающими на иммульсивность процесса. [c.250]

Сложный (сло кные законы). Двойниковой осью служит перпендикуляр к ребру, лежащий в какой-либо кристал-лографи-чески важной плоскости и образующий ось общей для обоих индивидов зоны. Плоскостью срастания является плоскость, принадлежащая 3Toii зоне. Двойниковая ось лежит в плоскости срастания. Подобный двойник легко представить, исходя из следующего рассуждения. Предположим, что имеется три кристалла первый (I) и второй (II) образуют двойники по закону грани, второй (И) и третий (III) находятся в двойниковом иоложении ио закону оси. Если такой тройник будет неполным и второй индивид (II) отсутствует или не попал в ш.лиф, то первый и третий образуют общую плоскость срастания п дадут двойник по сложному закону. [c.483]

Среди замечательных исследований по теории скольжения в кристаллических решетках, предшествовавших статьям Прандтля и Тэйлора, заслуживают быть Фиг. 49. Двойникова- отмеченными работы Беккера, Смекаля ние кристалла кальцита Орована ). Следуя Беккеру, представим (по Ниггли). некоторые слои в кристалле, гранич- [c.76]

Общий характер изменения дифракционной картины с уменьшением облучаемого участка препарата меняется сплошные кольца разбиваются на беспорядочно расположенные по кольцу дуги и точки. В дальнейшем они обычно образуют правильную систему, что характеризует различную степень упорядоченной ориентации кристаллов в рассматриваемом объеме — от двухосных и одноосных текстур до двойниковых и монокристальных участков. Эти общие закономерности остаются одинаковыми для окисных слоев, полученных на воздухе и в парах воды. [c.55]

Электронная микроскопия показала, что мидриб — это область с плотным расположением параллельных тонких двойниковых прослоек (см. широкую полосу на рис. 134). Плоскость двойникования в мартенсите сплавов на железной основе чаще всего] И2[ . Толщина двойниковых прослоек в зависимости от состава сплава и условий образования мартенсита колеблется от нескольких до сотен ангстрем. Двойниковые прослойки толщиной всего в три атомных слоя можно рассматривать как расщепленные дислокации. [c.233]

Подчеркнутые семь слоев представляют собой часть решетки, находящуюся в двойниковом соотношении к основной части рещетки (т. е. двойник . Видимые в структуре прямые границы двойников (рис. 5, в) представляют собой след пересечения плоскостей (111) на границе матрица — двойник с плоскостью шлифа. На этих границах между расположением атомов в матрице и двойника имеется закономерная, когерентная связь. Когерентные границы двойника обладают, как и всякие границы, определенной поверхностной энергией. Однако, очевидно, что эта поверхностная энергия значительно меньше поверхностной энергии на обычных некогерентных границах. По подсчетам ряда авторов [М], отношение удельной поверхностной энергии на когерентной границе матрица — двойник к удельной поверхностной энергия обычных границ различно для разных металлов. Для меди, например, оно 0,05, а для алюминия 0,2. Чем меньше это отношение, тем более вероятно образование двойников в даином металле. Поэтому в меди двойникование наблюдается чаще, чем в алюминии. [c.714]

Двойники, дефекты упаковки. В условиях, неблагоприятных для скольжения, пластическая деформация кристаллов может приводить к образованию не дислокаций, а двойников или дефектов упаковки. Двойники и дефекты упаковки представляют собой дефекты, при наличии которых происходят нарушения кристаллографической ориентации частей кристалла из-за нарушения порядка чередования атомных плоскостей. Рассмотрим эти дефекты, например, в плотноупакованной г.ц.к. решетке. В этой решетке последовательность укладки плотноупакован-ных плоскостей 111 — это последовательность типа АВСАВСАВС.... В случае двойникового дефекта в г.ц.к. решетке слои 111 чередуют- [c.113]

Из цианистых растворов трудно получить хорошо развитые кристаллы. При определенных условиях отдельные кристаллы растут неравномерно. Крупнозернистые, грубые осадки образуются прежде всего при плотности тока, превышаюшей критическую [23], что имеет место особенно на углах, на гранях и сильно профилированных поверхностях катода. При высокой плотности тока могут возникать грубые осадки благодаря внедрению коллоидов и чужеродных тел, которые нарушают рост кристаллов. На форму осадка серебра влияют также выделяющиеся пузырьки газа и концентрационные изменениа в прикатодном слое электролита. Существенно влияет на вид осадка серебра металл основания (подложка). Если размеры решетки осадка и 0 H0B H0r0 металла сходны между собой, то осадок может продолжать рост решетки основного металла. При отклонении, большем чем 15%, преимущественно возникают двойниковые образования [c.48]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...