Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Диэлектрическая проницаемость высокочастотная

Диэлектрическая проницаемость. Значения диэлектрической проницаемости ео и е о получают из статических и высокочастотных (или оптических) измерений соответственно. В таблицах везде, где не отмечено специально, приводимые значения относятся к Т = 290 К.  [c.455]

Рассматривая формулы (3-8) и (3-9), можно видеть, что диэлектрические потери приобретают серьезное значение для материалов, используемых в установках высокого напряжения, в высокочастотной аппаратуре и особенно в высоковольтных высокочастотных устройствах, поскольку диэлектрические потери пропорциональны квадрату приложенного к диэлектрику напряжения и частоте поля. Материалы, предназначаемые для применения в указанных условиях, должны отличаться малыми значениями угла потерь и диэлектрической проницаемости, так как в противном случае мощность, рассеиваемая в диэлектрике, может стать недопустимо большой.  [c.48]


Емкостный метод, разработанный в МЭИ В. А. Головиным, основан на измерении изменений емкости поверхностного конденсатора при наличии на его электродах пленки. В этом случае образуется некоторое распределение плотностей силовых линий напряженности электрического поля между пленкой и паровой фазой. Большая плотность соответствует среде с большей диэлектрической проницаемостью (пленке). При росте толщины пленки все большее число силовых линий входит в пленку, увеличивая плотность поля, поэтому емкость датчика возрастает с увеличением толщины пленки. Расчет изменения емкости датчика в зависимости от толщины пленки довольно сложен, однако такую зависимость легко получить моделированием. В МЭИ применялись две основные схемы измерения емкостным методом. Электронная аппаратура (рис. 2.28,а), состоящая из высокочастотного измерительного генератора с частотой 12 МГц, с поверхностным емкостным датчиком и частотного детектора, позволила измерять толщины непрерывных пленок воды при 20 °С в диапазоне О—1,5 мм с точностью до 0,01 мм, причем линейный участок находился в диапазоне О—0,5 мм.  [c.62]

Здесь е — диэлектрическая проницаемость среды, е , — высокочастотная (по отношению к Шц) диэлектрич.  [c.76]

Это выражение комплексное и содержит величины, необходимые для качественного описания дисперсии собственную частоту сОд (в случае свободных электронов — плазмы — сОд = 0) и затухание бщ. Теория Лорентца справедлива также и в высокочастотном пределе со ) > сОд, когда диэлектрическая проницаемость всех веществ описывается плазменной формулой в (со) =з 1 — — 4я Л/ е7(/я ).  [c.17]

Высокочастотные материалы с диэлектрической проницаемостью выше 12  [c.76]

Высокочастотные материалы с диэлектрической проницаемостью ниже 9  [c.76]

Это соотношение можно рассматривать как закон сохранения импульса фотонов. Параметрическая генерация света является аналогом параметрического усиления или параметрической генерации высокочастотных электромагнитных колебаний. В последнем случае термин параметрический процесс вводится по той причине, что речь идет о периодическом изменении одного из параметров колебательного контура, чаще всего его емкости. В результате такого воздействия имеет место усиление или генерация колебаний на определенных частотах. При оптическом параметрическом усилении или оптической параметрической генерации колебательный контур заменяется нелинейным оптическим кристаллом. Под воздействием интенсивной волны накачки диэлектрическая проницаемость среды меняется с частотой этой волны, что соответствует периодическому изменению емкости упомянутого выше колебательного контура. Параметрическое взаимодействие в оптическом диапазоне также представляет важные возможности практического применения.  [c.287]


Основными характеристиками древесины при высокочастотном нагреве в электрическом поле высокой частоты, как и для любого другого диэлектрика, являются диэлектрическая проницаемость и тангенс угла потерь. Так как древесина представляет неоднородный диэлектрик, то ее характеристики сильно меняются при изменении, например, влажности древесины. Так, относительная диэлектрическая проницаемость сухой древесины = 2ч-4 (при измерениях на постоянном токе), а относительная диэлектрическая проницаемость воды = 81 ед. Если представить такой случай, когда влажность древесины меняется от О до 100%, то, очевидно, диэлектрическая проницаемость ее может возрасти от 2—4  [c.115]

Диэлектрическая проницаемость. Значения диэлектрической проницаемости вв и есо получают из статических и высокочастотных (или оптических) измерений соответственно. >  [c.342]

ПМ, за исключением углепластиков, имеют такие электротехнические характеристики (табл. 2.9), что по отношению к ним во время сборки нельзя применить резистивный нагрев. Величину произведения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь ПМ учитывают при оценке возможности их сварки (см. раздел 6) или отверждения клея при высокочастотном нагреве.  [c.45]

Независимость диэлектрической проницаемости азота, элегаза и других газов от частоты напряжения в очень широких пределах ее изменения, а также неизменность диэлектрической проницаемости при постоянной плотности газа при изменении температуры используются в эталонных (измерительных) конденсаторах. Фактор малых диэлектрических потерь газов ири высоких частотах используется при создании высокочастотных конденсаторов.  [c.64]

Высокочастотная керамика с небольшой диэлектрической проницаемостью  [c.231]

Таблица 23.32. Показатели некоторых высокочастотных керамических материалов с небольшой диэлектрической проницаемостью Таблица 23.32. Показатели некоторых высокочастотных керамических материалов с небольшой диэлектрической проницаемостью
ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ КЕРАМИКА С ПОВЫШЕННОЙ И ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ  [c.239]

ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ 289  [c.289]

Высокочастотная диэлектрическая проницаемость плазмы в сильном магнитном поле [6, 18, 19]  [c.291]

Частотные зависимости е, е" и tg б представлены на рис. 17.5. С ростом частоты в монотонно снижается от статического значения 6 (со 0) до высокочастотного Воо (со со)., принимая при частоте релаксации сОр среднеарифметическое значение (в . + е х,)/2. Мнимая составляющая комплексной диэлектрической проницаемости максимальна ири частоте релаксации, где в" = (е — Воэ)/2. Максимум tg б лежит при несколько большей частоте  [c.135]

Автоматические приборы для непрерывного контроля других (кроме pH и электропроводности) параметров жидких сред, как-то автоматические измерители диэлектрической проницаемости, высокочастотные безэлектродные кондуктометры, полярографы, плотномеры, вискозиметры и измерители консистентности шламов, пульп и т. п. сред, титровальные автоматы с электрометрическим или фото-366  [c.366]

Мощность, выделяющаяся в диэлектрике, пропорциональна мнимой части диэлектрической проницаемости е" к tg б, называемой иначе фактором потерь, а также частоте и квадрату напряженности электрического поля. Стремление ускорить нагрев приводит к использованию высоких частот и больщих напряженностей электрического поля. Максимальная допустимая напряженность не должна превосходить электрической прочности диэлектрика, т. е. напряженности поля, при которой происходит пробой и разрушение диэлектрика. Выбор максимальной допустимой частоты связан с особенностями волновой структуры высокочастотного электро.магнитного поля.  [c.141]

Конденсаторная керамика имеет повышенные (е ="10ч-230) и высокие (бг = 900) значения диэлектрической проницаемости. В первом случае керамика относится к высокочастотным диэлек-  [c.241]


Керамика данного типа Б отличается высокой диэлектрической проницаемостью (е >> 900), но вместе с тем н относительно большими потерями, достигающими значения tg6 = 5-10 при частоте 1000 гц. При изменении температуры диэлектрическая проницаемость е изменяется не по линейному закону, как у высокочастотной керамики, а большею частью по кривой с максимумом поэтому температурную зависимость е оценивают не величиной ТКе, а коэффициентом температурной стабильрюстн Рт = Абт/взо, где Де,. —наибольшее изменение диэлектрической проницаемости относительно значения е,,з при 20°С, наблюдаемое в рабочем интервале (—40) ч- (+85)° С при слабых переменных полях (табл. 10.3). Диэлектрическая проницае-  [c.147]

Диэлектрические свойства. Все пластические массы практически являются диэлектриками (за исключением случая введения специальных наполнителей или применения специальных полимеров). Диэлектрические свойства пластических масс определяются в основном химическим строением и структурой полимерного связующего, а также наполнителем. Наилучшими диэлектриками для высокочастотной техники являются полиэтилен, полистирол, политетрафторэтилен. Тангенс угла диэлектрических потерь этих материалов при 10 гц 0,0002—0,0006, диэлектрическая проницаемость 1,9—2,6 удельное объемное и поверхностное электросопротивление — 10 —10 ом-см (ом), электрическая прочность 20—40 кв мм. Малым тангенсом угла диэлектрических потерь и диэлектрической проницаемостью обладают пенопласты. Хорошие электроизоляционные свойства имеют слоистые пластики и прессмате-риалы с минеральным наполнителем. Лучшими и наиболее стабильными в условиях высокой температуры и повышенной влажности диэлектрическими свойствами обладают пластики на основе кремнийорганических смол и политетрафторэтилена.  [c.14]

Особенность высокочастотного зажигания состоит в том, что с увеличением частоты инициирующего сигнала напряжение, при котором возникает пробой, уменьшается и при некоторой частоте достигает минимума, далее с увеличением частоты напряжение про- боя снова возрастает [6]. При коротких разрядных промежутках (не более нескольких сантиметров) минимум напряжения пробоя приходится на область частот 10—20 МГц. При длинных промежутках минимум смещается к частоте в 1 МГц и ниже [7]. Это может быть объяснено тем, что с повышением частоты инициирующий сигнал все больше шунтируется распределенной емкостью длинной газоразрядной трубки. Кроме того, с ростом частоты следует учитывать необходимость повышения инициирующего напряжения для компенсации дополнительно возникающих потерь энергии сигнала. Так, например, с увеличением частоты часть инициирующего напряжения может падать на индуктивном сопротивлении подводящих проводов,. С повышением частоты растут также потери инициирующего сигнала на электромагнитное излучение. Мощность этого излучения пропорциональна току, квадрату частоты, квадрату длины проводов и зависит от магнитной и диэлектрической проницаемостей среды. Из расчетов видно, что при частоте 10 МГц и длине проводов 10 м потери на излучение достигают 807о, ири 1 МГц — 20%, при 0,1 МГц —2%.  [c.6]

Гц) наблюдается.лишь незначительное увеличение бс в монодоменном кристалле. Высокочастотная диэлектрическая проницаемость более критична к степени монодоменизации кристалла и может служить для ев  [c.184]

Домены выше точки Кюри отсутствуют, поэтому высокочастотные диэлектрические потери (которые в сегнетоэлектриках обусловлены доменами) в параэлектриках сравнительно невелики и их можно использовать в качестве нелинейных диэлектриков вплоть до частот 10 —10" Гц. Диэлектрическая проницаемость параэлектриков зависит как от температуры, так и от электрической напряженности  [c.190]

Высокочастотная диэлектрическая проницаемость плазмы в условиях, когда период колебания поля мал по сравнепию с временем взаимодействия сталкивающихся частиц  [c.289]

Таким образом, в высокочастотном пределе изменение мнимой части диэлектрической проницаемости связано с тем, что меняется кулоновский логарифм, в который уже не вносят вклада прицельные параметры сталкивающихся частиц, по порядку величины большие расстояния геА , проходимого за период колебания поля электроном с тепловой скоростью. Иными словами, вклад дают лишь те расстояния, которые успевает пройти частица за характерное время изменения распределения [16]. Этот результат соответствует впервые полученному Крамерсом [17], относящемуся к тормозному излучению и заключающемуся в том, что в области высоких частот роль максимального прицельного параметра соударения играет расстояние, проходимое электроном аа период колебания поля. Квантовый вывод формулы (63.7) дан в книге Гинзбурга [15]. Заметим также, что выражение (63.8) приводит к возникновению малой поправки к действительной части ди-э.чектри геской проницаемости.  [c.291]

E. E. Ловецкий. О высокочастотной диэлектрической проницаемости неизотермической илазмы. Иав. вузов. Радиофизика о, 813 (1962).  [c.335]

Определение тангенса угла и коэффициента диэлектрических потерь и диэлектрической проницаемости (ОСТ НКТП 3073) относится ко всем прессованным, формованным и слоистым материалам из пластмасс органического происхождения. Метод основан на замещении в контуре, настроенном в резонанс с высокочастотным генератором, конденсатора с диэлектриком из испытуемого материала, образцовым воздушным конденсатором с последовательно включенным реактивным сопротивлением. Образец имеет форму диска диаметром 100 2 мм или квадратной пластины со стороной 100 2 мм толщина 2 0,2 мм. Число образцов не менее 6. По согласованию сторон испытания листовых материалов допускаются на образцах и другпх толщин.  [c.305]

Изоляционный материал. Тефлон достаточно стоек до температуры 250° С. Используют его как лак для проволоки, в качестве изоляции в выключателях и как оболочку кабелей [25]. Благодаря исключительно низким диэлектрическим потерям фторопласты служат изоляционным материалом в высокочастотной технике [26]. Под маркой хемелек коппер клад тефлон был получен материал для электротехнических установок и кабелей, обладающий равномерной диэлектрической проницаемостью и низким вла-гопоглощением [27].  [c.784]


Из других ВИДОВ высокочастотной керамики следует отметить цельзиановую керамику. Цельзиановая керамика характеризуется очень низким коэффициентом термического расширения, сравнительно небольшим положительным температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости и небольшими диэлектрическими потерями при нормальной и повышенной температурах (300—400° С). Цельзиановая керамика рекомендуется для изготовления катушек индуктивности высокой стабильности, изоляторов и высокочастотных конденсаторов большой реактивной мощности.  [c.296]

Обозначая высокочастотную диэлектрическую проницаемость е , выражение для 8. можно представить через /го и / о — частоты поперечных и продольных колебаний кристаллической решетки. С учетом затухания колебаний (Уто Уш)< позволяющим описывать атармонизм, диэлектрическая проницаемость будет  [c.8]


Смотреть страницы где упоминается термин Диэлектрическая проницаемость высокочастотная : [c.402]    [c.135]    [c.86]    [c.276]    [c.347]    [c.184]    [c.189]    [c.203]   
Статистическая механика Курс лекций (1975) -- [ c.254 ]



ПОИСК



Высокочастотная диэлектрическая проницаемость плазмы в сильном магнитном поле

Высокочастотная керамика с небольшой диэлектрической проницаемостью

Высокочастотная керамика с повышенной и высокой диэлектрической проницаемостью

Диэлектрическая (-йе)

Диэлектрическая проницаемост

Диэлектрическая проницаемость

Диэлектрическая проницаемость высокочастотная статическая

ОГЛАВЛЕНИЯ Высокочастотная диэлектрическая проницаемость плазмы в условиях, когда период колебания поля мал по сравнению с временем взаимодействия сталкивающихся частиц

Проницаемость

Электропроводность высокочастотная и диэлектрическая проницаемость



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте