Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Моменты локализованные образование

В результате локализованного вдавливания пуансона и матрицы возникает круговой изгибающий момент, образованный силами резания, условно представленными на рис. 3, / и // равнодействующими нормальных напряжений.  [c.11]

К сожалению, чувствительность к фреттингу наиболее высока при режимах с преобладанием небольших амплитуд скольжения, поскольку это именно тот уровень скольжения, который характерен для большинства деталей конструкций. Типичный пример — колесо, насаженное на вал. Когда такое соединение подвергается воздействию знакопеременных напряжений, то за счет изгибающего момента будет происходить локализованное скольжение по кромке контактирующей опорной поверхности и в конечном счете в этнх местах будет развиваться трещина фреттинг-усталости. Образование частично скользящих поверхностей раздела — общий случай для сопряженных деталей (с плотной посадкой) оно обусловлено действием нормальной и тангенциальной составляющих сил сцепления, которые передаются через поверхности раздела, когда агрегат начинает работать. Скольжение происходит во всех местах, где отношение тангенциальной составляющей к нормальной превосходит коэффициент трения. В конечном счете при достаточных величинах приложенных напряжений скольжение будет происходить по всей поверхности, но это нежелательно. Следовательно, небольшие амплитуды скольжения всегда связаны с частично скользящими поверхностями и концентрация напряжений, которая существует между границами скользящих и нескользящих участков, является причиной появления трещин, обусловленных фреттингом на границах. В добавлении к  [c.301]


Образование локализованных моментов  [c.539]

Мы видим, что образование локализованного момента представляет собой коллективный эффект, требующий того, чтобы параметры лежали в нужной области. Он возникает как следствие присутствия взаимодействия С/па+па- в гамильтониане. Интересно также отметить, что, хотя мы исходили из локализованного -состояния, величина локализованного момента оказалась нецелым числом. Нецелочисленное значение момента свойственно обычно не только магнитным примесям, но и чистым магнитным кристаллам, таким, как железо. Мы могли видеть, каким образом формируются нецелочисленные моменты в чистых материалах, когда обсуждали вопрос о ферромагнетизме зонных электронов. Мы могли бы, с другой стороны, описывать чистые материалы, представляя себе, что сначала формируются локализованные на каждом атоме моменты, а уж затем происходит размытие в зоны.  [c.545]

Таким образом, параметры 5в, бв, /в, С7в характеризуют предельное равномерное напряженно-деформированное состояние образца (до момента образования шейки). Величины v[/k и Sk отражают способность стали к локализованной деформации. Представляется целесообразным щюизводить оценку пластических свойств с использованием отношений  [c.285]

При нагружении твердого тела нагрузками, превосходящими некоторый предел, наряду с упругими деформациями появляются деформации пластические, которые с ростом нагрузок значительно превосходят упругие деформации и предопределяют процесс деформирования тела как локально, так и в целом. Рассмотренные в гл. 12 задачи о предельном состоянии балок с введением понятия пластического шарнира и предельного момента в нем представляют пример того, как вследствие развития и локализации пластических деформаций балка превращается в механизм с пластическим шарниром. Появление локализованного шарнира приводит к особому виду деформирования балки в целом. Рассмотрим деформироиание прямоугольной пластины с образованием мгновенно изменяемой системы Б виде механизма с пластическими шарнирами. При этом предположим, что упругие деформации значительно меньше пластических и при превращении в механизм пластина разбивается на части, в которых материал не  [c.416]

Быстрые нейтроны, а-частицы, протоны, осколки деления и т. д. теряют энергию при прохождении через материалы сначала при неупругих столкновениях производят ионизацию, затем при упругих образуют смещения в решетке. Смещение атома в решетке происходит, если энергия, передаваемая при упругом столкновении, больше примерно 25 эв. Хотя большая часть энергии тяжелых заряженных частиц теряется при ионизации, остается достаточно энергии для смещений в решетке. Так как сечение столкновения для заряженных частиц относительна велико, смещения происходят близко одно к другому, нарушая решетку в относительно небольшом объеме. Обычно смещенные атомы в первый момент обладают энергией, достаточной для вторичных смещений, которые в свою очередь могут привести к смещениям третьего и более высоких порядков. Они образуют локализованные области нарушений в кристаллах, называемые пиками. С другой стороны, сечение соударения быстрых нейтронов (высоких энергий) мало и приводит к смещениям, рассеянным, вдоль нути нейтрона в кристаллической решетке. Как и для тяжелых заряженных частиц, в этом случае могут происходить смещения вторичных и более высоких порядков с образованием изолированных областей разу-порядочения. Радиус действия нейтронов много больше радиуса действия тяжелых заряженных частиц, и большая часть их энергии достаточна для образования смещений.  [c.142]


Работа Клогстона и сотр. [49], посвященная вопросу о происхождении локализованных магнитных моментов, в некоторой степени подтверждает идею о том, что обменная энергия обусловлена электронами зоны проводимости. Модель свободных электронов, использованная в разд. 8.3 для описания виртуальных состояний, оказывается уже непригодной для описания примесных уровней в переходных металлах. Однако такой расчет можно. провести, применяя волновые функции, более подходящие для этих состояний (волновые функции Слэтера — Костера) при этом для фазового сдвига получается та же кривая, что и раньше. На фиг. 51 изображена функция I Е), характеризующая степень возмущения волновой функции ). Когда I (Е) = 1/F, где V — потенциал возмущения, в данном случае создаваемый положительно заряженным примесным центром, то, как можно показать, фазовый сдвиг равен у (Е) = п/2 ж, как и в случае модели свободных электронов, можно ожидать образования виртуальных состояний, энергии которых лежат вокруг значения, определяемого условием / (Е) = 1/F. Однако в отличие от случая свободных электронов на фиг. 51 мы видим две такие точки Ео и Ei. Выясним, как влияет спин на вырождение в этих точках.  [c.128]

Следует подчеркнуть, что гибридизация атомных орбит — способ приближенного описания участия валентных орбит одного атома в образовании локализованных молекулярных орбит. Степень удовлетворительности такого описания зависит от того, насколько сильно в действительности взаимодействуют локализованные орбиты, однако провести ясную границу не представляется возможным. Картина локализованных связей может оказаться удовлетворительной при рассмотрении свойств молекул, зависящих от результирующего поведения всех ее электронов (дли ны связей, их энергии и дипольные моменты и т. п.). Для свойств же, существенно связанных с состояни ями отдельных электронов (потенциалы ионизации, электронные спектры и т. п.), картина локализованных связей может оказаться непригодной с самого начала (даже в насыщенных органич. соединениях).  [c.584]

Разорванные связи на поверхности ковалентных кристаллов проявляют акцепторные свойства. Захват электрона на такие центры приводит к образованию двухэлектронных состояний типа Б на рис.5.2,5. Электроны в них могут находиться в синглетном и три-плетном состояниях (Б , Б2). В случае дисперсных частиц графита прямыми измерениями статического парамагнетизма удалось показать, что на поверхности в основном присутствуют диамагнитные состояния Б]. "Распаривая" двухэлектронное состояние путем адсорбции атомов И и О удалось доказать (рис.5.2,в), что на поверхности при этом возникает сигнал ЭПР от я-электронов, локализованных около С-Н (С-О) связей, причем отношение ширин линий ДН этих сигналов точно соответствует отношению ядерных моментов протона и дейтрона = 3,25 . Аналогичное доказательство присутствия на поверхности Ое состояний Б1 было получено "распариванием" спинов при адсорбции акцепторных молекул парабензохинона (я-Бх) наблюдался широкий сигнал от разорванной связи Ое и узкий от радикала я-Бх. В случае 51 в пользу образования состояний Б говорят данные по адсорбции кислорода (7.3.2).  [c.156]

Строго плоская монохроматическая волна непригодна для наблюдения передачи энергии, поскольку она не имеет ни начала, ни конца во времени и в пространстве. Сама постановка вопроса о передаче энергии требует отказа от такой идеализации. Необходимо перейти к волновому возмущению, ограниченному в пространстве по крайней мере с одного конца, т. е. имеющему передовой фронт, перед которым возмущение отсутствует. Подходящим волновым образованием может служить группа волн. Если выполнено условие (8.12), то средняя скорость энергии, переносимой группой, совпадает с групповой скоростью. Действительно, форма группы, какую она имела в момент 1, восстанавливается без заметного искажения в более поздний момент времени / + т. При этом группа вместе с локализованной в ней энергией за время т перемещается вперед на расстояние х — их. Так как такое восстанов)1ение формы имеет место, каков бы ни был момент времени то движение энергии  [c.61]


Смотреть страницы где упоминается термин Моменты локализованные образование : [c.57]    [c.439]    [c.194]    [c.41]    [c.212]    [c.76]   
Теория твёрдого тела (1972) -- [ c.539 , c.545 ]



ПОИСК



Моменты локализованные



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте