ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Разорванные связи на поверхности ковалентных кристаллов проявляют акцепторные свойства. Захват электрона на такие центры приводит к образованию двухэлектронных состояний типа Б на рис.5.2,5. Электроны в них могут находиться в синглетном и три-плетном состояниях (Б|, Б2). В случае дисперсных частиц графита прямыми измерениями статического парамагнетизма удалось показать, что на поверхности в основном присутствуют диамагнитные состояния Б]. "Распаривая" двухэлектронное состояние путем адсорбции атомов И и О удалось доказать (рис.5.2,в), что на поверхности при этом возникает сигнал ЭПР от я-электронов, локализованных около С-Н (С-О) связей, причем отношение ширин линий ДН этих сигналов точно соответствует отношению ядерных моментов протона и дейтрона = 3,25|. Аналогичное доказательство присутствия на поверхности Ое состояний Б1 было получено "распариванием" спинов при адсорбции акцепторных молекул парабензохинона (я-Бх): наблюдался широкий сигнал от разорванной связи Ое и узкий от радикала я-Бх. В случае 51 в пользу образования состояний Б| говорят данные по адсорбции кислорода (7.3.2). [Выходные данные]