Холловское сопротивление

Один из основных параметров эффекта Холла — холловское сопротивление Л//- Из соотношения (2.22) следует, что [c.66]

Как следует из (2.25), величина "кванта" сопротивления Холла может быть выражена через постоянную тонкой структуры q lh , определяющую релятивистские поправки к энергетическим спектрам атомов (с — скорость света). Это дает уникальную возможность с высокой точностью определять этот фундаментальный параметр без привлечения результатов квантовой электродинамики. "Квант" холловского сопротивления предлагается признать международным эталонным сопротивлением, поскольку его величина не зависит от места измерения и не меняется со временем. [c.68]

Таким образом, в слабых полях магнетосопротивление квадратично (что, конечно, уже было заложено в основу расчета, приведенного в приложении 14, путем введения члена а/Н в формулу для проводимости), а Pi2, т.е. холловское сопротивление, очень быстро спадает в полях, меньших примерно Hq/3. Если использовать более простую теорию, которая приводит к формуле (П14.11), то получается качественно подобный результат с тем отличием, что напряжение Холла спадает еще быстрее при Я — 0. [c.431]

Рнс. 22.67. Температурные зависимости коэффициента Холла (а), удельного сопротивления (6) и холловской подвижности электронов и дырок [c.481]

Эффективное удельное электрическое сопротивление Р21 холловскому току > когда слои параллельны и <Е2> (вариант I), определяется из уравнения [c.161]

Из этой зависимости находим удельное злектрическое сопротивление холловскому току для варианта III в виде [c.165]

Из (8.54г) следует, что в системе нет холловских циркуляционных токов, и сопротивление протекающему току р согласно (3.54а), (8.54г) и (8.56) будет [c.165]

Квантовый эффект Холла открыл зеленую улицу" квантовому эталону единицы электрического сопротивления — ома. И опять в основе эффекта лежит ступенчатая зависимость. Только на сей раз строго квантованные значения принимает сопротивление холловских переходов — контактов при изменении падения напряжения на них. Холловские контакты — это сэндвич" типа металл — окисел — кремний, помещенный в сильное магнитное поле и охлажденный до температуры жидкого гелия Сопротивление таких контактов не зависит от концентрации примесей в кремниевой подложке, от типа окисла, от геометрических размеров контактов и других факторов. Зато воспроизводимое сопротивление выражается через скорость света и постоянную тонкой структуры. [c.44]

На фиг. 5.41 показана связь между сопротивлением пленок р-типа толщиной 0,1 мкм и холловской подвижностью. Соответствующая зависимость для коэффициента Холла показана на фиг. 5.42. Температурные зависимости коэффициента Холла и подвижности изображены на фиг. 5.43. Коэффициент Холла с температурой практически не меняется. Температурные зависимости обеих величин по существу те же, что и для более толстых пленок (фиг. 5.3 и 5.5). [c.375]

Наиболее эффективным методом контроля количественного содержания донорных и акцепторных примесей, степени их компенсации и общего качества материала является исследование температурных зависимостей концентрации основных носителей заряда (постоянной Холла Rfi T)) и удельного сопротивления р Т) в широкой области температур, включая область частичной и полной ионизации примесей. Параллельные измерения р я Rfj обеспечивают возможность определения температурной зависимости холловской подвижности носителей заряда Рх = Rh/p, которая характеризует степень компенсации и однородность материала. [c.217]

Ом/ , где — целые числа. Величина продольного сопротивления инверсионного канала R = куУ в интервалах магнитных полей, соответствующих постоянным значениям холловского сопротивления, стремится к нулю — канал в продольном направлении становится как бы "сверхпроводяшим" — см. рис.2.12,5. [c.67]

J без влияния эффекта Холла. Однако более удобно обсудить недавние эксперименты, в которых применялся четырехконтактный способ и непосредственно измерялись сопротивление j и холловское сопротивление pj 2 (заметьте, что в двумерном случае р и а измеряются соответственно в Ом и Ом а не в Ом см и Ом" см как в трехмерном случае). Связь между р и а задается соотношениями [c.199]

Рис. 4.3. Эффект Шубникова — де Гааза в двумерных системах, а — инверсионный слой в 51 (МОП-структура). Показаны зависимости (сопротивления) и p 2 (хол-ловского сопротивления) от потенциала затвора (т.е. от числа электронов) при температуре 1,4 К и в постоянном поле 250 кГс (из работы [460]). Для каждого номера квантового уровня Ландау существуют четыре пика (показаны только пики, соответствующие номеру 1 и три пика, соответствующие номеру 0). Малое расщепление связано с долинным вырождением и последовательные пары пиков соответствуют разным направлениям спина. При обращении сопротивления в нуль уровень Ферми находится между соседними подуровнями, т.е. полностью заселены г подуровней, а холловское сопротивление для каждого плато равно Н/ге [или (25813/г) Ом].

Рис. 4.3. Эффект Шубникова — де Гааза в <a href="/info/401810">двумерных системах</a>, а — <a href="/info/362587">инверсионный слой</a> в 51 (МОП-структура). Показаны зависимости (сопротивления) и p 2 (хол-ловского сопротивления) от потенциала затвора (т.е. от <a href="/info/535974">числа электронов</a>) при температуре 1,4 К и в постоянном поле 250 кГс (из работы [460]). Для каждого номера квантового уровня Ландау существуют четыре пика (показаны только пики, соответствующие номеру 1 и три пика, соответствующие номеру 0). Малое расщепление связано с долинным вырождением и последовательные пары пиков соответствуют разным направлениям спина. При обращении сопротивления в нуль <a href="/info/7474">уровень Ферми</a> находится между соседними подуровнями, т.е. полностью заселены г подуровней, а холловское сопротивление для каждого плато равно Н/ге [или (25813/г) Ом].

Рис. 7.16. Измеренные Старком зависимости от поля поперечного магнетосопротивления (рц) и холловского сопротивления (р 2) при 1,6 К (а) и для при 1,2 и 1,1 К (б и в соответственно) (из работ [142, 418]) б — показаны только огибающие осщшляции в — получено при исследовании очень чистого образца, представлено только сопротивление

Рис. 7.16. Измеренные Старком зависимости от поля <a href="/info/378671">поперечного магнетосопротивления</a> (рц) и холловского сопротивления (р 2) при 1,6 К (а) и для при 1,2 и 1,1 К (б и в соответственно) (из работ [142, 418]) б — показаны только огибающие осщшляции в — получено при исследовании очень чистого образца, представлено только сопротивление

Рис. 22.7. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) полной концентрации носителей (б) и холловской подвижности дырок (в) в ноликристалли-ческом черном фосфоре [17] f — ннзкие температуры II высокие температуры

Рис. 22.7. <a href="/info/191882">Температурные зависимости</a> <a href="/info/43842">удельного сопротивления</a> (а) полной <a href="/info/191839">концентрации носителей</a> (б) и <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> дырок (в) в ноликристалли-ческом черном фосфоре [17] f — ннзкие температуры II высокие температуры

Рис. 22.44. Температурные зависимости удельного сопротивления (а) и холловской подвижности электронов (б) в sAu (пленочный образец толщиной 130 нм) 1811

Рис. 22.44. <a href="/info/191882">Температурные зависимости</a> <a href="/info/43842">удельного сопротивления</a> (а) и <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов (б) в sAu (пленочный образец толщиной 130 нм) 1811

Рис. 22.72. Температурные зависимости удельного, сопротивления и коэффициента Холла --Mg Sn (а), p-Mg2Sn (б), а также холловской подвижности электронов (в) н дырок (г) в различных образцах п- и р-типа [146] концентрация н-оснтелей, см-= 9-10 ( ) 2 — 1,5-10 ( J

Рис. 22.72. <a href="/info/191882">Температурные зависимости</a> удельного, сопротивления и <a href="/info/16473">коэффициента Холла</a> --Mg Sn (а), p-Mg2Sn (б), а также <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> электронов (в) н дырок (г) в различных образцах п- и р-типа [146] концентрация н-оснтелей, см-= 9-10 ( ) 2 — 1,5-10 ( J

Рис. 22.202. Зависимости холловской подвижности дырок п удельного сопротивления от концентрации дырок в пленках GeTe с различным содержанием Те

Рис. 22.202. Зависимости <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> дырок п <a href="/info/43842">удельного сопротивления</a> от концентрации дырок в пленках GeTe с различным содержанием Те

Отсюда следует, что удельное элек1рическое сопротивление холловскому току < j2>, когда слои параллельны и перпендикулярны < Е2> (вариант II), равно [c.163]

Рис. 21.36. Зависимость от температуры удельного сопротивления р (а) и постоянной Холла R(6) для трех основных направлений в p-2nSb [241] и зависимость холловской подвижности ц дырок в p-ZnSb (е) [217J.

Рис. 21.36. Зависимость от <a href="/info/197912">температуры удельного</a> сопротивления р (а) и <a href="/info/132521">постоянной Холла</a> R(6) для трех <a href="/info/572929">основных направлений</a> в p-2nSb [241] и зависимость <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> ц дырок в p-ZnSb (е) [217J.

Фиг. 5.41. Зависимость холловской подвижности от состояния поверхности (контролируется по изменению удельного сопротивления) для эпитаксиальных пленок PbSe толщиной 0,1 мкм при комнатной температуре [76]

Фиг. 5.41. Зависимость <a href="/info/363770">холловской подвижности</a> от <a href="/info/187558">состояния поверхности</a> (контролируется по <a href="/info/441161">изменению удельного</a> сопротивления) для эпитаксиальных пленок PbSe толщиной 0,1 мкм при комнатной температуре [76]

Взяв объемную концентрацию носителей 1,23 10 см я ць = = 750 см /В-с, можно рассчитать коэффициент Холла и удельное сопротивление при комнатной температуре как функции поверхностного потенциала. Расчеты поверхностной подвижности не распространены пока на случай вырождения. Грин > получил выражение для подвижности электронного газа, весьма схожее с результатом Земела [109] для невырожденного случая. Из-за отсутствия численных значений для случая вырождения в расчете подвижности были использованы невырожденные величины. Питературные данные по холловской поверхностной подвижности очень ограниченны даже для невырожденного случая [ПО]. [c.379]

Хотя в данной главе основной упор делается на более современные методы контроля, необходимо сначала кратко обсудить традиционные методы. К ним относятся четырехзондовый метод, холловские измерения, метод Ван дер Пау, эллипсометрия, интерферометрия, методика химического oкpaшивaнцЯj измерение сопротивления растекания, вольт-фарадные измерения. [c.185]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...