Селенид ртути

Энтальпия. Экспериментальные данные по энтальпии селенида ртути в настоящее время отсутствуют. Для оценки изменения энтальпии можно пользоваться уравнением, полученным из рекомендованного уравнения теплоемкости [c.296]

Большие количества халькогенидов цезия и рубидия были получены взаи-модействием селенидов ртути с цезием и рубидием по реакции [c.102]

Из селенида рту ти изготовляют высокочувствительные пленочные датчики, используемые при эффекте Холла [13]. Селенид ртути — черно-серые, а после возгонки фиолетовые кристаллы. В инертной атмосфере при температуре — 600°С возгоняется без разложения. Растворяется в царской водке. [c.131]

В полупроводниковой технике используют многие соединения, представляющие собой двойные, тройные и более сложные системы. К наиболее распространенным полупроводниковым соединениям относятся закись меди, сурьмянистый цинк, сернистый свинец, карбид кремния, теллурид висмута, теллурид кадмия, теллуристый свинец, селенид ртути, теллурид ртути и т. д. Рассмотрим некоторые из указанных соединений. [c.184]

Селен и теллур образуют значительное количество бинарных соединений, во многом сходных с соединениями серы. В природе также встречаются селениды и теллуриды, которые чаще всего сопутствуют сульфидным месторождениям. Селену сопутствуют обычно медь, серебро, ртуть, реже свинец, никель, кобальт, висмут. Теллур связан с серебром, золотом, реже с медью, свинцом, ртутью, висмутом, никелем, платиной. [c.5]

Таким образом, в водных растворах можно получить селениды щелочных металлов меди, серебра, цинка, кадмия, ртути, галлия, индия, таллия, германия, олова, свинца, молибдена, вольфрама, рения, железа, кобальта, никеля. Чистые соединения этим методом получить невозможно кроме того, в большинстве случаев получаемые осадки селенидов очень слабо фильтруются, часто проходят сквозь фильтры, образуют коллоидные растворы, трудно промываются от остатков солей электролитов. [c.76]

ТАБЛИЦА 20 СВОЙСТВА СЕЛЕНИДОВ ЦИНКА, КАДМИЯ, РТУТИ [c.119]

Из соединений селена известны селенид кадмия (СёЗе), селенид свинца (РЬ5е), селенид ртути (HgSe). Селенид ртути — кристаллическое вещество, получаемое сплавлением компонентов в вакууме при 254 [c.254]

Как видно, эти результаты находятся в противоречии с масс-спектрометрическими и оптическими исследованиями. Как показано в работе [41], занижение степени диссоциации HgЗe объясняется возможным отсутствием равновесия в системе либо какими-то устойчивыми кинетическими препятствиями, возникающими при взаимодействии водорода с HgSe или паром селена. В недавней работе [77] для исследования молекулярного состава пара HgSe проводились измерения давления его ненасыщенного пара с помощью кварцевого манометра в интервале 640—800° С, откуда рассчитывались значения среднего молекулярного веса пара. Эти данные убедительно доказывают, что во всем интервале температур селенид ртути полностью диссоциирует на газообразные компоненты (табл. 62) [c.9]

Как видно из этой таблицы, состав пара селена над HgSe качественно подобен молекулярному составу насыщенного пара чистого селена (см. Давление пара селена ). Такой сложный состав пара затрудняет расчет равновесного давления пара селенида ртути при использовании динамических методов. Поэтому данные соответствующих измерений должны носить приближенный характер. В частности, применение метода Кнудсена с вариантом по потере веса камеры встречает существенные затруднения расчетного характера. Это позволяет исключить из рассмотрения данные Шахтахтинского [88] и частично данные [89]. [c.150]

Селенид ртути. Ртуть с селеном образует одно соединение HgSe. Получить селенид ртути можно несколькими методами [c.128]

Этот способ сложен и неудобен вследствие того что приходится применять цианид натрия. Гамильтон [252] изготовил кристаллыч селенида ртути (П) в трубчатой печи (С двумя зонами нагрева, по которым поток свободного от кислорода азота в течение 18 ч проходил через ртуть (255°С) и расплавленный селен (560°С). Самая благоприятная температура осаждения 350°С. Селенид ртути получался в виде плоских пластинчатых гексагональных кристаллов. Теллурид ртути этим методом получить не удалось. [c.129]

К полупроводниковым соединениям А"В относят халькогени-ды цинка, кадмия и ртути. Среди них можно выделить сульфиды, селениды и теллуриды. [c.292]

Теллуриды — теллуристый свинец (РЬТе), теллуристый висмут (Bi T s), теллуристый кадмий ( dTe), теллуристая ртуть (HgTe) — так же, как сульфиды и селениды, находят себе приме- [c.264]

Различают полупроводники элементарные и соединения. К элементарным относятся следующие элементы таблицы Менделеева углерод (алмаз), кремний, германий, олово, фосфор, мышьяк, сурьма, висмут, сера, селен, теллур, йод. Полупроводниковые соединения сульфиды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, сзинца селениды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, свинца теллуриды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, свинца арсенид и фосфит галлия карбид кремния и др. Имеются также аморфные (стеклообразные), органические и магнитные полупроводники, свойства которых пока недостаточно изучены. [c.335]

Халькогеннды кадмия. Сульфид, селенид и теллурид кадмия имеют ширину запрещенной зоны большую, чем у соответствующих им соединений ртути у dS она составляет 2,4 эВ, у dSe — 1,8 эВ, у dTe — 1,6 эВ. Все они являются кристаллофосфорами и применяются в разнообразных электролюминесцентных устройствах. [c.99]

Данные по селениду кадмия, цинка и ртути приведены в табл. 3. Величина АУ/Уо приводится без учета сжатия обеих фаз, обусловленного изменением давления от атмосферного до давления, при котором проводится эксперимент. В фазовых превращениях (при низких давлениях особенно) обаруживается некоторый гистерезис по давлению. Среднее из двух значений давлений принято за истинное равновесное давление фазового перехода однокомпонентной системы. Как следует из данных табл. 3, при давлениях, превышающих 20000 кГ1см , появляется модификация С(15е со структурой МаС1. [c.39]

Показана возможность получения селенидов кадмия, свинца, ртути, олова, висмута, хрома и ряда других металлов IV—VI групп Периодической системы, а также селенидов индия. Однако, как показали исследования Л. Я. Марковского, который подробно изучал химизм процессов восстановления селенидов цинка и редко" е-мельных металлов, методом восстановления селенитов нельзя получить хороших чистых продуктов. Для селенида цинка нужна очень высокая температура (при этом имеются большие потери цинка и селена), для селенидов РЗЭ прочность окислов не позволяет полностью удалить кислород из конечного продукта. [c.77]

Для этих целей применялся аппарат (рис. 37), изготовленный из иенс-кого стекла. Полученный синтетическим путем и очищенный сублимирова-иием халькогенид ртути помещали в расширяющуюся часть сосуда 1, затем из ампулы 2 с металлом, цезий путем нагрева перемещался через капилляр 3 вниз в зону 4. После того как стенки всей аппаратуры были прогреты открытым пламенем под высоким вакуумом, аппаратура в местах 5 и 5 была заплавлена. Затем трубку наклоняли, чтобы металл стекал в сосуд 1, при этом происходила реакция, причем очень бурно. Нагрев производился при 150°С в течение суток, затем при горизонтальном положении трубки ртуть и избыточный щелочной металл путем нагрева части объема 1 до температуры 300—400°С были перегнаны в участок трубки 4, причем этот участок охлаждался твердой углекислотой. В точке 6 сосуд 1 отпаивался, после чего производился отжиг при 350°С па протяжении нескольких суток. Для рентгеновокого исследования пробы селенида цезия часть порошка пере- [c.102]

Известно, что лучшие термоэлектрические материалы были получены на основе халькогенидов или их сплавов, содержащих металлы с большими атомными массами. К таким металлам относятся, в частности, молибден. Установлено, что халькогениды молибдена — MoSe2 и МоТег —обладают полупроводниковыми свойствами [150, с. 79]. Единственными известными полупроводниками, которые сохраняют свои высокие эксплуатационные свойства, находясь в виде поликристаллических пленок, являются селениды и теллуриды ртути [441]. [c.275]

Соединения SnSe, B 2Se3 и PbSe применяют для изготовления полупроводниковых тензометров. Селениды и теллуриды свинца и кадмия применяют в качестве детекторов инфракрасного излучения и транзисторов [150]. Селениды (а также теллуриды) кадмия, свинца и ртути представляют сабой высокоомные полупроводники, которые называют фотопроводниками. [c.276]

Как уже указывалось в 1, ряд промежуточных фаз, образованных металлами второй и третьей групп периодической системы элементов Д, И, Менделеева с элементами шестой и пятой групп, обладает полупроводниковыми свойствами. Все эти соединения имеют общую формулу АВ и существуют в очень узком интервале концентраций, описываемом этой формулой. Такие соединения обладают либо кубической решеткой типа алмаза, либо гексагональной решеткой. При этом атомы металла расположены таким образом, что их ближайшими соседями являются атомы металлоида. Примером соединений с алмазной решеткой могут служить арсениды и фосфиды галлия и индия ОаАз, ОаР, 1пАз, 1пР. Сульфиды и селениды кадмия и ртути — Сс15е, С(15, Н 5е— обладают гексагональной решеткой. [c.81]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...