Фотолитография 201, XII

Фоторезист под действием соответствующего освещения изменяет свои свойства, и в результате на поверхности полупроводника получают защитный рельеф из фоторезиста, повторяющий рисунок фотошаблона. Неэкспонированные участки фоторезиста удаляют, а открытые участки оксида снимают травлением. Так создается оксидная маска требуемой конфигурации (схематически процесс фотолитографии показан на рис. 25.2а,б). Сквозь окна маски примеси поступают в полупроводник для создания элементов микросхемы. [c.539]

Т-5 Япония, Никон (0.01) 250-40 1,12-0,7 Фотоэлектрический микроскоп для контроля совмещения рисунка масок при фотолитографии [c.82]

Обмотки накладных ВТП, работа-юш,их па частотах 0,1—5 МГц и выше, выполняют печатными, применяя методы фотолитографии. Это дает высокую степень идентичности отдельных экземпляров обмоток, повышает [c.126]

Материалы для микроэлектронных приборов можно условно разбить на четыре группы в соответствии с основными конструкторско-технологическими направлениями в микроминиатюризации тонкопленочным, толстопленочным, полупроводниковым, а также материалы для селективного травления (фотолитографии). [c.411]

Материалы для тонкопленочной технологии предназначены для нанесения (в вакууме или химическим способом) на общее основание тонких (до 10—12 мкм) пленок проводникового, контактного, резистивного, изоляционного назначения с формированием топологического рисунка либо в процессе осаждения с помощью маскирования, либо с помощью фотолитографии после-нанесения нескольких сплошных слоев материалов. [c.411]

Процесс нанесения материалов должен быть совместим с современными методами фотолитографии. При толщине пленок порядка 1 мкм необходимо обеспечивать в интегральных схемах ширину проводящих дорожек порядка 10 мкм, в гибридных интегральных схемах порядка 100— 200 мкм. Материалы должны легко взаимодействовать с реактивами, ис- [c.445]

МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ФОТОЛИТОГРАФИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ [c.457]

Контактная фотолитография (обычный вариант) 1,26 2—3 Наличие зазора между шаблоном и пластиной, точность совмещения [c.457]

Контактная фотолитография с гибким фотошаблоном 0.1 0,4 Точность изготовления комплекса шаблонов [c.457]

Контактная фотолитография с зазором между шаблоном и пластиной 10 15 Разрешение метода [c.457]

Проекционная фотолитография Последовательная электрография 0.4 1.5 Точность перемещения координатного стола [c.457]

Флинт 508, 509 — Коэффициенты внутреннего пропускания 509 — Коэффициенты дисперсии 508, 509 — Механические характеристики 510 — Показатели преломления 508 Фотолитография 457 — Нанесение фоторезиста на подложку 458 — Последовательность процессов фотолитографии 457, 458 [c.528]

Прогресс современной микроэлектроники во многом зависит от развития метода фотолитографии, являющегося одним из основных в изготовлении больших и интегральных схем. Существующие в настоящее время способы получения фотошаблонов приводят к образованию значительного количества дефектов, возникающих на различных стадиях фотолитографического процесса, а сам процесс отличается длительностью изготовления фотошаблонов и многоступенчатостью. [c.157]

Репродукционные О., используемые в репрографии и для фотолитографии при произ-ве микроэлектронных схем, создают уменьш. изображения плоских оригиналов чертежей, текстов, рисунков, шаблонов обладают повышенной разрешающей способностью, определяемой дифракцией и достигающей 1500 мм для фотолитография. О. и 150 мм - для репрография. О. [c.393]

П. л. отличаются от др. линий передачи малыми габаритами и простотой изготовления допускают применение планарной технологии (напыление, фотолитография и т. п.), поэтому удобны для создания ИС как в качестве линий передачи эл.-магн. энергии, так и в качестве элементов СВЧ-устройств (резонаторов, фильтров, линий задержки, направленных ответвителей и др,). [c.29]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в создании элементов микросхемы и их соединений в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). Технология изготовления ПИМС строится на сочетании двух основных методов диффузии и фотолитографии. С помощью диффузии (введение примесей) создаются объемные структуры элементов ПИМС, фотолитография позволяет получать необходимые конфигурацию и размеры этих структур [c.538]

Термическое выращивание маскирующего (прикрывающего) слоя двуокиси кремния (SlOj) методом фотолитографии. [c.93]

Полупроводниковые материалы. В течение последних лет ведутся интенсивные поиски способов получения тончайших защитных пленок на поверхности полупроводниковых пластин и приборов. Теоретические расчеты показали, что такие пленки должны иметь высокое удельное электросопротивление, эффективную маскирующую способность и обеспечивать стабильность параметров полупроводниковых приборов. Проведенными в Институте опытами установлено, что методом осаждения стеклообразователей из раствора можно получить пленку стекла толщиной 0.1 —1.0 мк, которая обладает удельным электрическим сопротивлением 10 —10 ом-см, эффективной маскирующей способностью в процессе внедрения диффузантов, устойчивостью во влажной атмосфере, высокой термостойкостью, растворимостью в обычных травителях и характеризуется хорошей адгезией с использованием для фотолитографии резистом. Процесс получения пленок из раствора более производителен и осуществляется при более низкой температуре, чем процесс термического оплавления кремния. Метод получения пленок применяется при изготовлении приборов по планарной технологии. [c.8]

В интегральной электронике МДП-структуры широко используются для создания транзисторов и на их основе различных интегральных микросхем. На рис. 8.36 показана принципиальная схема МДП-траизистора с изолированным затвором. Транзистор состоит из кристалла кремния (например, л-типа), у поверхности которого методами фотолитографии, диффузии (или ионной имплантации) формируются р-области, как показано на рис. 8.36, а. Одна из этих областей называется истоком, другая — стоком. Сверху эти области покрываются пленками металла (обычно алюминия). Промежуток между этими областями также покрывается пленкой металла, изолированной от поверхности кристалла слоем окисла. Этот электрод транзистора называют за/пеорол. На границе между р- и -областями возникают два р — я-перехода —истоковый и стоковый, которые на рис. 8.36, а показаны штриховкой. [c.252]

Фотолитография — совокупность фотохимических процессов, основанных на использовании в качестве защитного покрытия рисунка схемы светочувствительных полимеров (фоторезистов), изменяющих свои первоначальные свойства под действием акти- [c.457]

Фазовая отражат. решётка обладает существенно более высокими параметрами лучевой прочности в разд. режимах лучевого воздействия. Для повышения стабильности при измерениях фазовая решётка изготавливается па поверхности охлаждаемого металлич. зеркала с эффективной системой водяного охлаждения. Дифракц, штрихи в Д. о. этого типа формируются с помо1цью фотолитографии и традиц. механич. нареза-пиел алмазным резцом на делительной машине. [c.662]

Для формирования требуемой конфигурации отд. планарных элементов и составленных из пих оптич. интегральных узлов применяется гл. обр. фотолитография. Для создания монолитных схем И. о. используются полупроводниковые соединения АШВ и твёрдые растворы на их основе. Монокристаллы диэлектриков, так же как н иыобат и танталат лития,. широко используются для ИЗГОТОИЛОШ1Я ра.эл. типов интегрально-оптических модуляторов, дефлетсторов, переключателей, акустооптич. устройств обработки информации и т. д. [c.154]

Киноформные оптич. элементы могут быть получены или путём спец. программного управления пнтеисивно-стью лазерного пучка, с помощью к-рого производится запись, или с использованием методов фотолитографии. [c.364]

Столь высокие значения достигаются у первых за счёт существенного усложнения оптич. системы, у вторых за счёт сравнительно малых угл. поле11 и числовой Оптическая схема О. для фотолитографии [c.393]

Я=3нми =3 мкм б 100 нм. Для регистрации изображений с таким разрешением используют д5ото-ре исти, применяемые в фотолитографий и имеющие существенно более высокое собств. разрешение (напр., для резиста ПММА — 5 нм). После проявления пли травления изображение объекта увеличивается с помощью электронного или оптич. микроскопа. [c.367]

Основным полупроводниковым материалом для изготовления Т. является кремний. Четырёхслойная -структура изготавливается, как правило, путём последовательных операций термодиффузии примесей р- и н-типа в пластину монокристаллич. кремния, причём для получения эмиттерного -слоя сложной геом. формы применяются маскированнс окислом и фотолитография. [c.115]

Совр. Ф. является важнейшим средством документирования и сохранения информации, составляет основу кинематографии, входит в ЧИСЛО осн. техн. средств полиграфии, фотолитографии и фототелеграфной техники (включая фотофаксную связь), является одним из средств в научных исследованиях. [c.344]

Ещё одна новая область Ф.—фотолитография, возникшая в связи с развитием микроэлектроники. Для защиты полупроводниковой базы от травления, напыления и иных видов формирования рисунков используют фоторезисты, чаще всего полимерные органические, но для получения на них защитного рисунка применяют AgHal-СЧС высокого разрешения. Замена AgHal-СЧС на несеребряные возможна и здесь и уже частично идёт предложены разл. СЧС на основе осаждённых или напылённых слоев металлов (напр., Pd) и их солей, физически проявляемых с отложением неблагородных металлов (Си, Ni) используются СЧС с галогенидами РЬ и Т1, окислами Мо и др. [c.347]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...