Изготовление ДОЭ методами фотолитографии

Технология фотолитографии, традиционно используемая для изготовления ДОЭ, предусматривает квантование фазовой функции ДОЭ по М уровням. Квантованные ДОЭ с малым числом уровней квантования (М = 3,4) и особенно бинарные ДОЭ (М = 2) представляют особый интерес вследствие простоты их изготовления методами фотолитографии. В частности, бинарный рельеф формируется за одно травление подложки. [c.122]

Прогресс современной микроэлектроники во многом зависит от развития метода фотолитографии, являющегося одним из основных в изготовлении больших и интегральных схем. Существующие в настоящее время способы получения фотошаблонов приводят к образованию значительного количества дефектов, возникающих на различных стадиях фотолитографического процесса, а сам процесс отличается длительностью изготовления фотошаблонов и многоступенчатостью. [c.157]

Изготовление ДОЭ со ступенчатым профилем стало возможным в результате применения методов фотолитографии, разработанных и доведенных до определенной степени совершенства в микроэлектронной промышленности [12]. При этом под фотолитографией понимают технологию создания и копирования бинарных структур, применяемую в производстве интегральных схем. Многократно повторяемый этап их изготовления состоит в следующем. На кремниевую пластину наносят слой светочувствительного материала — фоторезиста, который экспонируют контактным или проекционным образом через заранее изготовленную бинарную амплитудную маску, называемую фотошаблоном, а затем проявляют в травящем растворе. В зависимости от типа (позитивный или негативный) фоторезист растворяется на экспонированных или, наоборот, неэкспонированных участках, в результате чего на пластине образуется защитный слой со сквозными окнами. Через эти окна осуществляют ту или иную технологическую операцию трав/ ение, напыление и т. д., после чего фоторезист удаляют и весь цикл повторяют снова (до 8—10 раз). При этом на последующих стадиях при экспонировании фоторезиста, кроме всего прочего, необходимо совмещать рисунок фотошаблона с имеющейся на пластине структурой. Подчеркнем также, что в результате проведения не- [c.200]

T vx, Vy) =ехр 1ф (v, Vy). Они также могут быть бинарными, когда фаза на выходе принимает только два значения, например О и я, или с непрерывным произвольным законом изменения фазы. Бинарные фазовые ПФ могут быть изготовлены методами фотолитографии травлением предварительно нанесенного на стеклянную подложку слоя фоторезиста определенной толщины либо отбеливанием фотоматериала и другими способами. Изготовление фазовых ПФ с произвольным законом изменения фазы подобными методами не представляется [c.229]

Изготовление ДОЭ методами фотолитографии [c.243]

Обратимся теперь к волнам горизонтальной поляризации, экспериментальное подтверждение существования которых на выпуклой цилиндрической поверхности кристалла dS изложено в работе [205]. Опыты проводились с цилиндрическим образцом кристалла dS, изготовленным по методу, описанному в [191]. Длина цилиндра равнялась 12,9 мм, диаметр D = 11,2 мм. Ось z цилиндра была параллельна гексагональной оси кристалла. Все поверхности образца были оптически полированы. Электропроводность образца в зависимости от его освещенности менялась в пределах 10 — 10 Om i- m 1. На боковой поверхности цилиндра были изготовлены методом фотолитографии две системы двухфазных гребенчатых электродов — излучатель 1 и приемник 2 (рис. 3.28), находящиеся на расстоянии L = 6 мм один от другого. Излучатель и приемник имели по три пары электродов, параллельных оси z, длина которых (апертура) составляла 7 мм, ширина 0,2 мм, расстояние между соседними электродами равнялось 0,4 мм. [c.264]

Экспонирование методом контактного проецирования является наиболее распространенным методом в технике фотолитографии [106, 170, 334, 339]. Для экспонирования используют фотошаблон, который находится в тесном контакте с фоторезистом, применяя при этом ультрафиолетовый коллимированный пучок света. При данном методе экспонирования возможно применять оборудование, используемое в технологии изготовления интегральных схем, которое автоматически обеспечивает контакт между фотошаблоном и подложкой, а в некоторых случаях дает возможность получить совмещенное изображение от нескольких фотошаблонов. [c.523]

Бинарные дифракционные решетки представляют особый интерес ввиду нросто-ты их изготовления методами фотолитографии бинарный рельеф формируется за одно химическое травление подложки. [c.81]

Для формирования рисунков слоев (резистивного, проводящего, диэлектрического и т. д.) на подложке микросхемы применяются фотошаблоны, маски и трафареты. При изготовлении микросхем специального назначения требуется комплект, СОСТОЯЩИЙ из 5—7 фотошаблонов, масок нли трафаретов. Фотошаблоны применяются для получения прецизионных рисунков слоев, изготовления контактных и свободных масок и трафаретов методом фотолитографии. Свободные маски или трафареты яримеияются при изготовлении групп пленочных элементов средней плотности, не требующих высокой точности. [c.74]

Так же кфс и при изготовлении контактных масок на точность размеров отверстий в свэбодных масках, полученных методом фотолитографии, оказывает значительно влияние подтравливание металла вглубь области, защищенной фоторезистом. [c.81]

Электроакустический преобразователь состоит из магнитной системы, которая содержит десять магнитных стержней, по пять с каждой стороны и подвижной системы. Магниты 1, изготовленные из изотропного феррита бария, размещены на двух стальных пластинах 2 с продольными прорезями. Магниты намагничены в поперечном направлении и расположены одноименными полюсами друг против друга. Стальные пластины с магнитами вставлены в пластмассовые обоймы 3. Между магнитами с помошью рамки 4 и резинового кольца 5 создается воздушный зазор. На рамку 4 наклеена мембрана 6 со звуковой катушкой. Мембрана изготовлена из полимерной плеики с приклеенной к ней алюминиевой фольгой. Из фольги методом фотолитографии изготовляется звуковая катушка, имеющая вид меандра с четырьмя секциями. Витки каждой секции звуковой катушки находятся в магнитном поле рассеяния двух магнитных стержней, намагниченных разноименно. Весь пакет скреплен с.помощью пружин 7 и вложен в круглый пластмассовый корпус, к которому крепится двойное оголовье, состоящее из металлической леиты и мягкой пблосы, плотно облегающей голову слушателя. К крышкам корпусов крепятся амбушюры прижимного типа из искусственной кожи. [c.294]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в создании элементов микросхемы и их соединений в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). Технология изготовления ПИМС строится на сочетании двух основных методов диффузии и фотолитографии. С помощью диффузии (введение примесей) создаются объемные структуры элементов ПИМС, фотолитография позволяет получать необходимые конфигурацию и размеры этих структур [c.538]

Полупроводниковые материалы. В течение последних лет ведутся интенсивные поиски способов получения тончайших защитных пленок на поверхности полупроводниковых пластин и приборов. Теоретические расчеты показали, что такие пленки должны иметь высокое удельное электросопротивление, эффективную маскирующую способность и обеспечивать стабильность параметров полупроводниковых приборов. Проведенными в Институте опытами установлено, что методом осаждения стеклообразователей из раствора можно получить пленку стекла толщиной 0.1 —1.0 мк, которая обладает удельным электрическим сопротивлением 10 —10 ом-см, эффективной маскирующей способностью в процессе внедрения диффузантов, устойчивостью во влажной атмосфере, высокой термостойкостью, растворимостью в обычных травителях и характеризуется хорошей адгезией с использованием для фотолитографии резистом. Процесс получения пленок из раствора более производителен и осуществляется при более низкой температуре, чем процесс термического оплавления кремния. Метод получения пленок применяется при изготовлении приборов по планарной технологии. [c.8]

В настоящее время для формирования дифракщюнного микрорельефа апробировано и отлажено множество технологий с использованием самых разнообразных (физически, химически, механически) активных сред фокусируемых электронных и ионных пучков, газов, кислот, резистов, полимерных композиций, алмазных резцов. При этом различные технологии требуют создания различных шаблонов наборов бинарных масок для фотолитографии, полутоновых фотошаблонов для ЖФПК и отбеливания желатины, тонко-мембранной пленки для рентгеновской литографии или маски-трафарета для использования ионно-лучевой литографии. При использовании полутоновых шаблонов и соответствующих технологий формирование кусочжо-непрерывного Ешкрорельефа происходит в один этап (методы формирования кусочно-непрерывного рельефа рассмотрены в п. 4.4). При использовании набора бинарных шаблонов и соответствующих бинарно-активных сред для получения многоуровневого рельефа, процесс, показанный на рис. 4.3, приходится повторять несколько раз, перебирая по очереди все шаблоны из набора. Для ряда современных технологий (электронная литография, станки с ЧПУ) изготовления физически существующего шаблона (или набора шаблонов) не происходит в этих случаях формирование микрорельефа происходит на основе рассчитанного виртуального шаблона. [c.241]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...