Собственное поглощение и дефекты кристаллической структуры

Имеются экспериментальные данные [36], которые весьма убедительно свидетельствуют о том, что поглощение в длинноволновом спаде кривой собственного поглощения непосредственно не обязано каким-либо примесям, а обусловлено дефектами кристаллической структуры реального кристалла. [c.22]

Наличие всевозможных дефектов кристаллической структуры должно несомненно влиять и на оптическое поглощение кристалла. Как было показано, первая полоса собственного поглощения щелочно-галоидных кристаллов обусловлена переходом электрона от иона галоида к соседнему иону щелочного металла и образованием электронно-дырочной пары. Энергию этого перехода можно приближенно оценить, пользуясь выражением [c.38]

Выше уже отмечалось влияние дефектов кристаллической структуры на собственное поглощение щелочно-галоидных кристаллов и указывалась их роль в образовании электронных и дырочных центров захвата. Дефекты структуры играют существенную роль также и в других явлениях и определяют целый ряд важнейших свойств реальных кристаллов. В своей книге Фотолюминесценция жидких и твердых веществ В. Л. Левшин [189], отмечая большую роль внутренних неоднородностей и нарушений кристаллической структуры в явлениях люминесценции, считает, что наличие дефектов структуры и их тесное взаимодействие с решеткой является необходимым условием возникновения длительного свечения кристаллофосфоров. [c.98]

Первая глава представляет собой краткий обзор имеющихся литературных данных о механизме поглощения света чистыми кристаллами щелочно-галоидных соединений, о влиянии дефектов кристаллической структуры на спектры их собственного поглощения и о свойствах и структуре электронных и дырочных центров окраски в субстрактивно и аддитивно окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений. [c.6]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...