Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Определение размеров кристаллитов

Определение размеров кристаллитов  [c.140]

Рентгенографическое определение размеров кристаллитов 140 Рентгенодефектоскопия визуальный метод 195  [c.1198]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАЗМЕРОВ КРИСТАЛЛИТОВ И БЛОКОВ, МИКРОНАПРЯЖЕНИЙ И ИСКАЖЕНИЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ  [c.715]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАЗМЕРОВ КРИСТАЛЛИТОВ  [c.715]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАЗМЕРОВ КРИСТАЛЛИТОВ И ИСКАЖЕНИЙ  [c.716]

ОПРЕДЕЛЕНИИ РАЗМЕРОВ КРИСТАЛЛИТОВ И ИСКАЖЕНИЙ [гл. >  [c.734]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАЗМЕРОВ КРИСТАЛЛИТОВ И иска. ений  [c.766]

Для определения размера зерен-кристаллитов и микродеформаций в материалах используют различные методы анализа физического профиля рентгеновских пиков [87-95]. Уменьшение раз-  [c.34]


Эти параметры связаны между собой в определенной закономерности 1) при повышении температуры подложки от 500 до 1400° С скорость процесса осаждения, размер кристаллитов и плотность осадков возрастают 2) скорость роста осадка, пропорциональная возрастанию давления в аппарате от 5 до  [c.120]

При получении наночастиц любым методом проявляется еще одна их особенность — склонность к образованию объединений частиц. Такие объединения называют агрегатами и агломератами. В результате, при определении размеров наночастиц, необходимо различать размеры отдельных частиц (кристаллитов) и размеры объединений частиц. Различие между агрегатами и агломератами не является четко определенным.  [c.14]

Описанные выше методы рентгеноструктурного анализа применяются при решении следующих задач определение фазового состава сплавов,границ растворимости в системах с ограниченной растворимостью, измерение напряжений, определение линейных размеров кристаллитов, исследование текстур. С помощью рентгеноструктурного анализа могут быть зафиксированы все превращения в твердом состоянии, связанные с изменением кристаллической структуры.  [c.60]

Определение линейных размеров кристаллитов основано на применении известного соотношения между шириной линий на рентгенограммах и величиной кристаллитов, если линейные размеры последних не превышают 10 б см  [c.61]

Лазерный отжиг является перспективным средством улучшения электрических и структурных свойств поликремниевых слоев [8.26, 8.27]. Кроме того, лазерный отжиг является эффективным средством устранения дефектов, образовавшихся в результате имплантации и увеличения размеров кристаллитов. Для определения размера кристаллитов, подвижности носителей, концентрации носителей и сопротивления растекания были проведены эксперименты по лазерному отжигу поликремниевых слоев при различных мощностях лазера. Поскольку теоретическая модель механизма роста кристаллита в результате лазерного отжига чрезвычайно сложна, использовалась простая эмпирическая модель зависимости размера кристаллита от мощности лазера. На рис. 8.15 показана зависимость размера кристаллита в поликремниевом слое толщиной 0,5 мкм, осажденном из газовой фазы при низком давлении на 1-мкм слой термического окисла, от мощности лазера непрерьшного действия при следующих условиях скорость сканирования 50 см/с, размер пятна 70 мкм, расстояние между линиями 20 мкм, температура подложки 500° С. В этом эксперименте не учитывалась зависимость размера кристаллита от концентрации и вида легирующей примеси. Резкое увеличение кристаллита при мощности лазера более 9 Вт является результатом плавления и рекристаллизации поликремния. Если размер кристаллита определять эмпирически, то для описания свойств поликремния, подвергнутого лазерному отжигу, следует использовать модели проводимости и сегрегации, рассмотренные выше.  [c.237]


Из рис. 8.13 видно, что при определенном значении напряженности поля Е поляризация достигает насыщения Ps- Если после достих<ения насыщения напряженность поля уменьшить до нуля, то сохраняется поляризация Pr, называемая остаточной. Для того чтобы эту поляризацию свести к нулю, необходимо прилол<ить внешнее поле обратного направления. Напряженность этого поля Ес называют коэрцитивной силой. Остаточная поляризация и коэрцитивная сила зависят как от природы материала, так и от факторов, влияющих на движение доменных стенок — размеров кристаллитов, примесей, дефектов.  [c.300]

Важнейшим моментом при структурной аттестации наноматериалов является достоверное определение размера зерен-кристаллитов. Особое место здесь отводится методу РСА, дающему статистически усредненную информацию. При РСА наноструктурных материалов разделение вкладов в уширение физического профиля рентгеновских пиков производится методами Шеррера, Уоррена-Авербаха (с использованием одного или двух рентгеновских пиков), Вильямсона-Холла [71, 85, 125] и др.  [c.71]

Для определения количества атомов примесей металлов на кристалл и на число его ненасыш,енных углеродных л-связей были рассчитаны некоторые дополнительные данные, связанные с размером кристаллитов исследованных материалов.  [c.142]

Таким образом, методы определения диаметра и высоты кристаллитов по формуле Селякова — Шеррера могут быть использованы для облученных, а также обладающих невысокой степенью совершенства материалов. iB этом случае правильнее говорить не о размерах кристаллитов, а о диаметре и высоте областей когерентного рассеяния (ОКР).  [c.100]

Пироуглеродные волокна образуются только при определенной концентрации углеводорода (метана). При этом часть пироуглерода осаждается в виде сплошного покрытия, другая часть формирует углеродные волокна. Эти волокна являются поликристаллическими и состоят в основном из углерода турбостратной структуры с размерами кристаллитов 40 А и высокой степенью ориентации гексагональных слоев относительно оси волокна (рис. 1.12).  [c.23]

Имеются многочисленные экспериментальные данные, свидетельствующие как о термической стабильности наноструктур, так и об их активной рекристаллизации даже при комнатных температурах. В последнее время появились работы (см. обзор [3]), в которых делается попытка оценить роль различных факторов роста зерен применительно к наноматериалам. Теоретически показано, например, что инжекция вакансий внутрь зерен, которая имеет место при движении межзеренной границы, повышая свободную энергию системы, делает термодинамически невыгодным рост зерен, но только в определенном интервале размеров последних. Наличие тройных етыков, доля которых в структуре наноматериала значительна (см. рис. 2.3, б), также замедляет рост зерен. Таким же образом действуют поры, сегрегации на границах и сжимающие напряжения. В то же время неоднородное начальное распределение зерен по размерам и растягивающие остаточные напряжения инициируют рост зерен. Здесь также следует иметь в виду, что в случае легированных наноструктур влияние размера кристаллитов на интегральную свободную энергию О может быть немонотонным [3, 82]. Характер зависимости 0= /(Т) означает, что из-за существования минимума при Т рит рост зерен в интервале Ь < Крит становится, так же как и в упомянутом выше случае инжекции вакансий, термодинамически невыгодным.  [c.100]

В последние годы большой интерес вызывают многокомпонентные наноструктурные пленки, обладающие уникальным комплексом физико-механических свойств. Эти объекты, как правило, состоят из смеси нескольких кристаллических фаз, внедренных в аморфную матрицу. Получение изображения с индивидуального кристаллита является важной, но довольно трудной задачей. Средний размер нанокристаллитов обычно определяют или из полуширины дифракционных линий на рентгенограмме с помощью формулы Дебая—Шеррера, либо по методу темнопольных (ТП) изображений. Однако первый метод, особенно в случае наноструктур, может приводить к значительным погрешностям вследствие эффекта уширения дифракционных максимумов и их сложной формы. Это связано с вкладом целого ряда факторов, таких как суперпозиция дифракционных линий от нескольких фаз, присутствие нанокристаллитов переменного состава с различными параметрами кристаллической решетки, наличие макро- и микронапряжений. Размер нанокристаллитов, определенный по методу ТП изображений, хорошо подтверждается прямыми наблюдениями при проведении ПЭМ ВР. Однако следует помнить, что в случае наноразмерного масштаба порядка 1 нм и менее размер кристаллитов совпадает с размером светлых областей на ТП изображении, соответствующих аморфному контрасту, что не позволяет однозначно интерпретировать результаты. Размер этих областей обычно составляет 0,5...1,5 нм и зависит от величины дефокусировки. Отметим, что в литературе нет однозначного ответа на вопрос, какой материал, исходя из экспериментально полученных результатов, действительно считать аморфным. Иногда для описания аморфного состояния вещества  [c.490]


Чтобы получить прочные магнитные элементы, используемые в технике, ферритовые порошки прессуют и подвергают спеканию. Образующийся в результате этих процессов черепок характеризуется определенной плотностью, формой и размером кристаллитов, формой, размером и распределением пор, определенным способом распределения примесей и микрокомпонентов. Совокупность этих свойств составляет керамическую структуру материала, которая тесно связана с магнитными, электрическими и механическими свойствами.  [c.24]

Исследования макроструктуры проводятся для определения размеров и формы сечения сварного шва, величины зоны термического влияния, выявления неплотностей в виде непроваров, трещин, пор и других дефектов. При макроисследованиях можно выявить участки химической неоднородности, ликвационные зоны, усадочную рыхлость, форму, размеры и направление роста кристаллитов.  [c.160]


Смотреть страницы где упоминается термин Определение размеров кристаллитов : [c.715]    [c.754]    [c.142]    [c.170]    [c.146]    [c.529]    [c.168]   
Смотреть главы в:

Металловедение и термическая обработка  -> Определение размеров кристаллитов

Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов  -> Определение размеров кристаллитов



ПОИСК



793 — Размеры — Определение

Определение размеров кристаллитов и блоков, микронапряжений и искажений кристаллической решетки

Определение размеров кристаллитов по величине и числу пятен на рентгенограмме

Размер кристаллитов и блоков, определение

Рентгенографическое определение размеров кристаллитов



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте