Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Фотошаблон

Оригинальные графические изображения синтезируются каждый раз заново в автоматическом или интерактивном режиме. Так, в диалоговом режиме разрабатываются, например, оригиналы фотошаблонов при проектировании интегральных схем, раскатки многошпиндельных коробок агрегатных станков. На рис. 4.15 приведена раскатка 9-шпиндельной коробки, выполненной на чертежном автомате с указанием габаритных размеров расположения входного вала (и = 730 об/мин), шпинделей 1, 2,. ... 9 и промежуточных валов 10, 11,. .., 23 рядов, где расположены соответствующие зубчатые колеса 1. II, 111] чисел зубьев и модулей зубчатых колес.  [c.176]


Основные задачи конструкторского проектирования следующие покрытие функциональных схем, т. е. получение принципиальных электрических схем конструкторский расчет геометрических размеров компонентов и площади размещения компоновка элементов размещение элементов с учетом конструкторских схемотехнических и технологических ограничений трассировка соединений контроль топологии проектирование фотошаблонов выпуск конструкторско-технологической документации.  [c.11]

Третий уровень САПР БИС представляет собой технологический комплекс (ТК), предназначенный для оформления проектной документации и управления фотонаборными установками, служащими для изготовления фотошаблонов.  [c.88]

Фоторезист под действием соответствующего освещения изменяет свои свойства, и в результате на поверхности полупроводника получают защитный рельеф из фоторезиста, повторяющий рисунок фотошаблона. Неэкспонированные участки фоторезиста удаляют, а открытые участки оксида снимают травлением. Так создается оксидная маска требуемой конфигурации (схематически процесс фотолитографии показан на рис. 25.2а,б). Сквозь окна маски примеси поступают в полупроводник для создания элементов микросхемы.  [c.539]

При изготовлении фотошаблона для каждой области необходим чертеж топологии на определенный слой. На рис. 25.8 представлен чертеж совмещенной топологии с изображением всех слоев одновременно (для упрощения рисунка не показан скрытый слой). Разработка такого чертежа предшествует созданию чертежей отдельных слоев. Его выполняют на первом листе документа, на последующих показывают слои на листе 2 - разделительный (рис. 25.9), на листе 3 - базовый (рис. 25.10), на листе 4 - эмиттерный (рис. 25.11), на листе 5 - контактные окна (рис. 25.12), на листе 6 - слой металлизации (рис. 25.13).  [c.541]

Вычертить по краю кристалла кромку без оксида шириной 40 мкм, предусмотрев место для фигур совмещения (рис. 25.21) шириной 72,5 мкм. В этом месте поместить фигуры совмещения К, которые служат ориентирами для совмещения фотошаблона с кремниевой пластиной.  [c.552]

Начертить свой вариант фигур совмещения. На общем виде топологии фигуры совмещения изображают для всех топологических слоев и размещают их в любом месте (в учебном задании место указано) по периметру кристалла сверху вниз и слева направо. Соответственно на каждом фотошаблоне.  [c.552]

М-450 (16-180) 1,6—13,2 32 Снабжен сканирующим столбиком с дискретностью 0,05 мм в пределах 100 мм для контроля фотошаблонов  [c.83]

Ручное изготовление фотошаблонов сопряжено с большими затратами труда, требует высокой внимательности и особой аккуратности. Техник-чертежник выполняет такую работу в течение  [c.215]


Применение чертежного автомата электромеханического типа позволяет значительно уменьшить трудоемкость изготовления фотошаблонов, ликвидировать ошибки, повысить точность черчения и, следовательно, повысить точность вырезаемого изделия. Процесс автоматического изготовления фотошаблонов складывается из нескольких этапов.  [c.215]

Автомат чертит необходимое число фотошаблонов. После визуальной проверки они передаются в производство.  [c.216]

Чертеж маски изготовляется с максимально возможной точностью в масштабе, увеличенном в 10—30 раз. Выбор масштаба регламентируется габаритными размерами и минимальными значениями предельных отклонений обрабатываемого профиля. Автоматическое черчение маски осуществляется в соответствии со схемой, приведенной выше для фотошаблонов. Наряду со снижением трудоемкости и повышением качества чертежа достигается также уменьшение брака в основном производстве.  [c.217]

Внедрение автоматизации изготовления фотошаблонов и масок не сопряжено с затратами на разработку дополнительных прикладных пакетов программ, поэтому осуществляется быстро и эффективно.  [c.217]

Фотолитографические процессы включают в себя множество операций от изготовления фотошаблонов до формирования элементов схем на подложке. В табл. 35 приведены точностные характеристики различных методов получения рисунка схемы.  [c.457]

Контактная фотолитография с гибким фотошаблоном 0.1 0,4 Точность изготовления комплекса шаблонов  [c.457]

В настоящее время достаточно широкое развитие получила еще одна область фигурной обработки поверхности — лазерная литография в производстве фотошаблонов.  [c.157]

Прогресс современной микроэлектроники во многом зависит от развития метода фотолитографии, являющегося одним из основных в изготовлении больших и интегральных схем. Существующие в настоящее время способы получения фотошаблонов приводят к образованию значительного количества дефектов, возникающих на различных стадиях фотолитографического процесса, а сам процесс отличается длительностью изготовления фотошаблонов и многоступенчатостью.  [c.157]

В настоящее время наметились два направления работ по созданию лазерных генераторов изображения (ЛГИ) для изготовления фотошаблонов. Одно из них состоит в применении систем, позволяющих получить фотошаблон со скрытым изображением на светочувствительных материалах, другое — в образовании рисунка фотошаблона за счет непосредственного испарения маскирующего покрытия.  [c.158]

Описанный выше ЛГИ обладает достаточно высокой производительностью. Например, на изготовление лазерной литографией фотошаблона, показанного на рис. 100, а, было затрачено около 5 ч. Однако использование лазеров с мощностью в импульсе 50—100 кВт при частоте следования 100—150 Гц и скоростных прецизионных координатных столов даст возможность  [c.163]

Координатограф КПА-1200 предназначен для изготовления фотошаблонов микросхем и печатных плат. В состав координатографа входят FS-1501, пульт управления, координатный стол с размерами рабочего поля 1200X1200 мм, устройство управления с блоками ввода информации, операционное устройство, интерполятор, блоки задания скоростей, обработки информации, ориентации инструмента, технологических операций, управления приводом, цифровой индикации, а также центрального управления. Максимальная скорость перемещений на прямолинейных участках 90 мм/с, на дугах окружностей 25 мм/с.  [c.74]

В кремниевых компиляторах в качестве исходных данных задается либо описание алгоритма, который должна реализовать СБИС и который представлен в виде некоторой микропрограммы, либо описание схемы на языке уровня регистровых передач. Результатом работы кремниевого компилятора должно быть описание топологии кристалла, выдаваемое в форме управляющей информации для оборудования, изготовляющего фотошаблоны слоев СБИС. Все операции по преобразованию исходных данных в окончательный результат выполняются автоматически это разбиение исходного описания на фрагменты, трансляция фрагментов исходрюй информации в фрагменты функциональной схемы и далее в фрагменты топологической схемы, выбираемые из заранее разработанного набора типовых ячеек, трассировка межсоединений, перевод топологии в управляющую информацию для фотонаборных установок. Библиотеки типовых ячеек тщательно отрабатываются предварительно с помощью средств автоматизации схемотехнического и топологического проектирования. Кремниевая компиляция уступает по показателю использования площади кристалла, но выигрывает по оперативности и стоимости проектирования по сравнению с автоматизированным проектированием СБИС.  [c.384]


Как указывалось, для основных технологических операций при изготовлении ПИМС требуются фотошаблоны. Для каждого фотошаблона вычерчивают отдельный топологический чертеж (см. рис. 25.9-25.13), который содержит одну проекцию кристалла с изображением расположения и геометрии окон в окисле для соответствующих областей элементов или металлизации согласно общему виду топологии.  [c.559]

Экспонирование (освещение) ультрафиолетовыми лучами через фотошаблон. Освещенные участки полимеризуются (задубливаются), молекулярный вес фоторезиста увеличивается.  [c.94]

Смывание растворителем неполимеризованных участков после удаления фотошаблона  [c.94]

Для образования омических контактов металл—полупроводник через окна фотошаблона наносится слой алюминия методом термического испарения в вакууме. Для образования внутрисхемных соединений между элементами данной ИС удаляют методом фотогравировки алюминий между контактами, соединяющими эти элементы.  [c.95]

Для технических нужд яа топологических чертежах помещают в определенном месте фигуры соимещения в виде рисунка — треугольника, креста, прямоугольника и др. Соответствующие фигуры совмещения показывают на отделыных слоях ИС выполняют их на фотошаблонах, что облегчает их совмещение, т. е. этим осуществляют совпадение осех элементов ИС как единой конструкции.  [c.98]

Разработка КД на кристалл и фотошаблоны в ттеряктИёНОМ режиме взаимодействия разработчика с ЭВМ базируются ла языковом описании послойных топололических чертежей.  [c.102]

Универсальность интерактивной системы заключается в возможности автоматиаироваиного выпуска общей КД (исключаются блоки для изготовления фотошаблонов).  [c.103]

Радиопромышлен- ность Контроль качества печатных плат на телепизионных и оптических проекторах, контроль геометрии фотошаблонов и др,  [c.49]

В машиностроении широкое распространение получили автоматизированные газорезательные станки, оборудованные фотоследящими системами для автоматического управления газовыми резаками. Следяш,ая система имеет фотоэлектрический элемент, осуш,ествляюш,ий автоматическое слежение за контуром фотошаблона. Она управляет движением резака, повторяюш,им траекторию перемещения фотоэлемента. Траектория резака обычно имеет масштабное увеличение по отношению к траектории фотоэлемента  [c.215]

Газорезательный станок Стрела , применяемый в автотракторной промышленности, обеспечивает автоматическое вырезание изделий сложного профиля из листа размером до 2000х 2000 мм и толщиной до 300 мм по фотошаблону, начерченному в квадрате 200x200 мм. Точность вырезки достигает 0,5 мм. Фактические отклонения вырезанного контура от теоретического зависят от точности воспроизведения контура на фотошаблоне. Очевидно, что погрешности черчения увеличиваются при резке в 10 раз вследствие масштабирования.  [c.215]

На рис. 99 изображен чертеж детали, вырезаемой на станке Стрела . Программа на языке ОГРА-1, обеспечиавающая автоматическое вычерчивание фотошаблона на автомате ИТЕКАН-2М с точностью 0,1 мм и с учетом ширины реза 1 мм приведена ниже.  [c.216]

Под воздействием ультрафиолетового излучения на фотоситалле проявляется конфигурация рисунка фотошаблона. В результате последующей химической обработки можно получить подложку любой формы с отверстиями и рисками размером до нескольких десятков микрометров.  [c.421]

Современные лазеры позволяют производить непосредственное удаление локальных участков тонкослойного маскирующего покрытия и открывают широкие возможности для создания автоматизированных высокопроизводительных систем изготовления фотошаблонов. Функциональная схема лазерного генератора изображения (ЛГИ) показана на рис. 98. Необходимым дополнением к лазеру непрерывного действия является модулятор, осущест-  [c.159]

Нетрудно подсчитать, что для изготовления фотошаблонов размером 40x40 мм при условии удаления 50% площади маскирующего покрытия требуется порядка 10 импульсов такого лазера, как лазер на ИАГ, у которогот = 8 15нс й = 7-10 Дж Я = 7-10 кВт частота следования импульсов 100 Гц долговечность — 2-10 импульсов с заменой ламп накачки. С помощью одного такого лазера можно изготовить не более 20 шаблонов, чего совершенно недостаточно даже для проведения экспериментальных работ.  [c.161]

Рис. 100. Фотографии фотошаблонов, изготовленных на ЛГИ. Материал а — пленка окиси железа толщиной 1000 А, размер изображения 30X30 мм б — пленка хрома толщиной 800 А, размер изображения 30X28 мм Рис. 100. Фотографии фотошаблонов, изготовленных на ЛГИ. Материал а — пленка окиси железа толщиной 1000 А, размер изображения 30X30 мм б — пленка хрома толщиной 800 А, размер изображения 30X28 мм

Смотреть страницы где упоминается термин Фотошаблон : [c.45]    [c.68]    [c.84]    [c.357]    [c.29]    [c.104]    [c.539]    [c.552]    [c.93]    [c.142]    [c.215]    [c.215]    [c.216]    [c.158]    [c.159]   
Проектирование на ПЛИС архитектура, средства и методы (2007) -- [ c.28 ]



ПОИСК



Изготовление фотошаблонов

Изготовление фотошаблонов и документации в ПАСТП

Какие бывают фотошаблоны

Определение оптимальной оптической плотности фотошаблона при рельефной записи на слоях ЖФПК

Проектирование фотошаблонов БИС

Расчет структуры и изготовление фотошаблонов ДЛ

Устройства, программируемые фотошаблоном



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте