Радиус кривизны кривой эффективный

Из кривых видно, что скругление внешней стенки менее эффективно, чем внутренней. Увеличение радиуса кривизны в от- [c.378]

Пусть теперь кривая 5 имеет бесконечный эффективный радиус кривизны, т. е. сама является лучом. [c.145]

Как и в 3 главы 4, в окрестности S введем координаты s и п. Эффективный радиус кривизны P(s) кривой S будем считать положительным [см. (2.1)]. Построим решения уравнения [c.162]

Будем предполагать выполненным принцип предельного поглощения, т. е. аналитическое продолжение и(х,у <и) по со с вещественной оси в верхнюю полуплоскость Im со > О должно стремиться к нулю при V J + i/ ->оо (напоминаем, что рассматривается неограниченная область). Пусть, кроме того, эффективный радиус кривизны P s) кривой 5 (см. 3 гл. 4) удовлетворяет условию [c.325]

Различные пористые структуры по размеру пор делятся на 3 основных типа макропористые, микропористые и системы с переходными порами [4, с. 9]. К макропорам относится разновидность пор, для которых нижний предел радиуса кривизны условно принимается равным 100—120 нм, а верхний предел — 500—2000 нм. Удельная поверхность макропористых веществ колеблется в пределах 0,5—2,0 м /г. Для переходных пор эффективный радиус кривизны лежит в интервале 100—200 нм (верхний предел) до 1,5— 1,6 нм (нижний предел), причем максимум кривых распределения эффективных радиусов переходных пор лежит в пределах 40— 200 нм. Удельная поверхность переходных пор составляет 20— 70 м /г, иногда достигает 200 м /г. Эффективный радиус микропор не превышает 1,5 нм. [c.12]

Суммарная погрешность щупового метода, обусловленная конечной величиной радиуса кривизны щупа и измерительным усилием, определится на основе сложения эффективных значений кривых [c.48]

Для электрона в периодическом поле кривая E k) изображается участками разорванной параболы с искривленными концами (рис. 2.1). Эффективная масса электрона определяется отклонением кривизны этой кривой р= 72уз7ТО кривизны параболы. В середине разрешенных зон кривизны обеих кривых совпадают. Наибольшие различия радиусов кривизны наблюдаются вблизи дна и потолка каждой зоны, т. е. вблизи областей возникновения энергетических разрывов, вследствие брэгговских отражений электронных волн. Знак кривизны для состояний вблизи дна зоны такой же, как и для свободного электрона (положительный), тогда как для потолка зоны знак кривизны меняется и она становится отрицательной. Это значит, что эффективная масса становится отрицательной. Заряженные частицы с отрицательной эффективной массой в электромагнитных полях двигаются, как частицы с зарядами противоположного знака. Электроны в кристаллах, занимающие верхние энергетические уровни в не полностью заполненных зонах, двигаются, как положительно заряженные частицы. Этот квантовомеханический вывод объясняет положительное значение постоянной Холла в некоторых металлах и электронных полупроводниках. По абсолютной величине отношение т /т для электронов может быть больше и меньше единицы. В палладии, например, т 1т = 43. В висмуте имеются группы элек- [c.53]

Соотношение l/P s) — О означает, что эффективный радиус кривизны P(s) равен бескоиечиости, т. е. кривая S является лучом (см. 3 и 4 гл. 4). [c.200]

Если требуется повысить эффективность плоского и.элучателя болсс просто—поставив перед ним вогнутую линзу с радиусом кривизны 33 мм,—то оценка по формуле (4.30) в зависимости от расстояния г даст кривую, показанную на рис, 4.33, по которой можно найти новое фокусное расстояние i f —35 мм. Следовательно, достигается коэффициент фокусировки только /(=35/50=0,7, откуда по рис. 4.24 получается высота эха всего 22 дБ. т. е. достигается улучшение иа 22—12=10 дБ. [c.105]

Авторы начинают с определения самосопряжённого поля Хартри Д.1Я валентных электронов в металле, пользуясь хартриевскнм полем атома Л1Я (15) -оболочки. Следует отметить, что все вычисления были проделаны для значеннй г , т. е, радиуса атомной сферы, большего, меньшего и равного экспериментальному значению [2,Ъ7а . После этого былн вычислены волновые-функции для некоторых точек в й-про-странстве. Для точек, близких к середине зоны, волновые функцнн были вычислены методом, использованным при вычислении фд в случае щелочных металлов для точек, близких к границам зон, — методом возмущений, исходящим из метода свободных электронов ( 73). Из значений энергии, соответствующих полученным функциям, были найдены кривая плотности уровней н средняя фермнезская энергия. Вычисления осложнялись необходимостью учёта обменного взаимодействия валентных электронов с электронами остова, как в случае калия. На рнс. 175 кривая распределения сравнивается с распределением для совершенно свободных электронов и для свободных электронов с эффективной массой т, определённой из кривизны графика s(ft) вблизи точки й = 0 ). Вертикальные линии обозначают границу области заполненных уровней для каждого из трёх случаев. Из рис. 175 можно видеть, что действительное распределение плотности уровней имеет режий минимум для значения е, близкого к верхнему краю заполнен- [c.391]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...