Коэффициент отражения и действительная диэлектрическая проницаемость

Коэффициент отражения и действительная диэлектрическая проницаемость П 175 [c.415]

Рассмотрим слоистую волноводную структуру (рис. 11.2) с металлической подложкой (среда III). Показатель преломления металлической подложки является комплексной величиной. Например, комплексные показатели преломления меди, золота и серебра при X = 6328 А равны соответственно = 0,16 - г3,37 0,16 - /3,21 и 0,067 - /4,05. Коэффициенты отражения этих металлических поверхностей крайне высоки (почти 100%), особенно при скользящем падении (в 90°), вследствие большой мнимой части (большого коэффициента экстинкции) и малой вещественной части показателя преломления 3. Действительно, если — чисто мнимое число, то волна в среде III всегда затухает. Коэффициент отражения света от такой идеальной металлической поверхности всегда равен 100% независимо от угла падения и состояния поляризации. Таким образом, идеальный металл, подобный этому, может обеспечивать полное отражение, необходимое для локализованного распространения. Среда с чисто мнимым показателем преломления имеет отрицательную диэлектрическую проницаемость и нулевую оптическую проводимость. Для меди, золота и серебра мы имеем соответственно п = -11,33 - /1,08 -10,28 - /1,03 и -16,40 - /0,54. Заметим, что мнимая часть величины п, которая пропорциональна оптической проводимости а, мала для всех трех металлов. [c.511]

Отметим, наконец, что если диэлектрическая проницаемость действительна, то коэффициент отражения кристалла дается выражением [см. формулу (Л.6) в приложении Л [c.175]

Соотношение между действительной и мнимой частями диэлектрической проницаемости, было установлено Штерном [129] в виде дисперсионных соотношений. Этими соотношениями устанавливалась также связь коэффициента отражения и фазового сдвига при отражении. Зная эти величины во всем диапазоне частот, легко определить оптические константы. Для рассматриваемых здесь пленок оптические константы без труда измеряются, а диэлектрическая проницаемость получается на основе простой поляризационной модели. Вектор смещения может быть выражен через микроскопическую поляризацию [c.387]

Перейдем теперь к обсуждению опытов [42, 43], касающихся оптических свойств полупроводниковых кристаллов со структурой типа алмаза или типа цинковой обманки. На фиг. 41 приведены экспериментальные результаты для коэффициента отражения, а также для действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости 1п8Ь. Приведенные зависимости типичны для. рассматриваемой группы полупроводников. На кривых ясно различаются три участка (области энергий 1, 2 и 3 на фиг. 41). В области 1 наблюдаются пере.ходы между валентной зоной и зоной проводимости. В области 2 кристалл ведет себя почти как система свободных электронов. Наконец, область 3 соответствует вступлению в игру переходов из ( -зоны (если таковая имеется) в зоны про-водимости. В дальнейшем мы ограничимся рассмотрением оптических свойств только в областях энергий 2 и 5. [c.281]

Хотя линейные кривые Ричардсона и Шотки могут быть получены и для поверхности полупроводника, как это было показано Бахманом и др. [8] для кремния, интерпретация кажущейся эмиссионной постоянной становится еще более сложной, чем для проводников, ввиду указанных выше факторов. На самом деле наблюдаемая линейность для кривой Ричардсона обусловлена удачным взаимным погашением эффектов сильной температурной зависимости работы выхода и коэффициента отражения, а для кривой Шотки — эффективной диэлектрической проницаемостью, которая в используемом диапазоне полей действительно остается постоянной. Вообще говоря, для полупроводников не следует ожидать линейности этих двух кривых. [c.199]

При изучении оптических свойств халькогенидов свинца широко используется отражательная методика. Эвери [39] определил коэффициент поглощения, измеряя отражение поляризованного света. Точность таких измерений будет максимальной при условии, если мнимая часть комплексной диэлектрической проницаемости значительно больше действительной части. Это условие выполняется в области, где коэффициент поглощения более или равен 10 см т. е. далеко за краем полосы собственного поглощения. Скэнлон провел прямые измерения коэффициента поглощения, используя полированные монокристаллы микронной толщины [40, 41]. Из-за малых размеров образцов потребовалось применение инфракрасного микроскопа. Из этих данных им были получены значения ширины запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов. Оказалось, что во всех случаях значения для непрямых переходов были меньше, чем для прямых. Это было объяснено поглощением с участием фононов, поскольку измерения проводились при комнатной температуре, существенно превышающей дебаевскую температуру для этих соединений. [c.332]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...